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電子發燒友網>模擬技術>貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

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2023-08-09 14:41:34261

車規級功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52806

貿現已開售運行速度遠超前代產品的樹莓派5單板計算機

2023 年 11 月 2 日 – 新型電子元器件與工業自動化產品的全球授權代理商貿電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Raspberry Pi的樹莓派5單板計算機。在樹莓派
2023-11-06 16:14:56449

貿與Ambiq簽約

來源:Silicon Semiconductor 貿電子(Mouser Electronics)與低功耗人工智能微控制器領先供應商Ambiq簽署了新的全球分銷協議。 貿電子供應商管理副總裁
2023-12-20 16:17:47242

貿順利完成SOC 2 Type II、ISO 27001 Stage 2和Cyber Essentials認證

2 Type II、ISO 27001和Cyber Essentials認證。貿電子有嚴格的流程來保護我們的數據、系統和產品的安全、隱私及可用性,并已獲得1,200多家半導體和電子元器件制造商的授權
2024-01-30 14:17:58185

英飛凌發布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00617

英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術,提升電力效率與可靠性

另外,CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值(Rdson),這大大提高了能效、功率密度,以及在電力系統中的可靠性,降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41780

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發展

碳化硅(SiC)技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET2代(G2)技術,也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標,擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26575

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2

在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出,標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑,為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29440

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新
2024-03-12 08:13:02316

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:45447

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29499

英飛凌發布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36590

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產品特點

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術,CoolSiC技術的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35323

貿開售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍牙模塊 為多項應用提供高效無線連接

2024 年 3 月 25 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌CYW20822
2024-03-26 15:11:14248

貿電子開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件

貿電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應用(如自主機器人、資產跟蹤和互聯健康)提供了一個緊湊的開發和原型設計平臺。
2024-04-17 10:25:24272

芯聞速遞 | 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列;Ekkono簡化AURIX?系列嵌入式AI過程

英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET,針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26186

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:20711

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。
2024-05-24 10:13:45430

產品簡介 | RZ/G2系列MPU

產品簡介 | RZ/G2系列MPU
2024-04-29 08:08:13112

CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場

英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術,再度突破極限,實現更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發展且競爭激烈的碳化硅市場,屹立于創新浪潮之巔。在過去三年,碳化硅市場經歷了蓬勃發展,特別是在
2024-07-12 08:14:41155

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