目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平,但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內存、50%以上的閃存生產,日本制裁對韓國的存儲芯片產業影響會很大,如果雙方不解決供應限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價,預計NAND閃存芯片將漲價10%到15%,而SSD硬盤也會有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:021465 投資80億美元。 根據一份新報告,三星將增加對中國芯片工廠的投資,以促進NAND閃存芯片的生產。據推測,在大筆投資之前,該公司預測由于供應有限以及對第五代網絡和設備的需求增加,明年內存需求的激增將反彈。 目前,三星是全
2019-12-13 15:44:314230 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業,計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后,于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
2015-08-11 08:32:00720 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436007 電子發燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規模量產64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 MAX3232EUE+T的比例從62%上升到了80%?! ∪毡緰|芝第二季度NAND閃存產品銷售額環比下降9.5個百分點。相比之下,美光科技公司NAND閃存芯片的銷售在整個供貨商中獲得了強勁增長。同樣,美光與三星都因東芝
2012-09-24 17:03:43
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體:防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑,反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED燈珠高亮度、色彩豐富、可智 能化控制等優點,使其成為下一代照明光源的有力競爭者,綠色節能是其對社會最重要的貢獻。
2019-09-30 09:00:46
三星S3C6410芯片手冊
2016-01-29 13:47:21
的攝像頭,整體成像質量出色,可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統,主頻高達1GHz的處理器保證了整機的流暢運行,機身自帶16GB的擴展存儲,同時還支持高達
2011-05-04 18:51:39
三星大中華區首席技術官裵容徹先生表示,三星不斷進行技術創新,新一代的QLC產品成本可以降低60%,同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術,速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面,三星推出
2018-09-20 17:57:05
消費者的細分需求?!敝档米⒁獾氖牵舜?b class="flag-6" style="color: red">三星也特別針對中國市場推出了“定制版”,即中端智能手機系列Galaxy A。而與蘋果的高價策略不同的是,三星拉低了新款手機的售價。從以上動作來看,三星在中國市場的定位
2018-10-29 17:01:33
韓國三星電子日前宣布,位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術,生產用于服務器等的NAND閃存(V-NAND)。三星電子希望在IT(信息技術)設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
,三星未能躋身世界最大電腦生產商前五名,其產品則主要面向消費市場,而非企業用戶。三星早前在Chromebook的推進上給予了極大支持,包括與教育機構合作等等,但并不清楚該公司在此項目上的具體收益如何。此外
2014-09-25 10:32:11
1,000顆,而400x500mm的面板上,則可以同時處理3,100顆的芯片,兩者生產效率有相當程度的不同。此外,三星這顆AP可以兼顧電源管理IC,如果良率可以穩定,這比臺積電單晶片封裝當然技術更勝一籌
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機得知產品和服務信息,但三星并未透露產品何時上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
擁有0.5英寸的透鏡光圈和2.25.um的像素尺寸,配合三星專有的像素填充結構,能將填充因子提高55%以上。而銅技術的應用,則能有效提高聚焦效率和敏感性?! ∽鳛橐豁棙O具發展前途的新型成像技術,業內
2018-11-19 17:12:09
據美國研究公司ICInsights發布報告預計,銷售額顯示,三星電子有很大可能性,超過英特爾成為全球最大的芯片商。 油柑網利用WMS物流系統在高準確率、優化倉儲空間、提高人工效率等方面的特點,為用戶
2019-04-24 17:17:53
請問哪位有三星的2440u***驅動的,需要win7 64位的?
2014-08-07 12:19:51
請教一下各位大神,2A的整流橋用快恢復管來做,是否EMI會很好呢?三星的手機充電器 在用。
2016-12-15 11:14:05
管理不穩定的消息。在這次會議中,三星首席財務官李相勛入選為三星董事會主席,他將于明年三月正式接替權五鉉。與此同時,金奇南、金炫奭和高東真也成為了三星電子新的聯席CEO,以此來看,三星將維持目前三個聯席
2017-11-01 15:56:56
三星貼片電阻的卷帶上的標簽上有個P M2,在條碼的旁邊有時候是PM3或S之類的,哪位大蝦告訴我下,那是什么意思啊?
2012-07-28 16:37:17
和iPhone就要向三星支付8位數的現金。同時,這還會幫助三星提高在全球智能手機市場的優勢。根據以上分析,蘋果和英特爾合作將給兩家公司帶來巨大的好處。這個交易將使三星的處境更加不利。因此,我們非常歡迎今年推出
2013-03-12 11:40:10
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 編輯
新五代的密碼哦
2015-09-12 12:17:58
衍生了一些新的技術,來助力其閃存產品向3D方向發展。其中,就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常?,F在要換成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手冊,發現page/block/sub-page size之類的都是
2018-06-21 07:09:15
海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術的UFS和SSD產品。而三星雖然還未宣布下一代產品具體層數,但是近期也在公開會議中表示,將在2021年量產第七代V-NAND,使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
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2021-04-28 18:52:33
交流跳周模式提高了PFC輕負載效率
2021-04-06 09:04:35
Windows 10 IoT2. 三星/KLMAG2GEUF-B04P/16GB eMMC5.1 成功運行Windows 10 IoT。3、以上兩臺三星eMMC燒錄ubuntu系統運行正常,但在運行Wingdows 10 IoT時有區別。4.圖為操作失敗與成功對比。
2023-03-17 09:03:23
的eMRAM模塊,只要增加3個掩模,就可以集成到芯片制造過程的后端。因此,該模塊被允許插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工藝生產的芯片中,而不一定取決于所使用的前端制造技術。 由此也可以看出,三星
2023-03-21 15:03:00
對DRAM芯片的強勁需求將繼續超過供應,因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產;此外,截至9月NAND閃存的需求則連續第六季超過供應。供蘋果新手機使用的有機發光二極體(OLED)面板的銷售增長,也支撐了第四季獲利創紀錄新高的預期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
是深圳市友堅恒興科技有限公司基于三星平板方案設計的經驗,結合廣泛調開設計的一款S5P4418處理器開發板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開發平臺。整合了目前工業、消費、車載等行業
2016-07-01 14:04:09
年收購電子芯片,收購電子IC,收購DDR ,收購集成電路芯片,收購內存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內存芯片系列,三星,現代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達,華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
的3D閃存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND閃存(3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達到了1.4Gbps,相比64層堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
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2020-12-14 16:00:38
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2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好,我創建了我的“BLE應用程序”,比如“FunMe”示例。我有很大的問題,因為我的應用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5,而三星S4工作良好。我該怎么解決呢?有特定的設置嗎?最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
手機進水了怎么辦?三星手機
2013-05-13 17:34:01
(OSS) 的戰略是三星取得成功的基石,使公司能夠最大限度地利用開源軟件并提高效率,同時還能管理許可、合規以及其它相關風險。為防止開源軟件風險蔓延和開源軟件技術資產受損,三星SDS的眾多開源軟件專家
2023-03-02 14:20:49
有什么方法能證明混合電子傳輸層提高了器件效率?該如何去操作這類實驗?
2021-04-07 06:16:45
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
1概述嵌入式系統要在5G時代中蓬勃發展,就需要針對5G特點,進行有針對性的應用于創新。1.15G的特點第五代移動通信技術的特點主要在:(1)高速率,5G網絡的下載速度高達10 Gbit/s,,比4G
2021-12-22 08:05:19
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59
請問一下RK3399芯片啟動需要像三星一樣的bl1嗎?求大神解答
2022-07-11 09:32:16
夏普(原富士康科技集團CCPBG事業群兼人資總處總經理戴正吳任夏普會長)之后,決定不再向三星電子供應面板;三星和LG在2008年的時候曾經聯手打壓奇美電子(富士康子公司,生產面板)與友達,當時前2者一直
2016-12-18 01:18:05
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫,全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態硬盤,回收服務器內存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器,收購鉭電容,回收sd卡,收購tf卡。回收工廠庫存ic,大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
供應XPD318BP25 三星25w充電器協議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域,更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
韓國三星電子公司周一說,它和蘋果電腦公司就合資生產NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36391 W-CDMA電源極大地提高了發送效率
Abstract: The MAX1820 switch-mode power supply is optimized to improve
2009-07-22 13:11:06588 三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司
2009-12-02 08:59:23535 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產量削減30%,為2009年以來首次減產。
2012-07-24 09:08:06793 3月7日消息,雖然東芝是NAND閃存芯片的發明者,但三星目前已經是NAND芯片行業的領跑者,并且其優勢在不斷擴大。
2017-03-07 15:53:451320 做為世界最大的記憶芯片生產商,三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外,位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元,將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時,三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
2017-07-04 15:57:30928 三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 據悉,東芝的第 6 座工廠(Fab 6)還沒有完工,東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠,韋德就是能在2018年與三星,Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091774 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271031 位于西安高新技術開發區的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:467373 在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達1Tb,用于消費級產品。
2018-05-16 23:41:00759 三星電子今天宣布,已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用閃存(eUFS),以用于下一代移動設備。據介紹,三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:00758 三星終于宣布開始大規模生產其第五代V-NAND存儲芯片,聲稱其堆疊層數超過90層,可能指的是其96層,制造生產率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645 據外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053683 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327173 6月15日,三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲的數據更多,而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251151 據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473 繼三星去年實現量產128層第六代NAND閃存芯片后,又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發,目前看來三星已經將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:511889 我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492026 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 / s,高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比,讀(寫)延遲提高了35% 以上,與128LNAND 相比,提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產
2020-11-13 14:25:131552 眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現出更好的工藝,它們似乎在挑戰三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:372217 市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55449 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業,正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36578 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 據《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762 三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為,三星的nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中,由于市場持續低迷,三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18216
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