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電子發燒友網>移動通信>三星五代V-NAND閃存芯片,使生產效率提高了30%以上

三星五代V-NAND閃存芯片,使生產效率提高了30%以上

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空氣產品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

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2019-04-17 16:32:345462

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片
2019-08-31 09:43:425566

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251151

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473

三星提高閃存產量成立特別工作組,提高整個流程的生產

三星去年實現量產128層第六代NAND閃存芯片后,又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發,目前看來三星已經將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:511889

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492026

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

芯片巨頭美光宣布向客戶交付176層閃存

/ s,高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比,讀(寫)延遲提高了35% 以上,與128LNAND 相比,提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產
2020-11-13 14:25:131552

三星NAND閃存市場將面臨哪些挑戰?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位,占有30以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現出更好的工藝,它們似乎在挑戰三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:372217

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55449

三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業,正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36578

三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%

據《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產

三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為,三星nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中,由于市場持續低迷,三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率

新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18216

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