? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:36
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日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 (SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
的FemtoFET產品組合，。部件編號N/PVdsVgsId Cont. (A)典型的導通電阻 (mohm)輸入電容 (pF
2018-08-29 15:28:55
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過的電流ID與導通電阻的乘積來確定。為什么這個區被定義為可變電阻區呢？功率MOSFET數據表中定義的導通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當VGS不同時，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
了開關損耗，促進了白色家電和工業設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
獨創的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產300萬個的規模大量生產。生產過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝
2018-08-24 16:56:26
超小型RGBLED驅動電路NCP5623資料下載內容主要介紹了：NCP5623引腳功能NCP5623內部方框圖NCP5623極限參數NCP5623典型應用電路
2021-04-02 07:07:24
描述超小型 USB 轉 UART (TTL)此設計包含 CH340E 工作所需的必要外圍電路，并將其所有引腳引出以備將來使用。此設計還包括一個三色 LED 燈。藍色用于指示電源狀態，紅色和綠色分別
2022-08-17 06:28:29
%。是面向ADAS（高級駕駛輔助系統）的傳感器、攝像頭及雷達等要求可靠性和小型化的車載用模塊而開發的全球最小*的車載LDO穩壓器。* 截至2016年4月15日ROHM調查數據具備基本功能，支持車載規格下面
2018-12-04 10:13:49
23日 ROHM調查數據）超小型封裝，配備優異的功能和保護功能BD70522GUL采用超小型封裝，并配備了優異的功能。如欲了解更詳細信息，請參考技術規格書。?固定導通時間（COT）控制利用固定導通時間
2018-12-05 10:03:29
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現行放大區的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
PLC新一代超小型控制器(LOGO！)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch
2021-07-14 15:17:34
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
兩方面的損耗少與效率改善密切相關。另外，損耗少的話，發熱就會少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關。－ 這涉及到第二個課題小型化對吧。進一步講，一般MOSFET的導通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術相結合實現了低的導通電阻。這有助于提升您應用中的產品性能。 2.小型封裝產品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
需要具備非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
型區。在功率MOSFET的內部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
的元件中，難于實現低導通電阻及將開關應用的能耗降至最低。為了實現這些參數的高質量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷。 移動設備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
FDC6324L是一款集成負載開關 是使用ON生產的半導體專有的高單元密度DMOS技術。這種非常高密度的工藝特別適合于將導通電阻降至最低，并提供優越的開關性能 這些設備特別適用于需要低導通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過 TO-220 封裝實現業界最低導通電阻，從而可在更大電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
我的ss-8001A壞了，主要是超小型的很好玩，棄之可惜，想修復，但找不到電氣原理圖，希望那位壇友幫助，謝謝！
2015-06-18 09:26:49
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
記得作者2002年做研發的時候，在熱插撥的應用中就開始關注到這個問題，那時候很難找到相關的資料，最后在功率MOSFET的數據表中根據相關的圖表找到導通電阻RDS(ON)的這個違背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
一種基于IRIG-A碼輸出的超小型GPS時鐘設計
2021-05-27 06:24:52
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
領域，MOSFET沒有競爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應用者不得不以數十倍的幅度降低額定電流，以折中額定電流、導通電阻和成本之間
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據噪聲、導通電阻、高速性及獨有結構等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
超小型印刷板通訊繼電器
2009-11-30 16:21:30
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超小型PWM DCDC升壓器電路圖
2008-05-06 23:24:413693 
超小型指示燈泡
超小型指示燈泡具有體積小、亮度高的特點，主要用于小型儀器儀表的照明及信號指示。表10-9 列出了一些超小型指示燈泡的主要參數，其外形如圖10
2009-09-19 17:46:15596 超小型保險絲管
超小型保險絲管外形尺寸小，外徑僅有φ2.4mm (如圖8-7 所示) ，可直接焊接在線路板中，特別適用于小型化電子產品。超小型保險絲管有快速熔斷型和
2009-09-19 17:54:48654 超小型保險絲管
超小型保險絲管外形尺寸小，外徑僅有φ2.4mm (如圖8-7 所示) ，可直接焊接在線路板中，特別適用于小型化電子產品。超小型保險絲管有快速熔斷型和
2009-09-19 17:55:54856 超小型萬用表電路
2009-11-22 00:15:121424 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06681 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474914 超小型肖特基二極管
特瑞仕半導體推出了世界上最小級別的 0603尺寸 超小型肖特基二極管。
特瑞仕半導體針對便攜式儀器市場向小型化、薄型化進步的需要、
2010-03-31 10:34:311338 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 超小型光控繼電器: TLP3312
2012-08-10 13:53:322027 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44886 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263065 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 ）-23，漏源導通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息。
2016-10-24 16:33:37939 哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發布的F3 FemtoFET，聲稱其產品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
2017-04-18 07:49:54958 
MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012631 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:12771 超小型齊平膜片壓力傳感器。
2021-03-24 11:31:1912 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區域的電阻起到決定作用。
2021-05-01 17:26:0014838 
產品CSD15380F3在內的FemtoFET產品組合，。
部件編號
N/P
Vds
Vgs
Id Cont. (A)
典型的導通電阻
2021-11-10 09:39:17498 
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332873 電子發燒友網站提供《6111超小型管緩沖器.zip》資料免費下載
2022-07-04 09:48:350 電子發燒友網站提供《超小型USB轉UART開源分享.zip》資料免費下載
2022-07-28 10:54:441 電子發燒友網站提供《超小型40w反激式開關.zip》資料免費下載
2022-08-09 14:36:279 電子發燒友網站提供《超小型jlink下載器開源.zip》資料免費下載
2022-08-09 09:30:501 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021461 
實現了封裝面積減半的超小型尺寸
2023-08-15 14:34:40377 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040
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