日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1441 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381452 東芝推出了采用外形尺寸僅為0.8mm×0.8mm×0.3mm的SDFN4封裝的LDO穩(wěn)壓器IC “TCR2EN系列”。
2012-02-06 09:22:011247 `<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類(lèi)型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類(lèi)型的MOSFET，即P溝道MOSFET。基本概念溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道供應(yīng)【20V MOS管 N/P溝道】SL206020V85A5毫歐TO-252封裝N溝道
2020-06-06 10:41:14
該文件說(shuō)，cyu***3035標(biāo)志設(shè)計(jì)使用9.5mil直徑0.8mm間距BGA封裝焊盤(pán)上。墊大小似乎非常小的包。這是正確的嗎？如果不是我應(yīng)該用什么直徑墊大小？以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文
2018-08-18 04:18:33
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
剛?cè)腴T(mén)，一些基本的知識(shí)都不了解，請(qǐng)問(wèn)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師。在做常用的PCB元件封裝的時(shí)候，比如管腳是0.6mm，那焊盤(pán)中間通孔取0.8mm的樣子（比管腳大0.2mm），那焊盤(pán)直徑是不是取1.3mm左右，焊盤(pán)的尺寸如何確定，有沒(méi)有什么經(jīng)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)啊？求指導(dǎo)
2014-10-11 12:51:24
10場(chǎng)效應(yīng)管100V15A P溝道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫歐TO-252 251【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N
2020-06-09 10:21:08
MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道
2020-06-13 11:47:55
03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N
2020-06-19 10:57:37
】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-09 10:23:37
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x
2020-06-19 11:00:56
03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝
2020-06-20 10:04:16
N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道
2020-06-20 10:05:27
03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x
2020-06-22 10:53:25
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-22 10:57:12
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-22 11:03:37
03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道
2020-06-24 10:37:08
SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P
2020-06-24 10:39:23
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P
2020-06-24 10:40:54
DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道供應(yīng)【20V MOS管 N/P溝道】SL206020V85A5毫歐TO-252封裝N溝道
2020-07-28 09:28:16
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-29 16:39:10
】SL40P03-30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03-30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL403 -30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道SL484 30V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道
2020-07-01 10:01:02
】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-09 10:36:41
SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-07-27 17:15:08
03場(chǎng)效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
】SL40P03-30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03-30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道SL403 -30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道SL484 30V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道
2020-06-10 11:23:51
TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-06-05 10:14:58
】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-10 14:33:23
03場(chǎng)效應(yīng)管-30V-50A P溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:35:56
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
本帖最后由 ilvhmfer 于 2012-8-16 19:02 編輯
為什么0603的電阻封裝是1.6mm*0.8mm啊我畫(huà)了一個(gè)板子，測(cè)量電阻的長(zhǎng)寬是這個(gè)。。。但是，打出來(lái)的板子，他的長(zhǎng)寬，貌似是6mm*3mm啊。。。PCB里面的不是應(yīng)該和實(shí)物一致的么怎么會(huì)員如此大的差別。。。
2012-08-16 17:00:33
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
各位好，有沒(méi)有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
的 NTNS3193NZ使用最新XLLGA3 3導(dǎo)線亞芯片級(jí)封裝（見(jiàn)圖3），尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm,是業(yè)界極其微型化的分立小信號(hào)MOSFET,總占位面積僅為0.38mm2.N溝道
2018-09-29 16:50:56
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
。STLQ020即日起投產(chǎn)，采用2mm x 2mm DFN6、0.8mm x 0.8mm倒裝芯片4、2.1mm x 2.0mm SOT323-5L三種封裝。高性能四路LDO穩(wěn)壓器評(píng)估板
2018-04-10 15:13:05
你好，我尋求CSG325 0.8mm間距BGA封裝的布局信息。我想找到類(lèi)似于UG112第87和88頁(yè)中的建議，其中列出了焊盤(pán)尺寸，焊接掩模開(kāi)口，焊盤(pán)尺寸等。是否有像CSG325這樣的芯片級(jí)封裝的類(lèi)似
2019-04-12 13:51:20
本帖最后由 ♂霹靂 于 2014-5-5 01:42 編輯
如題類(lèi)似IRF7416和FDJ128N,但是這兩種要么是P溝道,要么就是貼片封裝,但是我現(xiàn)在需要的是直插封裝啊....求大神給個(gè)型號(hào),最好是任何一個(gè)電子市場(chǎng)都能買(mǎi)到的最常見(jiàn)的型號(hào),最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
接觸到個(gè)項(xiàng)目，上面需要個(gè)數(shù)字溫度傳感器，要求高度不能大于0.8MM……最好是QFN封裝的，沒(méi)有的話其他封裝也行但是我實(shí)找不到合適的型號(hào)…………有誰(shuí)知道的，推薦一個(gè)參考參考，感激不盡
2019-01-14 04:12:47
按照APPCAD計(jì)算出來(lái)0.8mm 板厚 35um 銅厚，走線要1mm寬才能匹配2.4G 50歐姆的阻抗,如果1mm線寬，這個(gè)連接處不知道怎么連線 我的板子厚度是0.8mm ,天線是官方的標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的
2022-08-01 06:15:26
推出并量產(chǎn)低溫錫絲。無(wú)鉛低溫焊錫焊點(diǎn)亮度，焊接機(jī)械強(qiáng)度，拉伸韌性及電子導(dǎo)電率等指標(biāo)均有較大提高,無(wú)鉛低溫錫絲直徑從0.8mm,1.0mm 可供選擇，里面含有松香，電烙鐵直接焊接；本公司所生
2021-12-10 11:15:04
MUF-PK10K-X，連接器，0.8mm間距/接口 該連接器是帶鎖定機(jī)構(gòu)的屏蔽接口連接器。插頭側(cè)：易于
2023-02-18 15:37:00
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23653 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571560 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081506 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301342 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
2011-08-18 09:42:40851 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13633 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱(chēng)PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車(chē)載
2013-12-13 15:07:13844 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 器件帶有日光阻擋濾光片，采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封裝，可實(shí)現(xiàn)光學(xué)檢查 Vishay光電子產(chǎn)品部推出可用于智能家居、工業(yè)和辦公設(shè)備的新反射式光傳感器
2018-05-26 02:18:004890 MCP87130 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:00
2 MCP87090 是采用常見(jiàn)的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 件間距為0.5、0.6、0.8和1.0mm，而且通過(guò)配接各種組合的垂直插頭和母端護(hù)套高度，可以實(shí)現(xiàn)從4mm到20mm的板對(duì)板堆疊高度（增量為1mm）。
2018-09-25 10:48:505758 、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超薄厚度，是目前市場(chǎng)上最薄的產(chǎn)品之一，感光角達(dá)到了驚人的150°。該接收器具有Vishay一貫性的高靈敏度，其接收距離達(dá)到了40米。 平板LED
2018-12-21 12:43:01160 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是0.8mm雙槽板對(duì)板BTB連接器的規(guī)格原理圖免費(fèi)下載。
2020-01-09 08:00:008 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是0.5MM和0.8MM間距側(cè)插板對(duì)板連接器公母座規(guī)格原理圖免費(fèi)下載。
2020-01-08 08:00:0012 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FCI間距0.8MM接插件AMP款公母座板對(duì)板連接器的規(guī)格原理圖免費(fèi)下載。
2020-04-22 08:00:002 0.8MM前腳的HDMI C TYPE沉板原理圖
2021-08-02 11:10:313 KOYUELEC光與電子提供SUNLORDINC順絡(luò)電子0.8mm低背型合金粉芯繞線功率電感技術(shù)選型和方案應(yīng)用
2023-01-04 14:23:19273 
R0E53033GCFG90 用戶(hù)手冊(cè) (Converter Board for Connecting R8C/33G and R8C/33H 組s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 18:47:140 R0E53033ACFG90 用戶(hù)手冊(cè) (Converter Board for Connecting R8C/33A R8C/33C and R8C/33D 組s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:18:320 R0E53036ACFG40 用戶(hù)手冊(cè) (Converter Board for Connecting R8C/36A and R8C/36C 組s 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:19:480 R0E420000CFG40 用戶(hù)手冊(cè) (Converter Board for Connecting H8S/Tiny Series 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:21:030 R0E5212L4CFG00 使用手冊(cè)(32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板)
2023-04-28 19:11:320 M3T-64DIP-DMS 用戶(hù)手冊(cè)(64-pin RSS Type Emulator MCU轉(zhuǎn)接64-pin 0.8mm pitch QFP轉(zhuǎn)接板)
2023-04-28 19:54:350 R0E436640CFG20 用戶(hù)手冊(cè)（64-pin 0.8mm間距QFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-04 19:44:440 R0E5212BACFG00 用戶(hù)手冊(cè)(64-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板)
2023-05-04 20:04:450 R0E521276CFG00 用戶(hù)手冊(cè)（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-08 19:55:450 R0E521134CFG00 用戶(hù)手冊(cè)（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-09 19:41:400 R0E521276CFG00 用戶(hù)手冊(cè)（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-06-27 19:35:380 R0E521134CFG00 用戶(hù)手冊(cè)（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-06-28 18:31:330 焊接時(shí)，需要采取嚴(yán)格的氣體保護(hù)才能獲得性能良好的焊接接頭。下面來(lái)看看激光焊接機(jī)焊接0.8mm鈦合金的技術(shù)工藝。 ? 激光焊接機(jī)焊接0.8mm鈦合金的技術(shù)工藝： 一、準(zhǔn)備階段 在準(zhǔn)備階段，需要先準(zhǔn)備好焊接所需的所有材料，包括0.8mm鈦
2023-12-14 11:28:15265 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08356 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.2mm x 0.8mm WCSP封裝的TPS6283810小型6引腳3A降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-08 09:53:100 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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