今年以來，中國航天事業屢屢傳出好消息，先是在今年4月將我國首顆微重力科學實驗衛星實踐十號送上預定軌道，又在今年8月發射了全球首顆量子衛星墨子號。不久前，神舟11號與天宮二號完成了對接和分離。在11月1日，中國航天科技集團在珠海航展現場召開新聞發布會上宣布我國首個北斗全球“厘米級”定位系統——“夔龍系統”建設工作全面啟動，夔龍系統通過計算從全球多達300個以上的多系統衛星導航參考站所獲取的觀測數據，將衛星導航終端定位精度提高到“厘米級”。

在這些人造衛星和神舟飛船中，有一樣電子元件發揮這至關重要的作用，那就是宇航級CPU，這些裝載在人造衛星和神舟飛船上的CPU的作用相當于人類的大腦。那么，宇航級CPU相對于日常商用的CPU有何不同？宇航級CPU是怎么做到在太空中正常工作的？中國在宇航級CPU上和美國還有多大差距呢？

CPU在太空中要面臨惡劣的工作環境

宇航級CPU構成了人造衛星的大腦，為了能在星際空間這樣的惡劣條件下工作，不僅要應對極端苛刻的高溫和低溫，還要能應對無處不在的宇宙輻射。

在太空環境中，物體的溫度取決于太陽的光照，由于不存在空氣散熱，受光面和被光面溫差非常大。以軌道高度為300至400km的軌道的溫度為例，受光面溫度約為150℃，背光面溫度約為-127℃，溫差約為300℃。因此，美國的航天飛機艙外航天服的耐溫閾值為：高溫149攝氏度，低溫-184.4攝氏度。

在太空環境中，宇宙輻射是不可避免的，而宇宙輻射恰恰會對CPU造成損壞。微電子器件中的數字和模擬集成電路的輻射效應一般分為總劑量效應（TID）、單粒子效應（SEE）和劑量率（Dose Rate）效應。

總劑量效應源于由γ光子、質子和中子照射所引發的氧化層電荷陷阱或位移破壞，包括漏電流增加、MOSFET閾值漂移，以及雙極晶體管的增益衰減。

SEE是由輻射環境中的高能粒子（質子、中子、α粒子和其他重離子）轟擊微電子電路的敏感區引發的。在ｐ－ｎ結兩端產生電荷的單粒子效應，可引發軟誤差、電路閉鎖或元件燒毀。SEE中的單粒子翻轉會導致電路節點的邏輯狀態發生翻轉。

劑量率效應是由甚高速率的γ或Ｘ射線，在極短時間內作用于電路，并在整個電路內產生光電流引發的，可導致閉鎖、燒毀和軌電壓坍塌等破壞。上述情況都會導致芯片損毀。

正是因此，商業級、工業級、軍品級、宇航級CPU有著不同標準。由于各種測試非常多，數據指標也非常細，這里僅就工作溫度做羅列：

商業級CPU的工作溫度為0℃～70℃。

工業級CPU的工作溫度為-40℃～85℃。

軍品級CPU的工作溫度為-55℃～125℃。

宇航級CPU不僅在工作溫度上有著不亞于軍品級CPU的水準，而且還有抗輻射等方面的要求。

如何做到抗輻射

對于應對高溫和低溫，主要是將電路的時序冗余加大，并降低功耗。本文重點說說如何實現抗輻射。有人說，抗輻射技術不就是給芯片加一個抗輻射封裝么？這有什么難的。

其實封裝對芯片的保護是有限的，高能粒子流可以打穿芯片的封裝材料，進入芯片內部對芯片造成破壞。

抗輻射加固主要有設計和工藝兩種加固技術，或者根據需要組合使用這兩種技術。

從廣義上講，抗輻射加固設計包括材料設計、系統設計、結構設計、電路設計、器件設計、封裝設計、軟件設計等。從狹義上講，一般是指采用電路設計和版圖設計減輕電離輻射破壞的方法。

工藝加固是用特殊的工藝進行抗輻射加固的技術。工藝步驟可以是制造商或軍方專有的，也可以是以加固為目的將特殊的工藝步驟加入到標準制造商的晶圓制造工藝中去。抗輻射加固工藝技術具有高度的專業化屬性和很高的復雜性。

從系統、結構、電路、器件級的設計技術方面進行抗輻射加固設計可以采用以下方式進行抗輻射加固設計：

一是采用多級別冗余的方法減輕輻射破壞，這些級別分為元件級、板級、系統級和飛行器級。

二是采用冗余或加倍結構元件（如三模塊冗余）的邏輯電路設計方法，即投票電路根據最少兩位的投票確定輸出邏輯。

三是采用電路設計和版圖設計以減輕電離輻射破壞的方法。即采用隔離、補償或校正、去耦等電路技術，以及摻雜阱和隔離槽芯片布局設計；

四是加入誤差檢測和校正電路，或者自修復和自重構功能；

五是采用電路設計和版圖設計以減輕電離輻射破壞的方法。即采用隔離、補償或校正、去耦等電路技術，以及摻雜阱和隔離槽芯片布局設計。

此外，使用加固模擬／混合信號IP技術和SIGE加固設計技術也是提升芯片抗輻射能力的有效途徑。

抗輻射芯片加固專用工藝越來越多地與加固設計結合使用。因為抗輻射加固工藝技術具有非常高的專業化屬性和高復雜性，因此只有少數幾個廠家能夠掌握該項技術。例如，單粒子加固的SOI工藝和SOS工藝，總劑量加固的小幾何尺寸CMOS工藝，IBM的45nm SOI工藝，Honeywell的50nm工藝，以及BAE外延CMOS工藝等。