近年來電子信息系統的迅速發展，向體積小型化、高性能化、低價格化傾向。印制電路板的高密度化、薄型化、高速化、低成本化的要求越來越迫切。為此，要制作高密度的電路圖形，就需要具有高分辯率的光敏抗蝕劑。研制與開發新的高性能的光敏抗蝕劑擺在印制電路工作者的面前，從目前微電子封裝技術發展趨勢分析，高精端的電子產品的載體制造技術會在2010年（class A）出現L/S=10/10μm，而（class C）L/S=45/50μm規格。

　　在抗蝕蝕刻液方面干膜成為主流（以下稱DFR）適用一般的需要，高密度化、低成本化，適用基板擴大要求的中，以曝光方式制作電路圖形新的抗蝕劑提出，如：電泳使用的液態抗蝕劑、電鍍使用的DFR的薄膜型引起市埸的注意。

　　光敏抗蝕劑的涂布方法，按反應的形態分類（見圖1）：

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　　 ⑴ 電泳抗蝕劑

　　1．電泳涂布光敏抗蝕劑模式
　　電泳時，被涂物（印制電路板）與極板同時浸漬在高分子電解質溶液內，通過電壓（直流電流）高分子電解質就在被涂物表面析出。

　　陰離子型電泳抗蝕劑情況下，陽極上的被涂物（PCB）與陰極上的極板連接通電，陽極發生水的電解，于是電解質的溶液的Ph值發生變化，添加中和劑，使胺化合物脫離，抗蝕劑在被涂物析出陰離子型電泳抗蝕劑結構圖（見圖2）：

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　　 2.電泳抗蝕劑的化學反應：

　　根據電泳抗蝕劑紫外光照射部位，經過顯影時膜不溶解為負性型（陰極型）和經過紫外光照射的部位，顯影液顯影時不溶解為正性型（即陽極型）。負性型電泳抗蝕劑，易在堿性溶液中溶解，電解質的組成羧基含有不飽和樹脂、中和劑、不飽和單體、光引發劑等為主要成份的負性型電泳抗蝕劑。紫外光照射部位（即曝光）的不飽和基的原子團聚合產生高分子量化（即架橋反應），而非照射部位（未曝光部位）的比較，堿性溶解性能變低，就是利用溶解性能的差別而形電路圖形。

　　正性型電泳抗蝕劑的樹脂含有與負性型相同的羧基，而感光劑為重氮化合物（以下稱DNQ）。當紫外光照射DNQ時，經過茚羧基酸，樹脂被堿性溶解性提高，一般正性型電泳抗蝕劑，經過曝光和未曝光部位的溶解度差，利用DNQ光化反應，產生的架橋反應與負性型電泳抗蝕劑比較溶解度要小。但是，抗蝕膜硬、脆，很容易在顯影、蝕刻時電路圖形劃傷產生，所以要嚴格控制其工藝過程。

　　在工藝過程中增加曝光后進行加熱風干（Post Exposure Bake：以下稱PEB），未曝光部位產生架橋反應的PEB型正性型電泳抗蝕劑的開發。PEB型正性型電泳抗蝕劑的利用DNQ與茚羧基酸和水酸基反應性，使未曝光部位的DNQ與水酸基而產生架橋反應，而曝光部位的DNQ的茚羧基酸、水酸基反應經過高分子化其溶解度不發生變化。

　　⑵ 液態抗蝕劑：

　　1． 抗蝕劑的組成和反應形態
液態抗蝕劑種類很多，其中負性型抗蝕劑的組成與DFR相類似（見圖3）：
　　液態光敏抗蝕劑

　　 2．液態抗蝕劑的涂布方法：

　　涂布方法根據生產量的特點，最好采用最簡便可操作性好的、小型化工藝裝備，而且兩面同時進行涂布。
　　⑶ DFR

　　1．負性型DFR:：

　　負性型DFR抗蝕劑的厚度為20-50微米，是多數常規工藝采用的抗蝕劑。由于對解像度的要求，使常規使用的DFR厚度減薄。最近試用的DFR抗蝕劑的厚度達到7微米，其解像度達到L/S=6/6微米報告。

　　并且內部的導通孔確保抗張強度，抗蝕劑厚度在30微米以上，用于常規工藝，但其解像度不如電泳涂布抗蝕劑和液態抗蝕劑（見表1）：

　　 導體圖形的工藝方法很多，從實用化來看各有所長和所短。為此，要選擇用圖形成工藝方法時，就必須從導體圖形的技術要求出發，選擇更具有適用性的抗蝕劑。

　　2．正性型DFR：

　　從前所使用的DNQ的感光劑用于正性型DFR進行試驗，光聚合后的膜層具有高的抗蝕性能，高的抗張強度與附著力。但膜層硬而脆的質量普遍存在。

　　今介紹的正性型DFR是液態狀抗蝕劑，它具有高的解像度和高的作業效率，成為新的抗蝕液刻液的抗蝕劑。所形成的膜層厚度達到10微米，抗張強度也很高。羧基、苯酚基水酸基和在堿性可溶性基為基體樹脂，多官能乙烯醚化合物、光酸發生劑為主要成份。當抗蝕劑的成膜時是堿性可溶成基和多官能乙烯醚起反應，生成保護結構，顯影時不溶于堿性溶液內。

　　紫外光照射，光酸發生劑分解產生，PEB選擇性架橋結構被切斷，再進行顯影時在堿性溶液內發生溶解。（見表2）：

　　⑶ 曝光技術方向性和抗蝕劑技術的展望

　　潛像的形成主要靠抗蝕劑光敏性，并在一次曝光機內形成，超高密度印制電路板制造就會發生處理的伸縮采用的對策就是采用計數補正機能投影分割曝光機，適用于低成本。短周期。多品種小批量的生產需要。光敏抗蝕劑不采用曝光法而采用激光直接成像法（以下稱LDI）。

　　1．氬離子激光用于光敏抗蝕劑

　　LDI系統使用光敏抗蝕劑的組成，與負性型中液態的組成相似。使用時要特別注重所用激光波長對感度的影響民必要的。

　　氬離子激光波長為488納米，適用于LDI系統所采用的光敏抗蝕劑，其感光區域長，波長漂移，高感度化的目的，基體樹脂以及光引發劑、增感色素系的開發和上市。經過LDI成像導線寬度達到L/S=40/20微米、30/30微米。

　　2.YAG-SHG激光用光敏抗蝕劑

　　它所使用的光敏抗蝕劑（glass blanks ：CrOx=30nm/Cr =70nm）制作使用液態抗蝕劑的報告中，兩種不同類型的不飽和氨酯樹脂使用，達到高感度曝光量50-100j/m2（見圖4）：
涂覆 2μm 旋轉涂覆