摘要:介紹了一種有源箝位Flyback變換器ZVS實現方法,并對其軟開關參數重新設計。該方案不但能實現主輔開關管的ZVS,限制輸出整流二極管關斷時的di/dt,減小整流二極管的開關損耗,同時也有效地降低了開關管的電壓應力。 關鍵詞:零電壓開關;電流反向;有源箝位
??? Flyback變換器由于其電路簡單,在小功率場合被普遍采用。但是,由于變壓器漏感的存在,引起開關管上過高的電壓應力。普通的RCD嵌位Flyback變換器其漏感能量消耗在嵌位電阻R上,開關管上電壓應力的大小取決于消耗在嵌位電阻上能量的大小。消耗在嵌位電阻上的能量越多,開關管的電壓應力就越低,但也影響了整個變換器的效率,因此,普通的RCD嵌位Flyback變換器總存在著開關管電壓應力與整個變換器效率之間的矛盾。 ??? 輕小化是目前電源產品追求的目標。而提高開關頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是,開關頻率提高的瓶頸是開關器件的開關損耗,于是軟開關技術就應運而生。一般,要實現比較理想的軟開關效果,都需要有一個或一個以上的輔助開關為主開關創造軟開關的條件,同時希望輔助開關本身也能實現軟開關。 ??? 本文介紹的一種有源嵌位Flyback軟開關電路,不但能實現ZVS,而且也解決了前述的普通RCD嵌位Flyback變換器中存在的問題。 1??? 工作原理 ??? 電路如圖1所示,其兩個開關S1及S2互補導通,中間有一定的死區以防止共態導通。變壓器激磁電感Lm設計得較大,使電路工作在電流連續模式(CCM),如圖2的iLm波形所示。而電感Lr設計得較小(Lr<<Lm),使流過Lr的電流在一個周期內可以反向,如圖2的iLr波形所示。考慮到開關的結電容以及死區時間,一個周期可以分為8個階段,各個階段的等效電路如圖3所示。其工作原理如下。
圖1??? 有源箝位Flyback變換器
圖2??? 主要工作波形
(a)Stage1[t0,t1]??? (b)Stage2[t1,t2]??? (c)Stage3[t2,t3]
(d)Stage4[t3,t4]??? (e)Stage5[t4,t5]??? (f)Stage6[t5,t6]
(g)Stage7[t6,t7]??? (h)Stage8[t7,t8] 圖3??? 各階段等效電路 ??? 1)階段1〔t0,t1〕??? 該階段S1導通,Lm與Lr串聯承受輸入電壓,流過Lm及Lr的電流線性上升。 ??? V2=Vin(1) 由于Lr<<Lm,所以式(1)可簡化為 ??? V2≈Vin(2) ??? 2)階段2〔t1,t2〕??? t1時刻S1關斷,Lm及Lr上的電流給S1的輸出結電容Cr1充電,同時使S2的輸出結電容Cr2放電。t2時刻S2的漏源電壓下降到零,該階段結束。 ??? 3)階段3〔t2,t3〕??? 當S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導通,將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態。Lr和Lm串聯與嵌位電容Cclamp諧振,Cclamp上電壓vc緩慢上升,v2上電壓也緩慢上升。 ??? v2=vc(3) ??? 4)階段4〔t3,t4〕??? t3時刻S2的門極變為高電平,S2零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經S2。此時間段依然維持Lr和Lm串聯與嵌位電容Cclamp諧振,v2緩慢上升。 ??? 5)階段5〔t4,t5〕??? t4時刻v2上升到一定的電壓使副邊二極管D導通,v2被嵌位在-NVo。Lr與Cclamp諧振。在保證t5時刻Lr電流反向的情況下,其諧振周期應該滿足 ??? (4) 式中:toff為主開關管S1一個周期內的關斷時間。 ??? t5時刻S2關斷,該階段結束。 ??? 6)階段6〔t5,t6〕??? t5時刻Lr上的電流方向為負,此電流一部分使S1的輸出結電容Cr1放電,另一部分對S2的輸出結電容Cr2充電。t6時刻S1的漏源電壓下降到零,該階段結束。 ??? 7)階段7〔t6,t7〕??? 當S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態,也就為S1的零電壓導通創造了條件。此時,Lr上的承受電壓v1為 ??? v1=Vin+NVo(5) ??? Lr上電流快速上升。流過副邊整流二極管D電流iD則快速下降。 ??? =-N(6) ??? 考慮到Lr<<Lm,式(6)可簡化為 ??? =-N(7) ??? 8)階段8〔t7,t8〕??? t7時刻S1的門極變為高電平,S1零電壓開通,流過寄生二極管的電流流經S1。t8時刻副邊整流二極管D電流下降到零,D自然關斷,電路開始進入下一個周期。 ??? 可以看到,在這種方案下,兩個開關S1和S2實現了零電壓開通,二極管D自然關斷。 2??? 軟開關的參數設計 ??? 假定電路工作在CCM狀態。由于S2的軟開關實現是Lr與Lm聯合對Cr1及Cr2充放電,而S1的軟開關實現是單獨的Lr對Cr1及Cr2充放電。因此,S2的軟開關實現比較容易,而S1的軟開關實現相對來說要難得多。所以,在參數設計中,關鍵是要考慮S1的軟開關條件。 ??? 電流連續模式有源嵌位Flyback變換器ZVS設計步驟如下所述。 2.1??? 變壓器激磁電感Lm的設定 ??? 由于Lr的存在,變換器的有效占空比Deff(根據激磁電感Lm的充放電時間定義,見圖2)要小于S1的占空比D,但是由于t5~t8時刻iLr的上升速度非常的快,所以可近似地認為Deff=D。這樣,根據Flyback電路工作在CCM條件,則 ??? Lm>=?(8) 式中:η為變換器效率; ????? fs為開關頻率; ????? PoCCM為變換器的輸出功率。 ??? 在實際設計中,為了保證電路在輕載時也能工作在電流連續模式,Lm一般取為 ??? Lm=(9) 2.2??? 電感Lr的設定 ??? 為了實現S1的ZVS,t5時刻儲存在Lr內的能量足以令S1的輸出結電容Cr1放電到零,同時使S2的輸出結電容Cr2充電到最大。即 ??? LriLrmin2>=Cr1vds12+Cr2vds22(10) 則有 ??? Lr>=?(11) 式中:vds=vds1=vds2≈Vin+NVo; ????? Cr=Cr1+Cr2。 根據式(4)取定合適的諧振周期可以令 ??? iLrmin≈iLrmax=iLrmmax≈+(12) 代入式(11)得 ??? Lr>=?(13) 2.3??? 電容Cclamp的設定 ??? 根據式(4)有 ??? π<<(1-D)T(14) 化解得???? ??? <<Cclamp(15) 在滿足式(15)的前提下,取定合適的Cclamp令iLrmax=iLrmin。 2.4??? 死區時間的確定 ??? 為了實現S1的ZVS,必須保證在t6到t7時間內,S1開始導通。否則Lr上電流反向,重新對Cr1充電,這樣S1的ZVS條件就會丟失。因此,S2關斷后、S1開通前的死區時間設定對S1的ZVS實現至關重要。合適的死區時間為電感Lr與S1及S2的輸出結電容諧振周期的1/4,即 ??? tdead1=(16) ??? 嚴格地講,開關管輸出結電容是所受電壓的函數,為方便起見,在此假設Cr1與Cr2恒定。 2.5??? 有效占空比Deff的計算 ??? 有效占空比Deff比開關管S1的占空比D略小。 ??? Deff=D-ΔD(17) ??? ΔDT≈2(18) ??? ΔD≈(19) 代入式(17)得 ??? Deff=D-(20) 2.6??? 開關管電壓應力計算 ??? ≈Vin+NVo+(21) 式(21)中第三項相對來說較小,故開關管的電壓應力接近于Vin+NVo。 3??? 實驗結果 ??? 為了驗證上述ZVS的實現方法,設計了一個實驗電路,其規格及主要參數如下: ??? 輸入電壓Vin??? 48V; ??? 輸出電壓Vo??? 12V; ??? 輸出電流Io??? 0~5A; ??? 工作頻率f??? 100kHz; ??? 主開關S1及S2??? IRF640; ??? 變壓器激磁電感Lm??? 144μH; ??? 變壓器原副邊匝數比n=N??? 8/3; ??? 電感Lr??? 10μH; ??? 電容Cclamp??? 2μF。 ??? 圖4給出的是負載電流Io=2A時的實驗波形。從圖4(e)及圖4(f)可以看到,S1和S2都實現了ZVS。圖5給出了兩種Flyback電路的效率曲線,可以看到,有源嵌位Flyback軟開關電路有效地提升了變換器的效率。 (a)??? 流過開關管S1電流??? (b)??? 流過開關管S1電流
(c)??? 流過開關管Lr電流??? (d)??? 流過副邊二極管D電流
(e)??? 開關管S1軟開關波形 (f)??? 開關管S2軟開關波形 圖4??? 實驗波形(Io=2A) 圖5??? 效率曲線 4??? 結語 ??? 有源嵌位Flyback軟開關電路在實現主開關及輔助開關ZVS的同時,也實現了輸出整流二極管的自然關斷,因此,有效地減少了開關損耗,提高了變換器效率。另外,它也大大地降低了開關管的電壓應力,這從實驗波形中可以看得比較清楚。 |
一種有源箝位Flyback軟開關電路設計
- Flyback(14805)
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