IGBT的保護 摘要:通過對IGBT損壞機理的分析,根據其損壞的原因,采取相應措施對其進行保護,以保證其安全可靠工作。 關鍵詞:IGBT;MOSFET;驅動;過壓;浪涌;緩沖;過流;過熱;保護
0??? 引言 ??? 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動簡單和快速的優點,又具有雙極型器件容量大的優點,因而,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用。 ??? 在中大功率的開關電源裝置中,IGBT由于其控制驅動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點,已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關電源裝置中,由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下,使得它容易損壞,另外,電源作為系統的前級,由于受電網波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應力更大,故IGBT的可靠性直接關系到電源的可靠性。因而,在選擇IGBT時除了要作降額考慮外,對IGBT的保護設計也是電源設計時需要重點考慮的一個環節。 1??? IGBT的工作原理 ??? IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。 圖1??? IGBT的等效電路 ??? 由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定: ??? ——IGBT柵極與發射極之間的電壓; ??? ——IGBT集電極與發射極之間的電壓; ??? ——流過IGBT集電極-發射極的電流; ??? ——IGBT的結溫。 ??? 如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
??? 在進行電路設計時,應針對影響IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相應的保護措施。 2.1??? IGBT柵極的保護 ??? IGBT的柵極-發射極驅動電壓VGE的保證值為±20V,如果在它的柵極與發射極之間加上超出保證值的電壓,則可能會損壞IGBT,因此,在IGBT的驅動電路中應當設置柵壓限幅電路。另外,若IGBT的柵極與發射極間開路,而在其集電極與發射極之間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于柵極與集電極和發射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極-發射極有電流流過。這時若集電極和發射極間處于高壓狀態時,可能會使IGBT發熱甚至損壞。如果設備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開,在不被察覺的情況下給主電路加上電壓,則IGBT就可能會損壞。為防止此類情況發生,應在IGBT的柵極與發射極間并接一只幾十kΩ的電阻,此電阻應盡量靠近柵極與發射極。如圖2所示。
圖2??? 柵極保護電路 ??? 由于IGBT是功率MOSFET和PNP雙極晶體管的復合體,特別是其柵極為MOS結構,因此除了上述應有的保護之外,就像其他MOS結構器件一樣,IGBT對于靜電壓也是十分敏感的,故而對IGBT進行裝配焊接作業時也必須注意以下事項: ??? ——在需要用手接觸IGBT前,應先將人體上的靜電放電后再進行操作,并盡量不要接觸模塊的驅動端子部分,必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉; ??? ——在焊接作業時,為了防止靜電可能損壞IGBT,焊機一定要可靠地接地。 2.2??? 集電極與發射極間的過壓保護 ??? 過電壓的產生主要有兩種情況,一種是施加到IGBT集電極-發射極間的直流電壓過高,另一種為集電極-發射極上的浪涌電壓過高。 2.2.1??? 直流過電壓 ??? 直流過壓產生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時,進行降額設計;另外,可在檢測出這一過壓時分斷IGBT的輸入,保證IGBT的安全。 2.2.2??? 浪涌電壓的保護 ??? 因為電路中分布電感的存在,加之IGBT的開關速度較高,當IGBT關斷時及與之并接的反向恢復二極管逆向恢復時,就會產生很大的浪涌電壓Ldi/dt,威脅IGBT的安全。 ??? 通常IGBT的浪涌電壓波形如圖3所示。
圖3??? IGBT的浪涌電壓波形 圖中:vCE為IGBT集電極-發射極間的電壓波形; ????? ic為IGBT的集電極電流; ????? Ud為輸入IGBT的直流電壓; ????? VCESP=Ud+Ldic/dt,為浪涌電壓峰值。 ??? 如果VCESP超出IGBT的集電極-發射極間耐壓值VCES,就可能損壞IGBT。解決的辦法主要有: ??? ——在選取IGBT時考慮設計裕量; ??? ——在電路設計時調整IGBT驅動電路的Rg,使di/dt盡可能小; ??? ——盡量將電解電容靠近IGBT安裝,以減小分布電感; ??? ——根據情況加裝緩沖保護電路,旁路高頻浪涌電壓。 ??? 由于緩沖保護電路對IGBT的安全工作起著很重要的作用,在此將緩沖保護電路的類型和特點作一介紹。 ??? ——C緩沖電路??? 如圖4(a)所示,采用薄膜電容,靠近IGBT安裝,其特點是電路簡單,其缺點是由分布電感及緩沖電容構成LC諧振電路,易產生電壓振蕩,而且IGBT開通時集電極電流較大。 ??? ——RC緩沖電路??? 如圖4(b)所示,其特點是適合于斬波電路,但在使用大容量IGBT時,必須使緩沖電阻值增大,否則,開通時集電極電流過大,使IGBT功能受到一定限制。 ??? ——RCD緩沖電路??? 如圖4(c)所示,與RC緩沖電路相比其特點是,增加了緩沖二極管從而使緩沖電阻增大,避開了開通時IGBT功能受阻的問題。
(a)C緩沖電路??? (b)RC緩沖電路
(c)RCD緩沖電路??? (d)放電阻止型緩沖電路 圖4??? 緩沖保護電路 ??? 該緩沖電路中緩沖電阻產生的損耗為 ??? P=LI2f+CUd2f 式中:L為主電路中的分布電感; ????? I為IGBT關斷時的集電極電流; ????? f為IGBT的開關頻率; ????? C為緩沖電容; ????? Ud為直流電壓值。 ??? ——放電阻止型緩沖電路如圖4(d)所示,與RCD緩沖電路相比其特點是,產生的損耗小,適合于高頻開關。 ??? 在該緩沖電路中緩沖電阻上產生的損耗為 ??? P=LI2f ??? 根據實際情況選取適當的緩沖保護電路,抑制關斷浪涌電壓。在進行裝配時,要盡量降低主電路和緩沖電路的分布電感,接線越短越粗越好。 2.3??? 集電極電流過流保護 ??? 對IGBT的過流保護,主要有3種方法。 2.3.1??? 用電阻或電流互感器檢測過流進行保護 ??? 如圖5(a)及圖5(b)所示,可以用電阻或電流互感器與IGBT串聯,檢測流過IGBT集電極的電流。當有過流情況發生時,控制執行機構斷開IGBT的輸入,達到保護IGBT的目的。 2.3.2??? 由IGBT的VCE(sat)檢測過流進行保護 ??? 如圖5(c)所示,因VCE(sat)=IcRCE(sat),當Ic增大時,VCE(sat)也隨之增大,若柵極電壓為高電平,而VCE為高,則此時就有過流情況發生,此時與門輸出高電平,將過流信號輸出,控制執行機構斷開IGBT的輸入,保護IGBT。 2.3.3??? 檢測負載電流進行保護 ??? 此方法與圖5(a)中的檢測方法基本相同,但圖5(a)屬直接法,此屬間接法,如圖5(d)所示。若負載短路或負載電流加大時,也可能使前級的IGBT的集電極電流增大,導致IGBT損壞。由負載處(或IGBT的后一級電路)檢測到異常后,控制執行機構切斷IGBT的輸入,達到保護的目的。
(a)用電阻檢測過流??? (b)用電流互感器檢測過流
(c)由VCE(sat)檢測過流??? (d)通過負載電流檢測過流 圖5??? 集電極過流保護電路 2.4??? 過熱保護 ??? 一般情況下流過IGBT的電流較大,開關頻率較高,故而器件的損耗也比較大,如果熱量不能及時散掉,使得器件的結溫Tj超過Tjmax,則IGBT可能損壞。 ??? IGBT的功耗包括穩態功耗和動態動耗,其動態功耗又包括開通功耗和關斷功耗。在進行熱設計時,不僅要保證其在正常工作時能夠充分散熱,而且還要保證其在發生短時過載時,IGBT的結溫也不超過Tjmax。 ??? 當然,受設備的體積和重量等的限制以及性價比的考慮,散熱系統也不可能無限制地擴大。可在靠近IGBT處加裝一溫度繼電器等,檢測IGBT的工作溫度。控制執行機構在發生異常時切斷IGBT的輸入,保護其安全。 ??? 除此之外,將IGBT往散熱器上安裝固定時應注意以下事項: ??? ——由于熱阻隨IGBT安裝位置的不同而不同,因此,若在散熱器上僅安裝一個IGBT時,應將其安裝在正中間,以便使得熱阻最小;當要安裝幾個IGBT時,應根據每個IGBT的發熱情況留出相應的空間; ??? ——使用帶紋路的散熱器時,應將IGBT較寬的方向順著散熱器的紋路,以減少散熱器的變形; ??? ——散熱器的安裝表面光潔度應≤10μm,如果散熱器的表面不平,將大大增加散熱器與器件的接觸熱阻,甚至在IGBT的管芯和管殼之間的襯底上產生很大的張力,損壞IGBT的絕緣層; ??? ——為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與 ??? IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。 3??? 結語 ??? 在應用IGBT時應根據實際情況,采取相應的保護措施。只要在過壓、過流、過熱等幾個方面都采取有效的保護措施后,在實際應用中均能夠取得良好的效果,保證IGBT安全可靠地工作。 |
IGBT的保護
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2018-08-29 15:10:42
逆變弧焊機的可靠性與IGBT保護若干問題探討
針對IGBT逆變弧焊機可靠性問題討論,提出了采用電流型PWM控制電路逐個脈沖進行檢測的控制方法。試驗結果表明:該控制方法具有控制線路簡單,可靠性高的特點。IGBT逆變焊機
2009-07-03 15:49:1964
交流逆變器中IGBT的驅動與保護
系統介紹逆變器中IGBT 的驅動與保護技術, 給出了IGBT 對驅動電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅動電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護等措施。這些措施實
2010-10-13 15:45:2884
igbt工作原理及應用
igbt工作原理及應用
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811134
由IXDN404組成的IGBT保護與驅動電路
圖2為IXDN404組成的IGBT實用驅動與保護電路,該電路可驅動1200V/100A的IGBT,驅動電路信號延遲時間不超過150ns,所以開關頻率圖2由IXDN404組成的IGBT保護與驅動電路圖1IXDN404電路原理圖可
2009-06-30 20:33:491767
IGBT保護電路的設計方法
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-08-23 14:11:44281
IGBT保護電路
2012-02-29 20:36:5362
IGBT的保護問題_魏煒_20111113_Rev02
2015-06-11 16:41:4658
如何降低三相IGBT逆變器設計系統成本
(PWM)控制輸出電壓。 三相逆變器還使用6個隔離式柵極驅動器驅動IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅動器,三相逆變器還含有直流母線電壓感應、逆變器電流感應與過熱、過載和接地故障等IGBT保護。 在暖通空調、太陽能泵等許多終端應用中,平衡成本與
2017-04-26 11:43:00541
脈沖變壓器怎樣組成IGBT驅動?快速檢查IGBT元器件損壞的方法
IGBT元件往往采用多并聯形式,因此如果某個IGBT元件發生故障,將會導致并聯回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測方法中或多或少存在著一些無法避免的缺點,因此需要一種新的快速檢測法來滿足滿足IGBT保護的實際要求。
2017-05-24 10:49:2510502
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的保護
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障,這些保護是確保如電機驅動以及
2017-09-12 11:00:4018
觸摸式電磁爐整體方案解析
有頻率為20-50KHz的電流流過,勵磁線圈產生高頻磁場,若有鐵鍋置于爐面上,則鍋底產生渦流,渦流克服鍋內阻而轉換成熱能。 由于電磁爐是采用這種磁場感應電流的加熱原理,它的關鍵元器件是大功率IGBT高速交替開關,IGBT的保護是電磁爐的重點
2017-10-16 16:55:254
IGBT保護電路設計必備知識及相關問題分析
本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題,并從實際應用中總結出各種保護方法,這些方法實用性強,保護效果好,是IGBT保護電路設計必備知識。 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種
2017-12-04 09:15:042946
電力電子系統中驅動器對IGBT保護的分析
如果短路發生在負載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場上的IGBT模塊只能防短路很短的時間。為了防止IGBT被熱負荷摧毀,在安全時間內檢測到短路并且可靠地關斷IGBT是至關重要的。
2018-06-29 15:33:00639
IGBT保護電路的過流保護設計方案解析
,一旦出現意外就會使它損壞。為此,必須但對IGBT進行相關保護。 過流保護 生產廠家對IGBT提供的安全工作區有嚴格的限制條件,且IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒(SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒),耐過流量小,因此使用IGBT首要注意的是
2017-12-10 11:46:3916
各種IGBT驅動電路和IGBT保護方法解析
【導讀】保證 IGBT 的可靠工作,驅動電路起著至關重要的作用,本文討論IGBT驅動電路和IGBT的保護,包括驅動電路 EXB841 /840、 M57959L /M57962L厚膜驅動電路
2017-12-11 10:05:09137
IGBT保護電路設計方法的詳細中文資料說明
一旦發生短路,IGBT的集電極電流增加到超過既定值,則C-E間的電壓急劇增加。根據這種特性,可以將短路時的集電極電流控制在一定的數值以下,但是在IGBT上仍然有外加的高電壓、大電流的大負荷,必須
2018-06-20 08:00:0040
IGBT設計使用指南(芯片資料+電路實例+multisim仿真)
本資料的主要內容詳細介紹了IGBT相關使用指南,包括用于IGBT驅動的集成 芯片 TLP250、EXB8..Series等芯片的結構簡圖,典型特征和使用方法;IGBT保護 電路 的應用實例和設計方法
2019-04-11 16:49:44101
IGBT保護電路缺陷的解決方案
IGBT失效場合:來自系統內部,如電力系統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統外部,如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底,IGBT失效主要是由集電極和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
2019-09-02 09:40:324439
使用隔離放大器實現高成本效益的充分IGBT保護方案
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障,這些保護是確保如電機驅動以及
2021-03-15 15:11:162460
ACPL-336J光耦隔離驅動應用筆記
說ACPL-336J是光耦隔離驅動的祖先,其實是徹底錯誤的,因為在它之前AVAGO還有很多歌版本。但是如果說它的生父AVAGO公司是光耦隔離驅動的祖先應該是沒錯的。 中功率小功率的IGBT保護與驅動,用ACPL-336J再好不過了,如果不是特別特別摳成本的話。...
2021-11-09 15:51:0075
功率器件測試儀系統 & 能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測類”等品類的繁多的電子元器件。高壓
2021-12-22 18:56:3220
半導體分立器件靜態參數測試系統 & DCT1401 天光測控
/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測類
2021-12-22 18:56:4315
IGBT保護技術在光伏逆變器的應用
光伏逆變器是光伏系統非常重要的一個設備,主要作用是把光伏組件發出來的直流電變成交流電,除此之外,逆變器還承擔檢測組件、電網、電纜運行狀態,和外界通信交流,系統安全管家等重要功能。一款全新逆變器的產出需要兩年多的時間,前期需要投入大量的人力和物力去研發和測試。
2022-03-31 15:06:593006
IGBT保護的問題:短路保護和過流保護
電流傳感器檢測主要采用閉環霍爾電流傳感器進行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據IGBT的功率E級和驅動E級之間的寄生電感來判斷電流的大小,而此電感參數并不容易測量。
2022-09-05 10:00:492209
半導體功率器件靜態參數測試儀系統介紹
(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測
類”等品類的繁多的電子元器件。
高壓源標配
2023-02-15 15:47:180
IGBT的使用與保護
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關斷時間已經縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現象得到改善,安全工作區(SOA)擴大。這些優越的性能使得IGBT 稱為大功率開關電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。
2023-02-16 15:02:081798
IGBT的短路保護和過流保護
IGBT保護的問題 現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內短路
2023-02-23 09:57:0015
DCT1401晶體管測試儀系統
/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測
類”等品類的繁多的電子元器件。
2023-02-24 10:02:543
DCT1401晶體管靜態參數測試儀系統
)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測
類”等品類的繁多的電子元器件。
2023-02-24 09:58:000
DCT1401晶體管圖示儀
/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測
類”等品類的繁多的電子元器件。
2023-02-24 10:01:210
DCT1401分立器件測試儀系統
/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on))。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類,包括“二極管類”“三極管類(如BJT、MOSFET、IGBT)”“保護類器件”“穩壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監測
類”等品類的繁多的電子元器件。
2023-02-24 09:46:510
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