8050的情況下，補(bǔ)碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動(dòng)力，并允許在用戶端實(shí)現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
其他的旁路存在，則漏電保護(hù)開關(guān)不起漏電保護(hù)作用，人體照樣觸電。② 不可用火線對火線短路的辦法檢查漏電保護(hù)開關(guān)，否則會(huì)直接造成線路相間短路，損壞漏電保護(hù)開關(guān)。圖8-7 晶體管三相漏電保護(hù)開關(guān)電路原作者：電子工程師小李
2023-02-03 16:52:22
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)到EDVAC，這些計(jì)算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關(guān)特性實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制的計(jì)算。然而電子管元件有許多明顯的缺點(diǎn)。例如，在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定義如圖Z0213。 hie、hre、hfe、hoe 這4個(gè)參數(shù)稱為晶體管的等效h 參數(shù)，它們的物理意義為： hie稱為輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，簡稱輸入電阻。它反映輸出電
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)： （1）電壓的參考極性為上正下負(fù)，電流的參考正方向是流入為正
2021-05-25 07:25:25
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
放大電路中使用的達(dá)林頓管，可以選用不帶保護(hù)電路的中、小功率普通達(dá)林頓晶體管。而音頻功率輸出、電源調(diào)整等電路中使用的達(dá)林頓管，可選用大功率、大電流型普通達(dá)林頓晶體管或帶保護(hù)電路的大功率達(dá)林頓晶體管
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
）。 圖3.雙柵鰭式場效應(yīng)晶體管 三柵極表示折疊在鰭片三面上的單個(gè)柵極電極。三柵極中翅片上方的電場不受抑制，柵極從三個(gè)側(cè)面施加控制（圖4）。 圖4.三柵鰭式場效應(yīng)晶體管 第三個(gè)柵極增加了工藝
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
; 簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能 今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率晶體管，稱之為“非集中保護(hù)” (和集中保護(hù)對照)。集成
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
，怎樣實(shí)現(xiàn)高速寬頻帶化等等徹底進(jìn)行驗(yàn)證。而且公開了利用單個(gè)晶體管可優(yōu)于運(yùn)算放大器IC性能的放大器設(shè)計(jì)技術(shù)，同時(shí)介紹電路模擬器在電路設(shè)計(jì)上的有效利用方法。可是在強(qiáng)大的理論知識(shí)也抵不過一次動(dòng)手實(shí)踐的經(jīng)驗(yàn)。而我
2016-08-19 14:28:29
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
端工作，因此很容易實(shí)現(xiàn)電子控制或電氣同步。光電晶體管中使用的材料通常是GaAs，主要分為雙極光電晶體管、場效應(yīng)光電晶體管及其相關(guān)器件。雙極光電晶體管通常具有高增益，但不會(huì)太快。對于
2023-02-03 09:36:05
是降低電子導(dǎo)帶的一種有效方法。我們在這方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了離子注入技術(shù)以形成高摻雜的AlGaN/GaN區(qū)域，并在GaN晶體管中實(shí)現(xiàn)了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開發(fā)出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
晶體管由具有低供體雜質(zhì)摻雜濃度的n型半導(dǎo)體材料制成。發(fā)射器摻雜的受體雜質(zhì)濃度高于集電極，收集物摻雜的濃度低于發(fā)射器。BE結(jié)通過向基極施加較低的電位來
實(shí)現(xiàn)正向偏置，而BC結(jié)通過向集電極施加相當(dāng)?shù)偷碾妷?/div>
2023-02-03 09:50:59
的輸入阻抗。 晶體管通常遵循與單個(gè)晶體管相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，但有一些限制。它需要更高的基極發(fā)射極電壓才能導(dǎo)通，通常是單個(gè)晶體管的兩倍。它的關(guān)斷時(shí)間要長得多，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基極電流不能主動(dòng)關(guān)斷。通過在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械谌S度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，則分析時(shí)則按照單獨(dú)的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側(cè)全部短起來當(dāng)作一個(gè)晶體管，那么此時(shí)的關(guān)系可以看作一個(gè)或門的關(guān)系，只要有一路導(dǎo)通，則晶體管就實(shí)現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域。 圖1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高，功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。
2019-06-27 09:06:59
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
先生，我已將一個(gè)晶體管連接到另一個(gè)晶體管。如何實(shí)現(xiàn)兩個(gè)晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個(gè)ATF54143晶體管，并在一個(gè)晶體管X2（如圖所示）Vds = 3v（電壓差為
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級側(cè)電流ILr由次級側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2021-01-25 06:43:37
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
穩(wěn)壓管限流保護(hù)電路和晶體管限流保護(hù)電路
2009-12-13 18:57:04
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
控制電路。有了前面的這些基礎(chǔ)，下面再加入一個(gè)新的電路需求，用晶體管實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)電路。感興趣的同學(xué)可以先不要往下看，自己在腦海中想一想，看看有沒有火花迸出來。圖2一個(gè)PNP、NPN控制負(fù)載圖3《電子學(xué)
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
： 1、反向二極管保護(hù) 圖一 如圖一示，二極管的作用是當(dāng)晶體管的集電極電壓突然變負(fù)時(shí)提供電流通路，使晶體管旁路。這種二極管可以防止晶體管反向?qū)ǘ鴵p壞。由于開關(guān)晶體管dv/dt非常高，用作保護(hù)
2020-11-26 17:26:39
使用晶體管的短路開關(guān)電路圖
2009-08-15 17:45:24
1066 
含指示燈的短路保護(hù)電路
短路保護(hù)電路是利用一個(gè)晶體管來采樣輸出電壓，根據(jù)輸出電壓在短路前后的狀態(tài)變化判斷是否發(fā)生短路，從而實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
2009-12-10 08:27:194728 
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