確定一次側電感

　　選擇一次側和二次側電感有幾個標準。

　　第一，選擇可確保從滿載到某些最小負載均在連續模式執行的一次側電感。

　　第二，透過確定最大二次側紋波電流來運算一次側和二次側電感。

　　第叁，運算一次側電感，以保持盡可能高的右半平面零點（RHP），因而大幅地提高閉環穿越頻率。

　　實際上，第一個標準只用于特殊情況，而選擇的磁化電感可作為變壓器尺寸、峰值電流和RHP零點之間的最佳折衷。

　　為了確定二次側最大紋波電流來計算一次側和二次側電感，可用以下公式計算出二次側電感（）和一次側電感（）：

　　（8）

　　公式中是開關頻率，是允許的二次側紋波電流，通常設置在約為輸出電流有效值的30-50％：

　　（9）

　　那么，等效一次側電感可從以下公式獲得：

　　（10）

　　如前所述，一次側電感和佔空比會影響右半平面零點（RHP）。RHP增加了閉環控制特性的相位滯后，迫使最大穿越頻率不超過RHP頻率的1/4。

　　RHP是佔空比、負載和電感的函數，可引發和增加迴路增益，同時降低迴路相位裕度。通常的做法是確定最差情況的RHPZ頻率，并設置迴路單位增益頻率低于RHPZ的叁分之一。

　　在返馳式拓樸結構中，運算RHPZ的公式是：

　　（11）

　　可以選擇一次側電感來削弱這種不良效果。

　　圖3的曲線顯示一次側電感對一次側和二次側電流和RHP零點的影響：隨著電感的增加紋波電流會減少，因此輸入/輸出紋波電壓和電容器大小也可能減少。但增加的電感增加了變壓器一次側二次側繞組數，同時減少了RHP零點。

　　圖3：典型返馳式設計一次側、二次側紋波電流、RHP零點與一次側電感的關係。

　　一般建議不應使用過大的電感，以免影響整個系統的整體閉環性能和尺寸，以及返馳式變壓器的損耗。上述圖形和公式只在連續導通模式下的返馳式執行才有效。

　　選擇功率開關MOSFET并計算其損耗

　　MOSFET的選擇基于最大應力電壓、最大峰值輸入電流、總功率損耗、最大允許工作溫度，以及驅動器的電流驅動能力。MOSFET的源汲擊穿（Vds）必須大于：

　　（12）

　　MOSFET的連續漏電流（Id）必須大于一次側峰值電流（公式15）。

　　除了最大額定電壓和最大額定電流，MOSFET的其他叁個重要參數是Rds（on）、閘極閾值電壓和閘極電容器。

　　開關MOSFET的損耗有叁種類型，即導通損耗、開關損耗和閘極電荷損耗：

　　導通損耗等于損耗，因此在導通狀態下源極和汲極之間的總電阻要盡可能最低。

　　開關損耗等于：開關時間*Vds*I*頻率。開關時間、上升時間和下降時間是MOSFET閘汲極米勒電荷Qgd、驅動器內部電阻和閾值電壓的函數，最小閘極電壓Vgs（th）有助于電流通過MOSFET的漏源極。

　　閘極電荷損耗是由閘極電容器充電，以及隨后的每個週期對地放電引起的。閘極電荷損耗等于：頻率* Qg（tot）* Vdr

　　不幸的是，電阻最低的元件往往有較高的閘極電容器。

　　開關損耗也會受閘極電容器的影響。如果閘極驅動器對大容量電容器充電，則MOSFET需要時間進行線性區提升，則損耗增加。上升時間越快，開關損耗越低。不幸的是，這將導致高頻噪音。

　　導通損耗不取決于頻率，它還取決于和一次側RMS電流的平方：

　　（13）

　　在連續導通模式下，返馳式執行的一次側電流看來像圖4上部所示的梯形波形。

　　Ib等于一次側峰值電流：

　　Ia是從以上的公式（5）得出的平均電流，減去一半ΔIp電流為：

　　（16）

　　那么開關管的RMS電流可從下式得到：

　　（17）

　　或其迅速接近：