最大電源電壓起動(dòng)

　　在啟動(dòng)期間，還有可能存在最大過壓電源。過壓保護(hù)電路必須在高電壓被傳送至負(fù)載之前喚醒。GATE引腳電壓在C1充電的過程中動(dòng)態(tài)地斜坡上升。電容器C1必須充電至2.55VUVLO1門限，以在OUT引腳電壓超過過壓調(diào)節(jié)點(diǎn)VREG之前接通調(diào)節(jié)放大器和基準(zhǔn)。此類情況有可能把RSS的阻值減小至上述“最小電源電壓啟動(dòng)”中所規(guī)定的最大值以下。RSS中的電流超過了由VSS引腳所供應(yīng)的電流（本質(zhì)上IRIN）時(shí)，電容器C1開始充電。IRIN=IRSS時(shí)VSS引腳上的電壓現(xiàn)在被標(biāo)記為VSS（MATCH）。VSS引腳電壓是一個(gè)位于RIN和RSS之間分壓器的中點(diǎn)電壓（在把VDD至VSS的齊納箝位電壓從電源電壓減去之后）。

　　當(dāng)VIN增加時(shí)，VSS（MATCH）電壓增加。如果匹配電壓超過了過壓調(diào)節(jié)點(diǎn)（VREG），則負(fù)載不受保護(hù)。情況的確如此，因?yàn)镃1在VSS已經(jīng)超過VREG時(shí)仍將需要充電至2.55V。由于OUT引腳電壓至少比VSS高2.55V，因此它超過了規(guī)定的最大值。應(yīng)選擇充分低于VREG（至少要低2.55V）的匹配點(diǎn)（在電源電壓處于最大值的情況下），從而允許C1及時(shí)充電以保護(hù)負(fù)載免遭過壓的損壞。實(shí)際上，使VSS引腳電壓比VREG低7V可為C1的充電提供所需的裕量。

　　VSS（MATCH）（MAX） = VREG–7V

　　增加RSS將提高匹配點(diǎn)，因此確定最大RSS同時(shí)仍然提供針對(duì)過壓的保護(hù)是有益的。采用IRIN=IRSS：

　　采用：

　　RSS = VSS（MATCH）（MAX） = VREG – 7V

　　RIN = VIN – VZ（VDD） – VRSS

　　代入：

　　如果我們保證RSS《RSS（MAX），則下式成立：

　　VSS（MATCH） 《 VSS（MATCH）（MAX）

　　C1負(fù)責(zé)對(duì)充電泵進(jìn)行旁路，且數(shù)值至少必需為0.22F。C1的尺寸也需要加以限制。柵極電容器（CG）決定了最大輸出電容器C1（MAX），以將在OUT電壓超過過壓門限之前充電至2.55VUVLO1門限（VUVLO1）。

　　在大多數(shù)場合中：

　　C1（MAX）=10?CG至100?CG

　　GATE電容器，CG

　　柵極電容器用于實(shí)現(xiàn)三項(xiàng)功能。第一：CG負(fù)責(zé)吸收過壓瞬變期間來自MOSFET柵極至漏極電容的電荷。第二：該電容器還充當(dāng)過壓調(diào)節(jié)放大器的一個(gè)補(bǔ)償組件。用于保證穩(wěn)定性的CG最小值為2nF。最后，CG可設(shè)定GATE和OUT引腳的電壓變化速率。GATE引腳電壓的上升斜率等于20A/CG。該斜率決定了流入負(fù)載電容器的充電電流。

　　CG的額定電壓必須大于調(diào)節(jié)電壓（VREG）。

　　MOSFET的選擇

　　LTC4366驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道MOSFET以傳導(dǎo)負(fù)載電流。MOSFET的重要特性是接通電阻RDS（ON）、最大漏-源極電壓V（BR）DSS、門限電壓和SOA?？扇菰S的最大漏-源極電壓必須高于電源電壓。如果輸出短路到地或者在過壓過程之中，則整個(gè)的電源電壓將出現(xiàn)在MOSFET的兩端。

　　MOSFET的門限電壓在最小電源電壓啟動(dòng)計(jì)算中使用。對(duì)于采用低于12V電源的應(yīng)用，需要一個(gè)邏輯電平MOSFET。如果所用的電源高于12V，則使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)門限N溝道MOSFET就足夠了。

　　MOSFET的SOA必須包含所有的故障狀況。在正常操作中，傳輸晶體管完全導(dǎo)通，因而耗散極少的功率。但在過壓故障期間，GATE引腳電平被維持以通過MOSFET調(diào)節(jié)輸出電壓。大電流與MOSFET兩端的高壓降在這些場合中可以共存。必須將MOSFET的SOA曲線與故障定時(shí)器電容器的選擇一道加以審慎的考慮。

　　布局考慮

　　由于SD、VDD和GATE引腳上具有高阻抗，因此這些引腳對(duì)于至地漏電流很敏感。例如：SD引腳上的至地漏電流若大于1.6A，則將啟動(dòng)停機(jī)狀態(tài)。提供遠(yuǎn)離接地走線的足夠間距并在裸露引腳上添加敷形涂層材料可降低漏電流中斷系統(tǒng)操作的風(fēng)險(xiǎn)。應(yīng)把旁路電容器C1布設(shè)在盡可能靠近OUT和VSS引腳的地方，這一點(diǎn)很重要。將10Ω電阻器安放在盡可能靠近MOSFET柵極引腳之處。這將減少導(dǎo)致MOSFET自激振蕩的寄生走線電容。

　　FB引腳在調(diào)節(jié)環(huán)路閉合時(shí)對(duì)寄生電容很敏感。這種電容性負(fù)載引起的后果之一是在過壓調(diào)節(jié)期間產(chǎn)生輸出振蕩。建議將電阻器RFB1和RFB2布設(shè)在靠近器件引腳的地方，并最大限度地減小FB走線本身的尺寸。