用五款不同的電源，分別測(cè)試它們?cè)陉P(guān)機(jī)狀態(tài)，待機(jī)狀態(tài)，視頻狀態(tài)，玩游戲狀態(tài)以及運(yùn)行Furmark狀態(tài)下的不同功耗表現(xiàn)并記錄。
2020-10-05 11:53:00
1980 
[td]LDO流片回來(lái)后測(cè)試，正常狀態(tài)下輸出VOUT=3.3V，一切特性（環(huán)路穩(wěn)定性，負(fù)載調(diào)整，線性調(diào)整，功耗，PSRR）正常。但在兩種情況下會(huì)偶發(fā)性出現(xiàn)輸出VOUT=4V的異常現(xiàn)象：1.輸出
2021-06-24 06:59:45
的不同點(diǎn)在于，LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)（SoC）。它可用于電流主通道控制，芯片上集成了具有極低線上導(dǎo)通電阻的MOSFET，肖特基二極管、取樣電阻和分壓電阻等硬件電路，并具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)
2016-11-07 17:56:06
LDO因?yàn)楠?dú)特的性能優(yōu)勢(shì)獲得廣泛的應(yīng)用，但不同的應(yīng)用對(duì)LDO的關(guān)鍵特性要求一般不一樣，這里小編從專家觀點(diǎn)文章中整理一些相關(guān)內(nèi)容分享給大家供參考哦： LDO用于數(shù)字負(fù)載：像ADP170
2018-10-19 15:11:53
電源抑制與裕量LDO 電源抑制比(PSRR)與裕量電壓相關(guān)——裕量電壓指輸入與輸出電壓之差。對(duì)于固定裕量電壓，PSRR 隨著負(fù)載電流的提高而降低，大負(fù)載電流和小裕量電壓條件下尤其如此。圖 1 所示為
2018-10-23 17:07:54
我最近在使用AD5791，發(fā)現(xiàn)SPI寫入有誤，并且SDO在寫的狀態(tài)下會(huì)有數(shù)據(jù)出來(lái)，這是為什么？
signaltap的時(shí)序如下：
謝謝！
2023-12-19 06:07:45
如題，AD7794的PSW端在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流有多大？手冊(cè)中好像沒(méi)有提到
2023-12-18 07:16:29
ARM狀態(tài)下的通用寄存器有哪些？ARM狀態(tài)下的程序計(jì)數(shù)器有哪些呢？
2021-10-21 06:47:40
如下圖，PCB的3D狀態(tài)下，怎樣對(duì)板子進(jìn)行翻轉(zhuǎn)操作？ 方法如下：1. 執(zhí)行快捷鍵“VB”，可以實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)板子； 2. 按住鍵盤上的“Shift”鍵再用鼠標(biāo)右鍵可以翻動(dòng)板子。（圖文詳解見(jiàn)附件）
2019-10-19 10:26:08
582M 藍(lán)牙鍵盤項(xiàng)目，藍(lán)牙處于連接狀態(tài)下，我想快速斷開(kāi)當(dāng)前連接，并改地址進(jìn)入廣播狀態(tài)，但藍(lán)牙總進(jìn)入Connected Advertising..，要等好久才會(huì)Advertising..。。在不擦除綁定信息的情況，有什么辦法可以快速進(jìn)入Advertising..嗎？？
2022-08-01 07:34:25
避免在進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)時(shí)影響其他部件，我們需要知道復(fù)位狀態(tài)下每個(gè)引腳的初始狀態(tài)。在哪里找到它？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文To avoid to influence other component
2018-09-21 16:12:54
信號(hào)為低電平時(shí)，我可以讀取 IDCODE。
當(dāng) K20DX128 上電時(shí)，TDO 為全零。
IDCODE只能在復(fù)位狀態(tài)下讀取嗎？
注意：K20DX128 運(yùn)行
2023-04-23 06:46:26
STM32F103芯片復(fù)位狀態(tài)下GPIO引腳狀態(tài)應(yīng)為默認(rèn)值低電平，但是我測(cè)試的時(shí)候發(fā)現(xiàn)在單片機(jī)剛開(kāi)始掉電時(shí)，單片機(jī)的引腳輸出了高電平。因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)考慮單片機(jī)電源應(yīng)比其他電源掉電慢。
2017-02-27 00:06:47
esp-idf 在wifi連接狀態(tài)下，能否設(shè)定2個(gè)靜態(tài)ip？
2023-02-10 07:20:14
三相異步電機(jī)靜止狀態(tài)下參數(shù)辨識(shí)MATLAB仿真模型，實(shí)現(xiàn)對(duì)定子電阻、轉(zhuǎn)子電阻、互感和漏感的辨識(shí)。
2019-08-15 13:16:24
為什么CC1101在sleep狀態(tài)下功耗大？做了一批產(chǎn)品，CC1101搭載STM32，有一部分在sleep狀態(tài)下電流是正常的在5ua，但有的卻達(dá)到20ua，甚至100ua以上。都是同一批料，一塊焊接的。此前從沒(méi)出過(guò)這問(wèn)題。請(qǐng)哪位幫忙解答，謝謝！
2016-03-09 10:48:11
交流跳周模式提高了PFC輕負(fù)載效率
2021-04-06 09:04:35
很奇怪... 在debug狀態(tài)下，音樂(lè)能夠正常播放，但是debug優(yōu)化狀態(tài)和release狀態(tài)下都不能播放成功，而且沒(méi)有聲音，不知道怎么回事，可能是哪方面的原因呢？附上程序：[C] 純文本查看 復(fù)制
2019-03-19 03:47:38
的特定組件，仍然需要為他們提供穩(wěn)壓電壓，以便在關(guān)斷狀態(tài)期間實(shí)現(xiàn)與其他系統(tǒng)塊的通信（即汽車應(yīng)用中的CAN總線收發(fā)器）。不是專門針對(duì)輕負(fù)載效率而設(shè)計(jì)的DC/DC轉(zhuǎn)換器在沒(méi)有負(fù)載的時(shí)候流耗為幾毫安…
2022-11-21 06:14:09
1.如圖HMC1055在圖上可以看出，當(dāng)連通狀態(tài)下RF1連接到RF2，在OFF狀態(tài)下，RF2反射式常開(kāi)，RF1連接電阻電容到地。但是，手冊(cè)上實(shí)際的描述確實(shí)相反的。到底是如何，有實(shí)際用過(guò)的清楚嗎。2.還有連接電阻電容到地，電阻是50歐，電容是多少呢。望解答，不勝感激。
2021-08-24 11:36:09
一個(gè)老問(wèn)題：在變頻器選型時(shí)如何判斷負(fù)載是輕載還是重載？
2023-11-17 07:41:12
本文以TMS320C6711-150 DSK板為例，介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。
2021-04-28 06:41:11
描述此穩(wěn)壓拓?fù)湓O(shè)計(jì)為在輕負(fù)載操作期間通過(guò)禁用轉(zhuǎn)換器并通過(guò)低 Iq LDO 提供經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓，提高直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器的效率。在空載或輕負(fù)載條件下，在禁用直流/直流的同時(shí)，LDO 可實(shí)現(xiàn)低噪聲
2018-08-21 08:03:56
輸出電阻以適應(yīng)次級(jí)點(diǎn)P2被推到更高的頻率下。在小負(fù)載電流狀態(tài)下，P2在較低的頻率，并將R和MP2偏置在更窄的帶寬和更大的電阻以保證其穩(wěn)定性。靜態(tài)偏置電流要盡量小，以保證電路的低功耗。 調(diào)整管的柵極
2018-09-25 14:33:35
以適應(yīng)次級(jí)點(diǎn)P2被推到更高的頻率下。在小負(fù)載電流狀態(tài)下，P2在較低的頻率，并將R和MP2偏置在更窄的帶寬和更大的電阻以保證其穩(wěn)定性。靜態(tài)偏置電流要盡量小，以保證電路的低功耗。調(diào)整管的柵極可設(shè)計(jì)成對(duì)
2011-07-09 16:05:47
的變化來(lái)進(jìn)行偏置。在大負(fù)載電流狀況下，R和MP2能夠偏置更大的電流以展寬電路帶寬，同時(shí)降低輸出電阻以適應(yīng)次級(jí)點(diǎn)P2被推到更高的頻率下。在小負(fù)載電流狀態(tài)下，P2在較低的頻率，并將R和MP2偏置在更窄
2011-04-14 09:52:58
的變化來(lái)進(jìn)行偏置。在大負(fù)載電流狀況下，R和MP2能夠偏置更大的電流以展寬電路帶寬，同時(shí)降低輸出電阻以適應(yīng)次級(jí)點(diǎn)P2被推到更高的頻率下。在小負(fù)載電流狀態(tài)下，P2在較低的頻率，并將R和MP2偏置在更窄
2011-08-29 09:36:09
并聯(lián)的話，多個(gè)負(fù)載間電流差異可能比較大。在網(wǎng)上也查了些資料，大部分是講恒流負(fù)載功率擴(kuò)展并聯(lián)的，但是恒壓負(fù)載并聯(lián)使用的基本沒(méi)找到什么資料？請(qǐng)教高手指點(diǎn)一下，不甚感激！！！
2018-10-11 17:56:37
如何實(shí)現(xiàn)一個(gè)按鍵控制兩個(gè)LED燈在兩個(gè)狀態(tài)下的自由切換？
2021-11-18 06:42:59
初始狀態(tài):k1斷開(kāi)燈泡1亮k2斷開(kāi)燈泡2滅工作狀態(tài):k1閉合燈泡1要求要亮（這個(gè)要怎么實(shí)現(xiàn)）？k2閉合燈泡2亮請(qǐng)問(wèn)這個(gè)對(duì)于新手的我該如何實(shí)現(xiàn)電路工作狀態(tài)下的要求？感謝你們的回答
2022-12-02 17:58:34
狀態(tài)時(shí)需要流耗極低。為了實(shí)現(xiàn)如此低的電流，你可以簡(jiǎn)單地使用一個(gè)與降壓轉(zhuǎn)換器并聯(lián)的低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) ，在系統(tǒng)進(jìn)入輕負(fù)載/無(wú)負(fù)載狀態(tài)時(shí)從電池汲取最少的電流。最終，在系統(tǒng)中延長(zhǎng)電池使用壽命的理想情況
2018-09-12 14:34:48
我們有一個(gè)同步奴隸FIFO設(shè)置和運(yùn)行在40兆赫，與主動(dòng)線程選擇的A0和A1引腳。似乎當(dāng)在復(fù)位狀態(tài)下啟動(dòng)狀態(tài)機(jī)時(shí)，即使地址引腳表示，例如線程2，寫入總是會(huì)轉(zhuǎn)到線程0。但是，一旦PKONCE第一次聲明
2019-04-03 14:09:13
切換回本地狀態(tài)時(shí)，電壓讀數(shù)不斷變化（意味著連續(xù)進(jìn)行測(cè)量），并且統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)保持遞增（直到達(dá)到極限）。我可以使用INIT命令在遠(yuǎn)程狀態(tài)下進(jìn)行一次測(cè)量，但不能像在本地狀態(tài)那樣連續(xù)進(jìn)行測(cè)量。如何啟用連續(xù)測(cè)量并獲得
2019-05-14 11:26:20
1.效率，DC-DC最突出的優(yōu)勢(shì)就是效率高，微安級(jí)輕載高效的DC-DC也已經(jīng)有多個(gè)品牌可選，而LDO的效率大致就是輸出電壓/輸入電壓； 2.負(fù)載電流，LDO適合用在負(fù)載電流小的應(yīng)用場(chǎng)
2021-03-15 11:47:14
一、需求為了降低stm32單片機(jī)在非工作狀態(tài)下的功耗，需要實(shí)現(xiàn)通過(guò)手機(jī)端軟件，tong'g二、硬件電路三、軟件四、實(shí)現(xiàn)效果
2021-12-10 08:16:06
對(duì)LDO輸入和輸出的壓差有何要求？對(duì)LDO的最小負(fù)載電流有何要求？
2021-10-11 06:51:44
前項(xiàng)已經(jīng)說(shuō)明，同步式在輕負(fù)載時(shí)效率會(huì)因反向電流而降低。相信大家都希望難得效率高的同步式在輕負(fù)載時(shí)也能有高效率。尤其是最近，降低待機(jī)功耗已成為一大趨勢(shì)。最輕負(fù)載時(shí)也即供電中電路處于關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)。如果
2018-11-29 14:42:33
本帖最后由 方海波 于 2019-3-27 11:47 編輯
這個(gè)開(kāi)斷和短路的檢測(cè)電路，通過(guò)耗流來(lái)進(jìn)行檢測(cè)的，誰(shuí)來(lái)一起分析一下。開(kāi)路時(shí)Q21應(yīng)該是截止的，LTE_ANT_OPEN作為輸出電平
2019-03-27 10:25:24
（內(nèi)部、外部）、不同模式（活動(dòng)、睡眠、停機(jī)、待機(jī)）的電流消耗，弄清楚在不同低功耗模式下的喚醒方式。【實(shí)驗(yàn)要求】1．編程要求：利用 C 語(yǔ)言，調(diào)用 STM32 的庫(kù)函數(shù)，完成對(duì)各種工作模式的操作。2．實(shí)現(xiàn)功能：測(cè)試不同狀態(tài)下功耗。3．實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象：用萬(wàn)用表測(cè)試電流消耗。【硬件電路】測(cè)試時(shí)電路連接如圖 3-
2021-12-06 07:00:45
由運(yùn)放構(gòu)成的恒流源電路，利于NI模擬工具模擬在沒(méi)有輸入的條件下，MOSFET一直處于微導(dǎo)通狀態(tài)下，這個(gè)是什么問(wèn)題，有沒(méi)有大神幫忙解答一下，謝謝。
2019-02-13 16:34:24
labview中數(shù)值輸入控件在編輯狀態(tài)下雙擊數(shù)值輸入編輯區(qū)，光標(biāo)就能定位在里邊，然后輸入數(shù)據(jù)，我的咋雙擊就變回到程序框圖中對(duì)應(yīng)的輸入控件上了，無(wú)法輸入數(shù)據(jù)，只能在運(yùn)行狀態(tài)下輸入了，求高人指點(diǎn)？
2015-09-13 17:06:53
新手請(qǐng)教：初學(xué)單片機(jī)C語(yǔ)言。有個(gè)小問(wèn)題請(qǐng)教高手！怎么實(shí)現(xiàn)按一個(gè)鍵使一個(gè)數(shù)碼管在兩種狀態(tài)下來(lái)回切換呢？按一下顯示一個(gè)狀態(tài)，再按一下顯示顯示原來(lái)狀態(tài)！我定義了一個(gè)變量，不知道為什么程序運(yùn)行后，能實(shí)現(xiàn)一次切換，切換后就不能要切換到原狀態(tài)了！
2013-06-17 00:04:49
上圖是我仿真的電路圖，在電源疊加交流的狀態(tài)下，由于后端電容的充放電，導(dǎo)致電流超過(guò)閾值。
以至芯片進(jìn)行限流。
而且一旦正向電流開(kāi)始超出閾值，MOSFET的溫度會(huì)快速上升，面對(duì)這種情況只能通過(guò)
2024-01-05 12:34:17
基于單片機(jī)數(shù)控恒流源如何實(shí)現(xiàn)變負(fù)載恒流？
2023-10-28 06:40:27
在labview運(yùn)行狀態(tài)下，如何控制while循環(huán)的開(kāi)啟與停止，既可以多次啟動(dòng)while循環(huán)，也可以多次停止while循環(huán)？
2017-10-19 10:28:40
了解什么是線性電源。線性電源是指調(diào)整管工作在線性狀態(tài)下的直流穩(wěn)壓電源。一般來(lái)說(shuō)，線性穩(wěn)壓電源由調(diào)整管、參考電壓、取樣電路、誤差放大電路等幾個(gè)基本部分組成。另外還可能包括一些例如保護(hù)電路，啟動(dòng)電路等部分，如下
2019-09-17 09:05:03
電阻和線焊電阻，并可通過(guò)LDO 的壓差進(jìn)行估算。例如，采用WLCSP 封裝時(shí)，ADP151在200 mA負(fù)載下的最差情況壓差為200 mW，因此RDSON約為1.0 Ω。圖1 所示為LDO 的原理示意圖
2019-10-18 08:30:00
。為了實(shí)現(xiàn)如此低的電流，您可以輕松地使用低壓差穩(wěn)壓器(LDO)與降壓轉(zhuǎn)換器并聯(lián)，以在系統(tǒng)進(jìn)入輕載/空載狀態(tài)時(shí)實(shí)現(xiàn)電池的最小電流消耗。 最終，延長(zhǎng)系統(tǒng)電池壽命的理想情況是禁用輸入電源中的所有可能設(shè)備
2019-04-05 08:30:00
消耗。為了實(shí)現(xiàn)如此低的電流，您可以輕松地使用低壓差穩(wěn)壓器(LDO)與降壓轉(zhuǎn)換器并聯(lián)，以在系統(tǒng)進(jìn)入輕載/空載狀態(tài)時(shí)實(shí)現(xiàn)電池的最小電流消耗。 最終，延長(zhǎng)系統(tǒng)電池壽命的理想情況是禁用輸入電源中的所有可能設(shè)備
2022-06-27 09:13:27
，期間會(huì)有加速、減速、低速堵轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)等過(guò)程。請(qǐng)幫忙分析電機(jī)在什么狀態(tài)下，會(huì)使電流異常增大，從而電源無(wú)法負(fù)荷，造成低壓復(fù)位。
2016-01-26 14:38:34
的負(fù)載下，LDO自身消耗的電流。LDO的一些特性輸出自放電帶自放電功能的LDO，能盡快泄放輸出電容上的能量，保證LDO盡快關(guān)閉，下次開(kāi)啟是從0電壓。壞處是如果外部有電壓加到或者串到VOUT上，因?yàn)閂OUT
2021-01-22 07:00:00
` 1. 簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān)電源多路輸出一般通過(guò)增加高頻變壓器反饋端來(lái)實(shí)現(xiàn)，這使得開(kāi)關(guān)電源在設(shè)計(jì)過(guò)程中增加了設(shè)計(jì)者的工作量。應(yīng)用LDO作為開(kāi)關(guān)電源的輸出終端，可以極大地簡(jiǎn)化
2019-03-07 11:25:13
MSP430 進(jìn)入低功耗模式。在這種情況下流耗會(huì)下降，如下圖中低功耗模式所示：如果應(yīng)用的大部分時(shí)間都處于這種模式下，那么更高效率的選項(xiàng)通常就是低靜態(tài)電流 LDO。但如果應(yīng)用具有較高的占空比，轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)通常將實(shí)現(xiàn)
2018-09-14 15:17:58
您是否曾經(jīng)應(yīng)要求設(shè)計(jì)過(guò)一種輕負(fù)載狀態(tài)下具有良好負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的電源呢？如果是，并且您還允許電源非連續(xù)，那么您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)控制環(huán)路的增益在輕負(fù)載狀態(tài)下急劇下降。這會(huì)導(dǎo)致較差的瞬態(tài)響應(yīng)，并且需要大量的輸出
2019-05-13 14:11:54
請(qǐng)教一下大神三極管在哪種狀態(tài)下可實(shí)現(xiàn)數(shù)字0與1的轉(zhuǎn)換呢？
2023-03-31 13:59:00
數(shù)據(jù)手冊(cè)上AGC狀態(tài)下通過(guò)調(diào)節(jié)R1R2的值可以調(diào)節(jié)輸出幅度的大小，當(dāng)輸出為0dbm時(shí)，輸入起控電平大約是-23dbm。如果把輸出調(diào)到-5dbm，那么輸入起控電平是不是可以相應(yīng)降低到-30dbm。
2018-08-18 07:44:43
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 11:50 編輯
UART2接收使用uDMA，但是debug時(shí)能接收到數(shù)據(jù)，release狀態(tài)下收不到數(shù)據(jù)
2018-06-11 01:33:20
esp-idf 在wifi連接狀態(tài)下，能否設(shè)定2個(gè)靜態(tài)ip？
2023-03-06 06:16:43
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 17:19 編輯
復(fù)位28335時(shí)，默認(rèn)狀態(tài)下，i/o口的狀態(tài)是高電平還是低電平？
2018-06-11 00:11:51
工頻電機(jī)長(zhǎng)期工作在60HZ狀態(tài)下會(huì)怎么樣？
2023-12-12 06:21:36
喜我在我的項(xiàng)目中使用xc7z020-clg484。早期上電狀態(tài)下IO引腳的狀態(tài)是什么？我期待所有IO引腳都處于高阻態(tài)，直到我在程序中用邏輯低電平或邏輯高電平初始化它？謝謝＆amp;問(wèn)候卡薩拉加內(nèi)什
2020-08-27 08:31:45
我在測(cè)試433MHz模塊的收發(fā)性能的時(shí)候發(fā)現(xiàn)在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下模塊的丟包率非常高有時(shí)候會(huì)達(dá)到50%，在靜止狀態(tài)下接受成功率在99%以上。模塊使用的是SX1278這款芯片，F(xiàn)SK調(diào)制，信號(hào)帶寬為200KHz。想問(wèn)下運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下為什么會(huì)影響丟包率，怎么改善這個(gè)問(wèn)題，那位大神來(lái)解答下
2019-04-16 06:45:14
我在測(cè)試433MHz模塊的收發(fā)性能的時(shí)候發(fā)現(xiàn)在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下模塊的丟包率非常高有時(shí)候會(huì)達(dá)到50%，在靜止狀態(tài)下接受成功率在99%以上。模塊使用的是SX1278這款芯片，F(xiàn)SK調(diào)制，信號(hào)帶寬為200KHz。想問(wèn)下運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下為什么會(huì)影響丟包率，怎么改善這個(gè)問(wèn)題，那位大神來(lái)解答下
2019-02-13 17:00:19
超同步狀態(tài)下，相當(dāng)于定子產(chǎn)生磁場(chǎng)，轉(zhuǎn)子切割磁場(chǎng)產(chǎn)生產(chǎn)生電流通過(guò)轉(zhuǎn)子繞組傳向電網(wǎng)。
2021-07-06 07:26:48
`這種狀態(tài)下怎么退出，除了強(qiáng)制關(guān)機(jī)`
2018-02-23 11:09:40
日前，有一些蘋果用戶反映自己手機(jī)升級(jí)到ios10.3.1之后，發(fā)現(xiàn)鎖屏狀態(tài)下WiFi就自動(dòng)斷開(kāi)了，這是怎么一回事呢？別急，來(lái)和小編一起來(lái)看看解決蘋果ios10.3.1鎖屏狀態(tài)下WiFi自動(dòng)斷開(kāi)的方法吧！
2017-04-06 11:10:1913075 
本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下，MOSFET和三極管的區(qū)別。并對(duì)其中的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過(guò)本篇文章之后能對(duì)著兩種晶體管在ON狀態(tài)下的區(qū)別的有所了解。
2019-01-25 15:02:333853 iPhone 12 Pro在5G狀態(tài)下的續(xù)航時(shí)間也要低于4G，其在開(kāi)啟5G后可持續(xù)使用9小時(shí)6分，在4G狀態(tài)下為11小時(shí)24分，縮短了138分鐘。
2020-10-22 15:43:191849 炮膛真空狀態(tài)下電磁軌道炮性能實(shí)驗(yàn)分析
2021-07-02 15:09:10
17 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LDO的運(yùn)行困境:低裕量和最小負(fù)載.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 09:13:500 的。那么如何解決呢？本文將對(duì)RF模組在Sleep狀態(tài)下如何做到最低功耗進(jìn)行說(shuō)明。RF模組sleep時(shí)RF模組的IO狀態(tài)先要獲知RF模組Sleep時(shí)，RF模組的IO
2024-01-06 08:13:43141 
靜電平衡狀態(tài)下，帶電導(dǎo)體的性質(zhì)涉及電場(chǎng)、電勢(shì)、電荷分布和電勢(shì)能等方面。下面將詳細(xì)介紹靜電平衡狀態(tài)下帶電導(dǎo)體的性質(zhì)。 一、電場(chǎng)分布： 在靜電平衡狀態(tài)下，帶電導(dǎo)體內(nèi)部的電場(chǎng)為零，而在帶電導(dǎo)體外部的電場(chǎng)
2024-02-26 17:23:54247
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