跨時(shí)鐘域路徑分析報(bào)告分析從一個(gè)時(shí)鐘域（源時(shí)鐘）跨越到另一個(gè)時(shí)鐘域（目標(biāo)時(shí)鐘）的時(shí)序路徑。
2020-11-27 11:11:39
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工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)電流和瞬態(tài)過(guò)電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過(guò)沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2022-11-15 09:39:53710 一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和ON→OFF時(shí)的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？確認(rèn)絕對(duì)最大
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表
2012-04-26 17:06:32
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
是交流參數(shù)。 （2） 4個(gè)h參數(shù)都是在Q點(diǎn)的偏導(dǎo)數(shù)，因此，它們都和Q點(diǎn)密切相關(guān)，隨著Q點(diǎn)的變化而變化； （3） h參數(shù)是晶體管在小信號(hào)條件下的等效參數(shù)。 h參數(shù)可以從晶體管的特性曲線上近似求得，也可以用人h參數(shù)測(cè)試儀直接測(cè)出。對(duì)一般小功率晶體管，h參數(shù)的數(shù)量級(jí)如圖Z0213所示。
2021-05-13 07:56:25
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
型號(hào)的大功率開關(guān)晶體管。 開關(guān)電源等電路中使用的開關(guān)晶體管，其耗散功率大于或等于50W，最大集電極電流大于或等于3A，最高反向電壓高于800V。一般可選用2SD820、2SD850、2
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
，并聯(lián)晶體管的源極電流仍然存在部分共享路徑，這將會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生影響（見圖2）。理想情況下，所有源極電流都將從漏極流至晶體管源極，但不可避免的一種情況是，部分源極電流會(huì)從開爾文源極（Kelvin
2021-01-19 16:48:15
求解路徑分析表示根據(jù)要求解的阻抗查找最快、最短甚至是最優(yōu)的路徑。如果阻抗是時(shí)間，則最佳路線即為最快路線。如果阻抗是具有實(shí)時(shí)或歷史流量的時(shí)間屬性，則最佳路徑是對(duì)指定日期和時(shí)間來(lái)說(shuō)最快的路徑。因此，可將
2019-06-03 08:04:46
各位大佬，
萌新一枚，在查L(zhǎng)T8612的時(shí)候看到了這個(gè)原理圖，研究了一下，有幾個(gè)問(wèn)題想不明白，請(qǐng)教一下各位大佬。
請(qǐng)問(wèn)一下Q5的作用是什么，Q2和Q3是開關(guān)管嗎，還有就是LTC3632的Iset的806K的電阻是是干嘛的，是設(shè)計(jì)上電時(shí)間的嘛
2024-01-05 06:36:59
點(diǎn)亮。由于控制電流只需要比燈泡電流的β稍大一點(diǎn)，因此可以使用小電流來(lái)控制大電流的開和關(guān)。如果基極電流緩慢增加，燈泡的亮度也會(huì)增加（這是一個(gè)飽和過(guò)程）。下圖是基本的晶體管開關(guān)電路。基極應(yīng)連接基極電阻（R2
2023-02-08 15:19:23
、PNP晶體管的應(yīng)用PNP晶體管用于源出電流，即電流流出集電極。PNP 晶體管用作開關(guān)。這些用于放大電路。當(dāng)我們需要通過(guò)按下按鈕關(guān)閉某些東西時(shí)，就會(huì)使用 PNP 晶體管。即緊急關(guān)閉。用于達(dá)林頓對(duì)電路。用于
2023-02-03 09:44:48
。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來(lái)表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
Q1電流恒定要求其熱耦合到Q2，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Q2將耗散掉電路內(nèi)大部分功率。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)最容易的方式是Q1和Q2采用相同的晶體管，并將Q1和Q2通過(guò)螺栓固定在散熱器兩邊。此外，還可將Q1黏附在Q2上。在低電流情況下
2018-09-29 17:15:25
晶體管等。》 函數(shù)和用法根據(jù)功能和用途，晶體管可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高背壓晶體管、帶阻晶體管、阻尼晶體管、微波晶體管、光學(xué)晶體管和磁性晶體管等多種
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
晶體管Q2乘以我們最終獲得高增益。高增益非常重要，因?yàn)樗闺娐穼?duì)通過(guò)我們皮膚的小電流非常敏感，從而為 LED 供電。該電路可以由 6V、9V 甚至 12V 操作。對(duì)于 6V，使用 330R 電阻，對(duì)于
2022-08-30 07:23:58
。圖1.穩(wěn)定電流源硬件設(shè)置面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE
2021-11-01 09:53:18
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對(duì)于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負(fù)電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動(dòng)。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個(gè)簡(jiǎn)單
2023-02-03 09:45:56
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。 圖2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
開關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供一個(gè)低阻抗的通路。 加速電路三 在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲(chǔ)存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
2020-11-26 17:28:49
適當(dāng)?shù)妮斎?b class="flag-6" style="color: red">電流和集電極電壓條件。NPN或PNP雙極晶體管的正確偏置點(diǎn)通常位于兩個(gè)極端運(yùn)行之間，這是因?yàn)槠渲绷髫?fù)載線是“全開”或“全關(guān)”。該中心工作點(diǎn)稱為“靜態(tài)工作點(diǎn)”，簡(jiǎn)稱Q點(diǎn)。當(dāng)雙極晶體管偏置時(shí)，Q點(diǎn)
2020-11-12 09:18:21
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
電流。總之，為了減短晶體管的開關(guān)時(shí)間、提高開關(guān)速度，除了在器件設(shè)計(jì)上加以考慮之外，在晶體管使用上也可以作如下的考慮：a）增大基極驅(qū)動(dòng)電流，可以減短延遲時(shí)間和上升時(shí)間，但使存儲(chǔ)時(shí)間有所增加；b）增大基極
2019-09-22 08:00:00
電流。總之，為了減短晶體管的開關(guān)時(shí)間、提高開關(guān)速度，除了在器件設(shè)計(jì)上加以考慮之外，在晶體管使用上也可以作如下的考慮：a）增大基極驅(qū)動(dòng)電流，可以減短延遲時(shí)間和上升時(shí)間，但使存儲(chǔ)時(shí)間有所增加；b）增大基極
2019-08-19 04:00:00
分為流過(guò)個(gè)別晶體管的電流和流過(guò)E-B間電阻R2的電流。因此放大率比單體時(shí)下降。此值稱為GI，用以區(qū)分。關(guān)于VI(on)和VI(off)的區(qū)別VI(on)、VI(off)容易被混淆VI(on): 數(shù)字
2019-04-22 05:39:52
間附加電阻R2，輸入電流則分為流過(guò)個(gè)別晶體管的電流和流過(guò)E-B間電阻R2的電流。因此放大率比單體時(shí)下降。此值稱為GI，用以區(qū)分。關(guān)于VI(on)和VI(off)的區(qū)別VI(on)、VI(off)容易被
2019-04-09 21:49:36
1和Q2上，可以認(rèn)為晶體管所損耗的功率Pq=Pv-Po。當(dāng)輸入電壓為2.5v時(shí)，即輸出功率最小時(shí)，由于集電極電流非常小，使管子的損耗很小；當(dāng)輸入電壓最大時(shí)，即輸出功率最大，由于管子壓降很小，使管子的損耗
2021-08-25 10:07:25
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開關(guān)過(guò)程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過(guò)觀察開關(guān)波形來(lái)決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無(wú)源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
開關(guān)晶體管 Q2。晶體管 q2的發(fā)射極接地，晶體管 q2的集電極連接到繼電器線圈，繼電器線圈控制對(duì)負(fù)載裝置的供應(yīng)。3)二極管電路——二極管電路并聯(lián)于繼電器線圈，用于負(fù)載裝置的逆電流保護(hù)。大電流負(fù)載產(chǎn)生的反向
2022-03-21 10:29:06
MOSFET 低得多的“通態(tài)”電阻 RON。這意味著對(duì)于給定的開關(guān)電流，跨雙極輸出結(jié)構(gòu)的 I2R 下降要低得多。IGBT 晶體管的正向阻斷操作與功率 MOSFET 相同。當(dāng)用作靜態(tài)控制開關(guān)時(shí)，絕緣柵極雙
2022-04-29 10:55:25
這個(gè)晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
，其實(shí)是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓維持在0.6V左右。Q3的導(dǎo)通真的消除了Q2的基極激勵(lì)了嗎？好像并沒有，對(duì)不對(duì)?！這個(gè)“過(guò)流”保護(hù)電路的關(guān)鍵就是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓，為了簡(jiǎn)單分析
2016-06-03 18:29:59
： 1、反向二極管保護(hù) 圖一 如圖一示，二極管的作用是當(dāng)晶體管的集電極電壓突然變負(fù)時(shí)提供電流通路，使晶體管旁路。這種二極管可以防止晶體管反向?qū)ǘ鴵p壞。由于開關(guān)晶體管dv/dt非常高，用作
2020-11-26 17:26:39
1-b. 開關(guān)元件Q1OFF時(shí)的電流路徑Figure 1-c. 電流差分、布局上的重要位置降壓型轉(zhuǎn)換器工作時(shí)的電流路徑右側(cè)電路圖是稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC及其
2018-12-05 10:07:52
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 DK系列電子整流器、節(jié)能燈專用開關(guān)晶體管
序號(hào)
2009-07-29 12:18:511240 談逆變電源中開關(guān)晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。
2016-03-30 15:13:0925 工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)電流和瞬態(tài)過(guò)電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過(guò)沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2021-03-21 15:40:514063 
40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904-Q
2023-02-07 19:09:200 40 V、500 mA PNP 負(fù)載開關(guān)晶體管-PBLS4002Y
2023-02-07 19:16:590 40 V、200 mA NPN/PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3946VPN
2023-02-07 19:54:180 40 V、200 mA PNP/PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906VS
2023-02-07 19:54:540 40 V、200 mA NPN/NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904VS
2023-02-07 19:55:050 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-MMBT3904-Q
2023-02-08 18:44:560 NPN開關(guān)晶體管-PMBT2222A
2023-02-09 18:52:000 40 V PNP 負(fù)載開關(guān)晶體管-PBLS4002Y-Q
2023-02-09 21:39:530 40 V，600 mA，NPN/PNP 雙開關(guān)晶體管-PMBT2227AYS-Q
2023-02-09 21:57:370 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904
2023-02-17 19:13:050 NPN開關(guān)晶體管-PMBT2222
2023-02-17 19:45:340 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904M
2023-02-20 19:54:450 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904MB
2023-02-21 18:31:530 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AM
2023-02-21 18:40:560 60V、600mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AQA
2023-02-21 18:41:110 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AMB
2023-02-21 18:41:300 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AM
2023-02-21 18:41:410 40 V、200 mA 雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904RA
2023-02-21 18:47:510 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 40 V、200 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906MB
2023-02-23 18:57:150 60V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-BSR16
2023-02-23 19:24:180 PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906
2023-02-23 19:24:301 40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 NPN開關(guān)晶體管-PXT2222A
2023-02-27 18:16:160 40 V、600 mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT4403
2023-02-27 18:16:440 40V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 60V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907A
2023-02-27 18:17:150 40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMST2907A
2023-03-01 18:40:330 60 V、600 mA、PNP 開關(guān)晶體管-PXT2907A
2023-03-02 23:03:210 40V、600mA雙PNP開關(guān)晶體管-PMBT4403YS
2023-03-02 23:12:530 40 V，600 mA，雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT4401YS
2023-03-02 23:13:070 60V、600mA、雙PNP開關(guān)晶體管-PMBT2907AYS
2023-03-02 23:13:220 40 V，600 mA，雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AYS
2023-03-02 23:13:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPN開關(guān)晶體管PMBT4401產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:45:140
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