如今，電信及網絡等應用中廣泛采用分布式電源架構，使電源供應盡可能地貼近負載，從而為系統中的不同負載供電，并提供更高的可靠性、靈活性及散熱性能。安森美半導體為這些應用提供寬廣范圍的分布式電源方案，其中既包括隔離型方案，也包括非隔離方案。

　　本文重點介紹安森美半導體新推出的集成200 V功率晶體管和高壓啟動電路的隔離型反激/升壓穩壓器NCP1032。NCP1032是小型化PWM開關穩壓器，用于反激、正激或升壓類電壓轉換電路。它集成了200 V功率MOSEFT管以及高壓啟動電路；外部可調開關頻率最高可到1 MHz，開關頻率可外同步。其它關鍵特性包括+/-1%的參考電壓精度、逐波限流點外部可調、可調的輸入欠壓和過壓保護、故障狀態下頻率回縮、集成電流采樣前沿消隱電路和過熱保護等。NCP1032非常適合于24 V/48 V電信電源應用，也可用于醫療系統隔離電源、以太網供電（PoE）、隔離型DC-DC轉換器次級端偏置電源、獨立式低功率DC-DC轉換器、低功率偏置電源、低功率升壓轉換器等應用。

　　NCP1032主要功能

　　1）高壓啟動電路和動態自供電

　　NCP1032內部集成200 V電流源，當VDRAIN電壓上升超過16.3 V時，電流源開始輸出12.5 mA的電流，對Vcc上的電容充電，Vcc電容充到10.5 V時電流源關斷；當Vcc電壓降到7.55 V時內部電流源再開通對Vcc電容再次充電。Vcc電容上的電壓可以維持芯片正常工作；高壓啟動和動態自供電電路省去了外部輔助電源電路，節省了成本和面積。

　　在大多數情況下，用戶都希望降低芯片自供電產生的功耗，這可以通過從變壓器的輔助繞組上取電來解決。Vcc上升到10.5 V時，芯片可以正常啟動，只要輔助繞組上產生的電壓可以維持Vcc在7.55 V以上，就可以避免內部高壓電流源接通，從而降低功耗，這時芯片正常運行；在輸出短路或過載狀態下，Vcc有可能下降到6.95 V以下，這時功率管關斷，芯片會進入復位啟動模式，高壓電流源會開通對Vcc電容充電，Vcc上升到10.2 V時輸出會重新啟動。而在輸出過載時，Vcc在6.95 V以上時不會進入復位啟動模式。圖1是高壓啟動電路。

圖1：NCP1032的高壓啟動電路

　　啟動結束時，NCP1032會有1 V的過沖，如果想減小軟啟動結束時的過沖電壓，就要使COMP腳電壓從4.2V到穩態值之間的轉換時間盡可能縮短，也就是說要加快補償響應速度，見圖2。

圖2：NCP1032的過沖

　　在較高頻率時，輸入功率會跟隨輸入電壓線性上升，這主要是因為NCP1032的限流前沿消隱電路（LEB）及傳播延遲會使芯片至少有100ns導通時間，在工作頻率比較高的情況下，100ns的占空比時間有點大，會出現位移，輸入傳遞的功率也會比較大，造成高頻時的短路保護的功率有所增加。

　　NCP1032的限流設定包括前沿消隱電路，功率管的峰值電流用外部電阻進行設定，圖3左邊是外部電阻設定電流值曲線。

圖3：限流設定

　　2）軟啟動

　　NCP1032內部集成的軟啟動電路可降低啟動過程中功率管上的電壓應力和變壓器上的峰值電流。當Vcc上升到10.5 V，欠壓保護釋放后，芯片進入軟啟動過程。在軟啟動過程中，COMP電壓被箝位在4.2 V，功率管的峰值電流從57 mA開始逐個周期增加，直到電流上升到限流設定點后或COMP腳電壓下降到3.5 V時，輸出電壓進入修正階段。

　　在軟啟動過程中，如果功率管電流上升到限流點之前輸出電壓上升到穩定值，COMP腳電壓會下降3.5 V以下，則功率管電流不會上升到設定值。如果功率管電流上升到限流點后，輸出電壓還沒有上升到設定值，則功率管電流會限定在限流設定值，不會再增加。軟啟動時間和輸入電壓、負載大小和輸出電容容量相關，如圖4（左圖和右圖的時間刻度是不同的）。

圖4：軟啟動時間和輸入電壓、負載大小和輸出電容容量的關系

　　3）過壓（OV）和欠壓（UV）保護

　　NCP1032有過壓/欠壓管腳，用于輸入電壓的過壓/欠壓保護，管腳6電壓低于1 V或高于2.4 V時，NCP1032功率管會關斷，芯片通過內部高壓電流源進行動態自供電，直到過壓/欠壓釋放為止。欠壓保護和過壓保護分別有70mV和158mV的遲滯。NPC1032兩個版本中，NCP1032B只有欠壓，沒有過壓保護功能。圖5是過壓保護、欠壓保護的設定方法及工作方式。

圖5：過壓保護、欠壓保護的設定及工作