全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達(dá)系統(tǒng)，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:52
1022 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:1012515 
GaN晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內(nèi)的不同工作條件，以優(yōu)化電路性能并獲得
2021-04-01 14:23:253847 
可以使用極快的開關(guān)晶體管：超級結(jié) MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化鎵 (GaN) 的晶體管；這些仍然比傳統(tǒng)晶體管昂貴得多，但它們使設(shè)計更小、更高效的開關(guān)電源
2021-10-14 15:33:003704 
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 15:04:331200 D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術(shù) （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191024 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:442690 硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
的消息是硅供應(yīng)商現(xiàn)在可以提供基于GaN HEMT的集成解決方案，大大簡化了高壓高頻交流電機的逆變器設(shè)計。在此之前GaN HEMT被包裝成一個帶有獨立驅(qū)動的分立器件，因為晶體管和驅(qū)動元件是基于不同工
2019-07-16 00:27:49
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世紀(jì)70年代末開發(fā)的，但直到20世紀(jì)90年代初，JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用，但標(biāo)準(zhǔn)無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
領(lǐng)域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應(yīng)用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術(shù) 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，因此，這個過去由行波管主導(dǎo)的領(lǐng)域已經(jīng)開始讓步于半導(dǎo)體設(shè)備。更短柵極長度的GaAs和GaN晶體管的出現(xiàn)以及電路設(shè)計技術(shù)的升級，衍生了一些可以輕松操作毫米波頻率的新設(shè)備，開啟了幾十年前難以想象
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGT2731L120產(chǎn)品名稱： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
型驅(qū)動電源。為了滿足這些嚴(yán)格要求，RECOM新開發(fā)了兩款隔離型1W DC?疍C轉(zhuǎn)換器系列來為最新的GaN驅(qū)動器供電。 高轉(zhuǎn)換速率的GaN晶體管驅(qū)動器需要使用具有高隔離電壓和低隔離電容的隔離型+6V
2017-09-20 10:28:09
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶體管的核心是一個導(dǎo)電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產(chǎn)生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質(zhì)基板上生產(chǎn)，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風(fēng)險。
2020-10-28 06:59:27
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello, Can anybody tell me how to add GaN device in schematic window because when I
2019-01-17 15:55:31
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比
2019-05-05 01:31:57
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時獲得認(rèn)證。垂直場依賴擊穿也在相同的1kV范圍內(nèi); 松下柵極驅(qū)動器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
是 電感與電路板厚度無關(guān) 是 是 需要屏蔽層 是 否 否 表1：傳統(tǒng)和最佳電源回路設(shè)計的特點 積分對寄生效應(yīng)的影響 為了進一步降低基于GaN晶體管的設(shè)計的寄生電感，可以使用單片GaN功率級
2023-02-24 15:15:04
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
和頻率電子應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值，從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。 圖1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅(qū)動方案（右）。 當(dāng)并聯(lián)配置CoolGaN?晶體管時，可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
處理，謝謝。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的主流候選技術(shù)。GaN HEMT憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極
2019-04-13 22:28:48
增長，未來功率GaN技術(shù)將成為高效率功率轉(zhuǎn)換的新標(biāo)準(zhǔn)。以下是維安新推出的E-Mode GaN器件，歡迎大家前來索樣并與維安的專家討論其特性。[size=0.19]WGB65E450S WGB65E225S WGB65E150S WGZ65E150S表三 維安GaN晶體管新品列表
2021-12-01 13:33:21
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識。什么是非線性GaN 模型？對許多工程師來說，設(shè)計PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號
2018-08-04 14:55:07
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842 了合作關(guān)系，把基于氮化鎵（GaN）的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N （TPH3202PS）和NTP8G206N （TPH3206PS） 600 V GaN共源共柵（cascade）晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計。
2015-03-19 14:28:432552 當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細(xì)心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準(zhǔn)確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:042857 
低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0710585 經(jīng)過大量實踐檢驗，已被證明安全可靠的硅MOSFET已經(jīng)成為電源電路設(shè)計的中流砥柱，但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術(shù)的發(fā)展，電源設(shè)計的趨勢正逐漸轉(zhuǎn)向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:375664 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-28 14:16:52582 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-30 14:30:213345 
ST 發(fā)布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅(qū)動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN 晶體管，而 ST 決定增加一顆 GaN，實現(xiàn)
2020-10-30 12:04:45329 基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">GaN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:442816 ) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
如何高效、安全地驅(qū)動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:42
1 GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求，GaN功率晶體管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14395 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認(rèn)可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應(yīng)物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:301363 GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881 
是一種高度移動的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:242060 
GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 基于模型的 GAN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:211645 
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場作用下，高效
2023-02-10 11:05:173854 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212337 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17968 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:221864 
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 英飛凌科技集團今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專業(yè)知識。已獲得所有必要的監(jiān)管批準(zhǔn)，截至
2023-10-25 14:51:13479
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