5.2.4 MOS管的選取

　　開(kāi)關(guān)管MOSFET最大漏極電流IDMAX應(yīng)大于開(kāi)關(guān)管所流過(guò)的峰值電流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源擊穿電壓（參考圖四）BVDSS應(yīng)大于最大輸入電壓，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般應(yīng)留至少90%的余量。

　　5.2.5 次級(jí)整流管的選取

　　考慮一定的裕量，次級(jí)整流管D最大反向電壓VRM需滿(mǎn)足：

　　因?yàn)榉醇な介_(kāi)關(guān)電源次級(jí)整流二極管只有在電源Toff的時(shí)候才會(huì)導(dǎo)通，輸出在導(dǎo)通時(shí)必須能夠承受整個(gè)輸出電流的容許值。輸出二極管需要的最小正向?qū)ǚ逯惦娏鳛椋?/p>

　　Dmax為工作周期，如果設(shè)定Dmax為0.5則Ifps》4Iout

　　5.2.6 輸出電容的選取

　　輸出電容電壓通常呈現(xiàn)兩種紋波，一種是由高頻輸出電流引起，主要與輸出電容的等效竄連電阻（ESR）大小有關(guān)，另外一種是低頻紋波，為了獲得較高的PF值，環(huán)路帶寬通常較窄，因此輸出不可避免地出現(xiàn)較大的兩倍輸入電壓頻率紋波，其值與電容大小有關(guān)，一般說(shuō)來(lái)低頻紋波滿(mǎn)足要求時(shí)，高頻紋波因?yàn)殡娙莸刃SR夠小，可以忽視。電容的容量可以參考各個(gè)廠(chǎng)家的規(guī)格書(shū)（一般選用高頻低阻型）選用，根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際工作溫度，電壓和考慮產(chǎn)品的MTBF選取合適的電容系列型號(hào)。

　　5.2.7 IC主要外圍參數(shù)選取

　　5.2.7.1 最大導(dǎo)通時(shí)間典型參數(shù)選取

　　圖五

　　5.2.7.2 Cs Pin參數(shù)選取

　　R1與C1為用來(lái)濾除突波的濾波器

　　R1： 100？~300？

　　C1： 100PF~470PF

　　圖六