本文主要研究了導致組件CTM損失的可能因素，重點分析了造成單晶組件和多晶組件CTM差異的原因。光學損失和B-O復合之間的差異決定了多晶組件的CTM損失要少于單晶組件，對于硼氧復合損失可以想辦法改善，但對于光學損失的差異，針對單晶沒有更好的解決方法。

　　隨著光伏產業的快速發展，使晶體硅太陽電池及其組件成為研究的熱點，以實現太陽電池組件效益的最大化。電池封裝為組件不僅可以使電池的電壓、電流和輸出功率得到保證，而且還可以保護電池不受環境損害和機械損傷。晶體硅太陽電池經過封裝為組件后，組件的功率（實際功率）與所有電池片的功率之和（理論功率）的差值，稱為組件封裝功率損失，其計算公式為：組件功率損失=（理論功率-實際功率）/理論功率。

　　通常我們使用組件輸出功率與電池片功率總和的百分比（Cell To Module簡稱CTM值）表示組件功率損失的程度，CTM值越高表示組件封裝功率損失的程度越小。如果CTM值較低，組件的輸出功率有可能達不到預期的要求，遭到客戶的投訴，最終造成經濟效益的損失。

　　與此相反，如果可以提高CTM值，組件的輸出功率的增加會提高公司組件產品的收益，已達到降低生產成本的目的。在組件產品的生產過程中發現單晶組件和多晶組件的CTM差別比較大。在組件生產工序完全一致的情況下，單晶組件CTM損失要高于多晶組件，本文主要針對單晶和多晶組件CTM的差異性進行研究，解釋單多晶組件CTM不同的內在原因。

　　1、組件CTM影響因素

　　影響CTM的因素很多，包括：

　　A.光學損耗：制絨絨面不同引起的光學反射、玻璃和EVA等引起的反射損失。

　　B.電阻損耗，電池片本身的串聯電阻損耗、焊帶，匯流條本身的電阻引起的損耗，焊帶不良導致的接觸電阻、接線盒的電阻。

　　C.不同電流的電池片串聯時引起的電流失配損失，由于組成組件的各電池片最大工作點電流不匹配造成的失配損失（分檔，低效片混入）。

　　D.熱損耗，組件溫度升高會引起的輸出功率下降。

　　E.B-O復合引起的電池片效率衰減，與本征衰退損失。

　　F.組件生產過程中產生隱裂或碎片。

　　影響單晶和多晶組件CTM差異的因素主要包括2個方面，光學損耗和硼氧復合損耗。光學損耗產生的差異主要為單多晶電池產品的制絨工藝是不同的，反射率的差異性比較大；B-O復合損耗的差異為單多晶原料片生長工藝不同，單晶原料過程中引入的硼氧對要多于多晶原料。本文設計實驗主要針對以上兩點進行實驗設計，分析造成單多晶組件CTM差異性的原因。

　　2、實驗設計

　　2.1、實驗樣品

　　樣品采集自晶澳電池產線，所用硅片厚度為200μm，電阻率為1-3Ω.cm的單晶和多晶電池片各20片，并且20片單晶電池片為同一個功率檔位，20片多晶電池片為同一個功率檔位。

　　2.2、實驗步驟

　　單多晶電池片分別選取10片進行LID測試；單多晶電池片分別選取5片進行量子效率（QE）測試；單多晶電池片分別選5片采用相同的焊接和封裝工藝制成小型組件，并進行QE測試。

　　2.3、實驗測試

　　10片電池片先測量功率等各項參數，然后在穩態太陽模擬器或自然陽光條件下，連續照射5小時（控制光強1000w/m2），完成之后重新檢測功率等參數，分析實驗前后電池片功率損失情況，即為LID測試。

　　QE量子效率是指電池片的量子效率為太陽能電池的電荷載流子數目與照射在太陽能電池表面一定能量的光子數目的比率。某一波長的光照射在電池表面時，每一光子平均所能產生的載流子數目，為太陽能電池的量子效率，也成為光譜響應，簡稱QE。