德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:347768 
科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術
2022-03-31 18:10:574794 
等大功率領域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應用領域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規的評估技術對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54599 
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮流電阻設計，開發出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統可靠性，優化PCB尺寸和系統成本。
2020-12-11 17:01:08971 3G核心網網元是什么？為什么要提高3G核心網高的可靠性設計？3G核心網高可靠性設計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開發與應用方面，實現了傳統型半導體（Si）實現不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本
2020-09-24 16:23:17
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態表明了主要商業障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優于Si IGBT，但由于成本抵消了系統級優勢，SiC MOSFET已經取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結束。關于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數據。（截至2016年10月）關鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導體元器件，根據標準進行試驗與評估。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
率為一個平穩值，意味著產品進入了一個穩定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產品進入老年期，失效率呈遞增狀態，產品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
，給社會生產生活帶來巨大的損失。 電廠提高DCS控制系統可靠性的措施 在dcs系統中，采用了許多提高可靠性的技術措施。這些技術措施是建立在以下四種基本思想上的： ①使系統本身不易發生故障，即所謂
2018-12-03 11:05:31
量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規范化。國內外大量
2018-09-21 14:49:10
、性能指標的前提下，應盡量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設
2014-10-20 15:09:29
的前提下，應盡量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規范化
2018-11-23 16:50:48
，應盡量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規范化
2023-11-22 06:29:05
為提高單片機本身的可靠性。近年來單片機的制造商在單片機設計上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術主要體現在以下幾方面： 1.降低外時鐘頻率 外時鐘是高頻的噪聲源，除能引起對本應用系統
2020-07-16 11:07:49
描述此參考設計介紹高可靠性應用（基于 66AK2Gx 多內核 DSP + ARM 處理器片上系統 (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數據速率 (DDR) 存儲器接口的系統注意事項。其中
2018-10-22 10:20:57
一般采用采用分布式供電系統，以滿足高可靠性設備的要求。 因為元器件直接決定了電源的可靠性，所以元器件的選用是尤為重要。元器件的失效主要集中在以下四點：制造質量問題、器件可靠性的問題、設計問題、損耗問題。在
2018-10-09 14:11:30
和恢復特性，還成功將VF降低至約0.15V，達到當時業界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設備的傳導損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡化熱管理。 因此，可以提高開關電源的功率密度，同時降低系統成本。 繼去年發布展示有巨大優勢的全新30V硅技術產品之后
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
規范的清潔度要求好處提高PCB清潔度就能提高可靠性。不這樣做的風險線路板上的殘渣、焊料積聚會給防焊層帶來風險，離子殘渣會導致焊接表面腐蝕及污染風險，從而可能導致可靠性問題（不良焊點/電氣故障），并最終
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的線路板具有什么特點？
2021-04-25 08:16:53
。所有這些應用都需要具備更高功率密度的先進半導體系統。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅固性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動條件下的堅固性和可靠性不僅是牽引應用關注的焦點，同時也
2018-12-03 13:49:12
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
采用IR51H420構成的高可靠性節能燈電子鎮流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
秋”將全力以赴地持續提高可靠性，一如既往地積極捍衛國家市場形象，不遺余力地為“中國制造”代言，竭盡全力助推中國從“制造大國”邁向“制造強國”！`
2020-07-09 11:54:01
作業的設備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費、停機損失可大幅減少，資產及生命安全更有保障！當今，放眼全球，國家與國家的競爭已經演變成企業與企業的競爭，可靠性
2020-07-03 11:09:11
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
，發現提高可靠性水平可大大幅減少電子設備的維修費用；表面看來，高可靠性的前期生產、管控成本會較高，但是，后期的故障率更少，而且維護費、停機損失會更低。為了幫助客戶實現經濟效益最大化，“華秋”更執念于把
2020-07-08 17:10:00
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
標記。GE公司分析，對能源、交通、礦山、通訊、工控、醫療等連續作業的設備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費、停機損失可大幅減少，資產及生命安全更有保障！當今
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導體部分產品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導體針對柵極的可靠性是嚴格按照AEC-Q101標準進行，在柵極分別加負壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
電路板斷路。即便修復‘得當’，在負荷條件下（振動等）也會有發生故障的風險，從而可能在實際使用中發生故障。3、超越 IPC 規范的清潔度要求好處提高 PCB 清潔度就能提高可靠性。不這樣做的風險線路板上
2019-10-21 08:00:00
分享一款不錯的高可靠性CAN-bus以太網冗余組網方案
2021-05-26 06:37:56
的可靠性防范措施。3．本質可靠性與可靠性控制本質可靠性是只考慮系統功能要求的軟、硬件可靠性設計，是可靠性設計的基礎。如采用 CMOS 電路代替 7rrL 電路提高噪聲容限，增加系統抗干擾能力：采用
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。 高可靠性電源系統的要求 在理想的世界里，高可靠性系統應該設計為能夠避免單點失效，有辦法在保持運行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
isoSPI 數據鏈路助力實現高可靠性車載電池系統
2019-09-02 14:23:53
汽車行業發展迅速，汽車的設計、制造和操控方式在發生著重大轉變。最值得注意的是，與半導體技術相關的安全性和可靠性在很大程度上影響著汽車的安全性。系統集成商面對的挑戰是構建強大的平臺，并確保該平臺能夠在
2019-07-25 07:43:04
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
`請問如何提高PCB設計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
碳化硅-MOSFET的電流源驅動 對于1200V、帶VSD的100A分立IGBT，需要22Ω的柵極電阻，以將最大dv/dt限制為5V/ns。對于CSD，需要290mA的柵極電流設置（ROUTREF值
2023-02-21 16:36:47
目前，汽車中使用的復雜電子系統越來越多，而汽車系統的任何故障都會置乘客于險境，這就要求設計出具有“高度可靠性”的系統。同時，由于FPGA能夠集成和實現復雜的功能，因而系統設計人員往往傾向于在這些系統中采用FPGA。
2019-09-27 07:45:33
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質量、直接用戶調試質量和產品使用質量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質量的優劣并提供生產高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
`請問如何通過PCB設計提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何采用功率集成模塊設計出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
、新技術、新材料對老產品、老結構進行改進，采取措施提高產品的固有可靠性。要提高射頻連接器的固有可靠性，必須遵循射頻連接器的基本設計原則和特點，在不降低它的電氣特性或者說在保證其電氣特性不受影響的條件下
2019-07-10 08:04:30
關注有助于確保整個終端設備可靠性要求的裝置。集成電路在嵌入式系統的性能、尺寸和整體成本方面已經實現重大突破，對各種存儲元件的依賴及使用小尺寸硅工藝技術可能產生的永久和瞬時誤差對可靠性產生了影響。 將眾多
2018-08-30 14:43:15
盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個艱苦的過程，需要開發人員維護和管理系統的每個比特和字節。當一個應用程序被確認為“成功”的那一刻，通常會有一種如釋重負
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
無線電池管理系統突出了業界提高可靠性的動力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一種優化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統，只需要用1片FPGA和2片SRAM就可以實現大屏幕LED顯示的驅動和內容更換，可以說其性能已經大有改善。本設計可以應對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷傳感器的特點甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設計
2021-04-09 06:41:47
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
用于高可靠性醫療應用的混合信號解決方案
2019-09-16 06:34:54
迅速、真正提高的目的。因此，在同等期限內，應用這項技術所獲得的可靠性要比傳統方法高得多，更為重要的是在短時間內就可以獲得早期的高可靠性，而且不像傳統方法那樣，需要進行長時間的可靠性增長，因此也就大大
2019-11-08 07:38:43
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
頻率做得更高。作為傳統設計中IGBT和Si-MOSFET的替代品，TO-247三線和四線封裝仍將占有一席之地。隨著技術的成熟，可靠性將得到越來越多的證明，隨著成品率的提高和片芯尺寸的縮小，成本有望降低
2023-02-27 14:28:47
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
、板薄、高頻、高速”的發展趨勢，對可靠性的要求會越來越高。高可靠性 PCB 可以發揮穩健的載體作用，從而實現 PCBA 的長期、穩定運作，保證終端產品的安全性、穩定性和使用壽命，提高經濟效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
PCB的外殼中。可以將組件安裝到靈活的解決方案上，而不是將組件安裝到剛性PCB上，它們將與外形合適的外殼相符。此外，可以用加固基板加固柔性PCB的部分，以提高可靠性。最后，柔性印制電路板可提供最輕
2023-04-21 15:52:50
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強的保護和改進的安全功能
2019-06-11 16:25:31
羅姆日前發布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 ）電機已成為許多勻速或變速的高可靠性中高檔系統的選擇。借助幾個霍爾效應傳感器和一個控制器，BLDC 電機變得相對容易控制。如今，BLDC 電機系統已十分常見，但是，大多數系統仍使用傳感器來控制電機。為了降低 BLDC 系統的成本并提高可靠性，許
2017-09-15 08:53:08
15 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 ，瑞能半導體于2021年推出SiC MOSFET產品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業內領先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:103785 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
2022年11月，上海瞻芯電子開發的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211 
另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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