埃賦隆半導(dǎo)體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
1586 `恩智浦半導(dǎo)體在眾多半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)長(zhǎng)期位于領(lǐng)先的位置，恩智浦半導(dǎo)體具有非常豐富的通用MICR產(chǎn)品系列，從經(jīng)典的8位/16位，數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
是一種半導(dǎo)體器件，通過(guò)將一層半導(dǎo)體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負(fù)極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負(fù)正（PNP）晶體管在兩個(gè)正極之間有一個(gè)負(fù)層
2023-02-16 18:22:30
915MHz頻段是RFID常用的頻段之一，本文設(shè)計(jì)了一款該頻段下工作的RFID天線，并借助ANSOFT HFSS計(jì)算軟件對(duì)天線系統(tǒng)進(jìn)行了仿真分析，通過(guò)對(duì)貼片以及接地板開(kāi)槽，使天線在保持高增益的情況下，在更寬的頻帶上具有更好的穩(wěn)定性，同時(shí)也減小了天線的尺寸，使天線整體性能更加完善。
2019-08-27 06:34:54
`本書(shū)主要針對(duì)的是半導(dǎo)體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡(jiǎn)單的闡述歸納總結(jié)。本手冊(cè)站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無(wú)源元件，今天我們接著來(lái)復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
半導(dǎo)體泵浦固體激光器的種類(lèi)很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性。 恩智浦半導(dǎo)體于2017年開(kāi)始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日為時(shí)尚、零售和電子市場(chǎng)推出了其最新的UHF解決方案。基于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。本書(shū)面向實(shí)際需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類(lèi)元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。 先來(lái)看一下晶體管的分類(lèi)與特征
2020-06-09 07:34:33
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
我們獲得的新半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國(guó)和英國(guó)的每個(gè)機(jī)場(chǎng)部署先進(jìn)的空中交通管制雷達(dá)系統(tǒng)。從那時(shí)起，我們每年都有這種經(jīng)驗(yàn)，而今天，Integra為雷達(dá)應(yīng)用提供廣泛
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向實(shí)際需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
晶閘管）、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)方式及代表類(lèi)型（來(lái)源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導(dǎo)體元器件，研制人員在為這種器件命名時(shí)，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻)，后來(lái)縮寫(xiě)為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類(lèi)型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類(lèi)型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過(guò)硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根據(jù)半導(dǎo)體材料，有硅和鍺管等。放大器電路由共發(fā)射極、共基極和共集電極組成。》場(chǎng)效應(yīng)晶體管“場(chǎng)效應(yīng)”的含義是晶體管的原理是基于半導(dǎo)體的電場(chǎng)效應(yīng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管
2023-02-03 09:36:05
晶體管中半導(dǎo)體材料的排列有關(guān)。晶體管之間的連接稱為基極、集電極和發(fā)射極。幸運(yùn)的是，工業(yè)自動(dòng)化不需要了解半導(dǎo)體物理。PNP 與 NPN 切換由于固態(tài)設(shè)備是有源而非無(wú)源的，因此它們通常需要最少的工作功率
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
對(duì)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實(shí)現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價(jià)WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲(chǔ)能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
的作用相當(dāng)于一個(gè)二極管D。國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號(hào)有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導(dǎo)體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個(gè)數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購(gòu)線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類(lèi)測(cè)試線（同軸線、香蕉頭測(cè)試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導(dǎo)體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進(jìn)新一.代更高集成度的開(kāi)關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對(duì) GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
同國(guó)產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類(lèi)晶體管有多種分類(lèi)方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
客戶需要在電源管理、開(kāi)關(guān)和保護(hù)應(yīng)用中采用更小的二極管和晶體管，以便在其便攜式產(chǎn)品中集成更多特性——而不會(huì)增大其終端產(chǎn)品的尺寸或降低電源效率。推出微型SOD-723封裝的六種最常用分立元件是安森美半導(dǎo)體
2008-06-12 10:01:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_(kāi)始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過(guò)]
2008-05-24 10:29:38
位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
抗飽和晶體管的作用 羅姆應(yīng)用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場(chǎng)，在銷(xiāo)售員的帶領(lǐng)下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現(xiàn)市場(chǎng)上對(duì)深?lèi)?ài)半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說(shuō)了原因，但我認(rèn)為
2009-12-17 10:27:07
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。天一通訊科技，變號(hào)軟件，該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)（音譯）表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢(shì)看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以熱的形式浪費(fèi)大量能源。”
2013-07-03 10:44:31
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
沒(méi)事看看了電力電子，看到這個(gè)原理圖，有點(diǎn)迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照?qǐng)D中來(lái)C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒(méi)有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
協(xié)議棧呢？請(qǐng)問(wèn)TI是否有支持868/915Mhz的zigbee網(wǎng)絡(luò)解決方案？謝謝！/* Default channel is Channel 11 - 0x0B */// Channels
2018-08-13 08:07:03
有的話，硬件方案和軟件方案分別是什么呢？用了2.4GHZ的Zstack，但是查915MHZ的沒(méi)找到。
2018-08-13 08:11:08
e絡(luò)盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開(kāi)發(fā)板，進(jìn)一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
、上位機(jī)等，給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái)，給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
915MHZ無(wú)線收發(fā)器nRF905:nRF905 單片無(wú)線收發(fā)器工作在433/868/915MHZ 的ISM 頻段。由一個(gè)完全集成的頻率調(diào)制器，一個(gè)帶解調(diào)器的接收器，一個(gè)功率放大器，一個(gè)晶體震蕩器和一個(gè)調(diào)節(jié)器組
2009-09-02 15:38:48
98 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 飛思卡爾半導(dǎo)體公司以合理的性價(jià)比點(diǎn)，面向OEM(原始設(shè)備制造商)推出三款先進(jìn)的工業(yè)RF功率晶體管。 增強(qiáng)的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271045 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門(mén)面向U
2011-09-13 18:25:061179 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無(wú)引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:222160 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
915nm158W高功率半導(dǎo)體激光器
2017-01-14 00:46:330 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11296 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無(wú)線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:002731 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06965 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CC1120EM 868/915MHz參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 14:16:082 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出了100W無(wú)線充電接收器芯片，這是業(yè)內(nèi)額定功率最高的無(wú)線充電接收芯片，面向當(dāng)前市場(chǎng)上最快的無(wú)線充電。使用意法半導(dǎo)體的新芯片STWLC99，不到30分鐘即可將一部電池容量最大的高端智能手機(jī)充滿電。
2022-12-08 10:17:04818 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483
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