德州儀器 （TI） 宣佈針對絕緣閘雙極性電晶體 （insulated-gate bipolar transistors；IGBT） 與MOSFET推出一款隔離式閘極驅動器，速度比同等光學閘極驅動器快40%。 ISO5500 的輸入 TTL 邏輯與輸出
2012-10-09 08:46:04
824 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 40V/2.5A同步降壓或升壓降壓控制器ISL85403，集成高邊MOSFET和低邊驅動器一款具有高邊MOSFET和低邊驅動器的40V，2.5A同步降壓或升壓降壓控制器--ISL85403。該芯片
2019-03-13 04:24:07
轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
描述AT2100是一種便于使用的內部集成了譯碼器的智能步進電機驅動器。其輸出驅動能力達到32V ±2.5A，最高支持16細分，同時支持插補細分工作功能。AT2100支持電壓衰減，使其完全靜音工作
2018-05-30 09:40:11
2.5A充放電，95%效率二合一IC,樣片及技術支持：947003649
2016-09-07 09:39:06
2.5A功率增強型電機驅動模塊的特性是什么？2.5A功率增強型電機驅動模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強型電機驅動模塊的優點有哪些？2.5A功率增強型電機驅動模塊的產品參數有哪些？2.5A功率增強型電機驅動模塊的注意事項有哪些？
2021-06-29 09:05:41
產品簡介：2.5A功率增強型電機驅動模塊，有高配版（含硅膠線、排針、端子）及標配版可供選擇，供電電壓2V~10V，可同時驅動兩個直流電機或者1個4線2相式步進電機，可實現正反轉和調速的功能，有熱保護
2021-06-29 07:25:56
IGBT、MOS驅動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。開關電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率半導體的基礎器件。在如今興起的新能源電動車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統
2023-02-21 15:53:05
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
IGBT 柵極驅動器，這種器件具有多種集成特性，如去飽和檢測和軟關斷（以便在故障情況下保護 IGBT）。外部 BJT 電流增壓級可提高柵極驅動電流 (15A)，而不必犧牲軟關斷特性。此外，該設計展示了在
2018-12-07 14:05:13
發生故障，僅僅是因為某些數字性溢出故障。
圖1：超級結MOSFET (a)和IGBT (b)橫截面，模型中包含嵌入式樣品制程參數
圖2：可從一個物理模型擴展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40:05
的效率密切相關。 對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅動能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應用 與MOSFET相比，IGBT開關速度較慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款單片高側和低側柵極驅動 IC，可驅動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級，所有 NMOS 晶體管設計用于實現高脈沖電流驅動
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
MIC37252的典型應用：2.5A，低壓電容LDO穩壓器。 Micrel MIC37252是一款2.5A低壓差線性穩壓器，可提供低電壓，高電流輸出和最少的外部元件。它具有高精度，低壓差和低接地電流
2019-04-23 08:44:22
描述：NCP302045MNTWG在一個封裝中集成了 MOSFET 驅動器、高壓側 MOSFET 和低壓側 MOSFET。該驅動器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉換器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術，以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
SCALE-2技術可優化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內的功率逆變器和變換器的效率、性能和深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號
2021-09-09 11:00:41
相結合，可實現電機設備標準化。推薦產品：BM6202FS-E2；ROHM其它相關產品請 點擊此處 了解特性參數：輸出MOSFET電壓：600V驅動器輸出電流(DC）：±1.5A(最大)驅動器輸出電流
2019-12-28 09:47:29
SLM346光兼容單通道隔離柵驅動器代替TLP5772 具有低延時，模瞬態抗擾能力強，壽命長 一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅動器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-5-16 09:52 編輯
一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅動器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A匯峰值輸出
2021-05-16 09:23:35
驅動器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A匯峰值輸出電流和5kVRMS加強隔離等級。SLMi350罐驅動低壓側和高壓側功率場效應晶體管。鑰匙，特點和特點帶來顯著的，性能和可靠性升級超過
2021-03-30 18:09:09
詳細說明:TLP352是可直接驅動中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產品的延遲時間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時間差(PDD*) 為90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
電機驅動設計中MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計相關文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
柵極驅動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅動器輸入可選擇通過如下方式評估系統：柵極驅動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側MOSFET/IGBT電源開關驅動的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
IGBT沒有體二極管或者IGBT內部的續流二極管壞掉了。IGBT非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
概述SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護
2022-06-10 15:16:08
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅動器光電耦合器的評估板，是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可提供必要的關鍵保護，以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能柵極驅動器光電耦合器的評估板，是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可提供必要的關鍵保護，以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障
2019-04-28 10:36:39
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
FEBFOD8316是FOD8316智能柵極驅動器光電耦合器的評估板，是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可提供必要的關鍵保護，以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障。引腳兼容引腳
2019-04-29 06:29:43
測試板。 實驗結果： 電流源驅動器和傳統電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關斷狀態下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅動器，可輕松用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們如何用DSP產生PWM波驅動IGBT的驅動器？代碼應該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品?！ ≡摦a品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
管子開關影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅動器的外殼結構以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發及測試
2023-03-23 16:01:54
ModuleSI8261BCC-C-ISRSilicon Labs18+9800 門驅動器 3.75kV Optoinput sgl channel 2.5A driverTPS2813PWRTexas
2018-08-02 09:39:35
這兩個驅動器能驅動42,57步進電機嗎？電壓、電流大概是24V、2.5A
2016-12-21 09:29:08
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現寄生導通和關斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅動器
2018-09-30 09:23:41
你好， 我想操作12V 2.5A額定電磁閥。 我想知道什么樣的電機驅動器IC適合它（通過pwm控制）。我對IC的RMS電流和峰值電流額定值感到困惑。 如果我選擇安培額定值高于螺線管的IC，那該怎么辦
2018-11-28 10:23:59
，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。你可以參考隔離產品選型指南 9、請問：最大輸出電流可以達到多少安培?謝謝! 根據您選擇的器件型號，Avago的光耦門極驅動器最大輸出電流可以達到0.4A，0.6A，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。
2018-11-05 15:38:56
，可提供完全經濟高效的柵極驅動解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅動工業電源逆變器和電機驅動器中的IGBT和功率MOSFET。最終結果是易于使用，緊湊且經濟實惠的IGBT柵極驅動光電
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高邊MOSFET驅動器，用于HB LED驅動器和DC-DC應用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅動器，高壓應用中可工作在較高的開關頻率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00637 Avago Technologies今日宣布推出2.5A最大輸出驅動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅動，該產品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和
2010-07-23 08:58:49931 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。
2014-03-25 10:19:44691 器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機驅動、可替代能源和其他高壓應用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅動器設計，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強絕緣技術，而且還提供最大8 A的驅動電流。
2016-05-10 17:39:341346 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations這家為中高壓變頻器應用提供閘極驅動器技術的領導廠商，宣布出廠保形涂層用于其SCALE IGBT和MOSFET驅動器。保形涂層透過保護電子元件免于接觸污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。
2020-03-05 14:27:583783 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有獨立的高、低壓側參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術使加固單片結構成為可能。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0049 中的功率消耗或損耗、發送到功率半導體開關 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅動器 IC 和功率半導體開關之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本
2021-06-14 03:51:003144 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
ACPL - 332J 是一種先進的 2.5 A 的輸出電流，方便易用的智能化的門極驅動器使得 IGBT 的 Vce 的故障保護更加緊湊，價格合理，且易于實現功能，如集成的Vce 檢測，欠壓鎖定（UVLO），IGBT 的“軟”關斷，隔離的集電極開路故障反饋和有源米勒鉗位提供最大的設計靈活性和保護電路。
2021-04-07 16:14:4946 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 
的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V ■ 輸入
2022-07-30 16:48:441471 MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域
2023-03-01 11:02:141 為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求，數明半導體近期推出車規級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ，該產品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3
2022-07-30 16:06:031436 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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