英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:33
1677 更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實現(xiàn)更緊湊設(shè)計的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:36518 
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 ? S7T產(chǎn)品系列。通過在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品，可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器，最適合用于提高固態(tài)繼電器（SSR）應(yīng)用的性能
2023-12-19 15:22:26900 
意法半導(dǎo)體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產(chǎn)品也是目前市場上第一顆650V并且?guī)Э旎謴?fù)二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應(yīng)對LLC硬關(guān)斷時各種現(xiàn)象
2018-12-05 09:56:02
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導(dǎo)通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
lighting LED調(diào)光驅(qū)動芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:40:17
lighting LED調(diào)光驅(qū)動芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:55:30
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
Imagination全新BXS GPU助力德州儀器汽車處理器系列產(chǎn)品實現(xiàn)先進圖形處理功能
2020-12-16 07:04:43
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
lighting LED調(diào)光驅(qū)動芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:58:14
：不含鹵素，符合 IEC 61249-2-21 規(guī)定TrenchFET? 功率 MOSFET典型 ESD 保護:800V符合 AEC-Q101經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試VDS(V)：-60VID(A):-2.9應(yīng)用：車載/汽車電子`
2019-07-09 17:30:39
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符號庫及PCB庫
2021-01-28 06:39:41
CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來說，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當(dāng)MOS關(guān)斷時，形成兩個反向偏置的PN結(jié)：P和垂直導(dǎo)電
2017-08-09 17:45:55
MOSFET的高性能BM2Pxxx系列，可解決AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計的課題。BM2Pxxx系列的產(chǎn)品陣容有24種機型。由“封裝”、“內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻”、“AC電壓過低時保護（BR：欠壓保護）”、“VCC
2018-12-04 10:08:00
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
應(yīng)用可能需要一個額定漏源電壓為20 V 的MOSFET，而汽車應(yīng)用可能需要一個額定漏源電壓為60 V的MOSFET。最大結(jié)溫對MOSFET的可靠性很重要，且一定不可超越。這是決定采用哪個MOSFET用于
2018-10-18 09:13:03
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發(fā)站內(nèi)信聯(lián)系我！基本參數(shù)為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數(shù)再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
基于CFD 的汽車外流場數(shù)值模擬的發(fā)展概述摘要: 介紹了國內(nèi)外在應(yīng)用計算流體力學(xué)(Calculation Fluid Dynamics) 對車身外流場數(shù)值模擬的研究發(fā)展?fàn)顩r。如今, 國外CFD 軟件
2010-03-18 22:20:11
本文重點介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
電壓范圍為 250 至 450V。基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程樣品構(gòu)建了原型，驗證了設(shè)計的性能和熱完整性。該原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充電
2023-02-27 09:44:36
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
2015年2月全新悄然上市，搭載基于AMD 最新桌面APU A8系列芯片、與技嘉深度合作定制的專屬主板M1M3XAP，尺寸為10cm×10cm，內(nèi)建 AMD A8-5545M APU 四核心處理器，使用技嘉
2015-03-10 16:56:21
=100 kHz,測試器件：具備相同硅芯片的IPW65R019C7（TO247）和IPZ65R019C7（TO247 4引腳） V.結(jié)語 本文分析了快速開關(guān)MOSFET封裝寄生電感對開關(guān)性能
2018-10-08 15:19:33
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
靈動微電子量身定制IoT專用MCU
2021-01-27 07:30:03
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術(shù)的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用先進的工藝制造技術(shù)，進一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
/600v-coolmos-n-channel-power-mosfet/IPW60R041C6/productType.html?productType=db3a304426e7f13b0127f2050dcb45ac 如何才能獲取到這個芯片的中文資料呢？
2020-05-15 05:55:54
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
的MOSFET設(shè)計了一種商標(biāo)CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來說，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當(dāng)MOS關(guān)斷
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是， CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET，可以視作英飛凌不斷創(chuàng)新的工匠精神和數(shù)年沉淀的行業(yè)經(jīng)驗的集大成之作。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)
2017-04-12 18:43:19
650V IGBT4，旨在提供更大的設(shè)計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度，并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低，帶來了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計用于中高電流應(yīng)用。相對于
2018-12-07 10:16:11
500V類似于COOLMOS的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使500V，12A的MOSFET 可封裝在TO-220管殼內(nèi)，導(dǎo)通電阻為0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，電流額定值與IRFP450相近。IXYS也有
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發(fā)中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
Gate Charge (typ. Qg = 13.6nC)? 100% avalanche tested驪微電子供應(yīng)SSF65R650S2場效應(yīng)管超結(jié)MOS，
2022-04-25 11:21:58
供應(yīng)士蘭微超結(jié)MOS SVSP35NF65P7D3耐壓650V35A ，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:25:36
SVS11N65DD2 650V11A超結(jié)大功率mos器件，提供SVS11N65DD2關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-30 16:37:08
SVSP35NF65P7D3 超結(jié)MOS管國產(chǎn)35A,650V，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高壓超結(jié)mos管，提供SVSP65R041P7HD4關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-19 14:56:39
供應(yīng)SVS7N65FJD2 7A,650V 超結(jié)MOS管國產(chǎn)-士蘭微mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:34:47
供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高壓超結(jié)mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請 向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:06:39
供應(yīng)超晶結(jié)mos管SVSP11N65DD2 11A,650V ，提供SVSP11N65DD2士蘭微mos管選型pdf關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:16:07
供應(yīng)杭州士蘭微mos SVS14N65FJD2超結(jié)mos 14A,650V ，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:40:20
供應(yīng)600V20A超結(jié)MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結(jié)MOS SVS20N60FJD2關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
華潤微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 現(xiàn)貨供應(yīng) CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
華潤微coolMOS 現(xiàn)貨供應(yīng) CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
華潤微CRJD380N65G2_TO-252超結(jié)MOS 內(nèi)阻330mΩ 650V12A 華潤華晶coolMOS 現(xiàn)貨供應(yīng)
2023-01-05 16:09:28
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優(yōu)點是：用它做開關(guān)電源，無需加散熱器，在通用電網(wǎng)即可輸出20～50W 的功率；保護功能齊全
2012-06-20 16:43:40
34 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381390 CIPOS Mini IPM分別為兩相和三相橋接器，集成了Infineon CoolMOS CFD2 650 V功率MOSFET和經(jīng)過優(yōu)化的SOI柵極驅(qū)動器，擁有出色的電氣性能。
2018-07-03 10:24:00778 最新CoolMOS系列MOSFET獨特的封裝技術(shù)，在采用了表面貼裝的ThinPAK后極可實現(xiàn)600伏的電壓。另外，張建浩先生還就使用表面貼裝MOS管提出了建議，即在PCB板上以打孔的方式，實現(xiàn)散熱功能。
2018-06-26 16:48:007652 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標(biāo)桿， 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256753 以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應(yīng)用測量結(jié)果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:322579 
650V CoolMOS CFDA功率MOSFET這種全新解決方案兼具快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點：更高的輕載效率、更低的柵極電荷、更低的開關(guān)損耗、更易使用以及卓越可靠性等。
2019-09-25 10:20:429102 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
2020-10-09 15:28:261168 MathWorks面向汽車應(yīng)用開發(fā)的量身定制工具說明。
2021-05-31 11:26:318 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
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