?●空調壓縮機、工業電機驅動 ?●高效高密度工業、通信、服務器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓撲 ? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創新地將隔離技術方案應用于高壓半橋驅動中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求。可適
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流 ,有時，設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
傳感器時要面臨一些挑戰，這些挑戰與絕緣的嚴格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關。有不同的方法可以測量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。
2023-02-20 10:56:38426 6482型雙通道皮安表/電壓源的技術指標是什么
2021-05-06 06:28:38
0引言在高壓大功率領域,電壓源型中性點箝位(NPC)三電平逆變器因其特定的優點而取代了傳統的兩電平逆變器,成為驅動交流電機的高質量逆變器[1,2],工業界正普遍將電壓源型三電平逆變器應用于高壓大功率
2021-09-03 06:56:46
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 編輯
關于電壓源與電流源串聯之后電壓源無法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負極接基極
2020-08-11 10:04:29
本帖最后由 Stark揚 于 2018-10-18 11:27 編輯
如果一個電路只有一個電流源，沒有電壓源，那么哪來的電壓來提供給電路呢？比如上面這個電路，電流源的話是改變兩端電壓來達到特定
2018-10-18 11:21:46
電壓控制電壓源與壓控源有區別嗎
2018-04-21 10:25:03
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC，帶關斷和可編程死區時間控制功能，能驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
能力和最低交叉傳導。Fairchild 的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv/dt 噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路，能使高側柵極驅動器的工作電壓在 VBS=15 V 時高達 VS
2022-01-18 10:43:31
HBDY-9型靜態型無源電壓繼電器技術溝通***品牌:JOSEF約瑟名稱:靜態型無源電壓繼電器型號:HBDY-9B22/DE功率消耗:≤1W觸點容量:250V5A額定電壓:100,220VAC動作
2021-07-07 07:23:01
的柵源電荷。盡管降低CDS 或增大CGS可降低C dv/dt感應電壓，但Q2的C dv/dt感應導通還取決于漏源電壓 VDS-Q2 和閾值電壓Vth。由于柵極閾值電壓會隨著溫度的升高而降低，因此這個
2019-05-13 14:11:31
/dt速度太快引起的，因低邊SiC-MOSFET的柵極寄生電容與柵極阻抗而產生柵極電壓升高⊿Vgs。SiC-MOSFET的開關導通速度依賴于外置柵極電阻Rg，如上圖所示，Rg越小則dV/dt越大。關于
2018-11-30 11:31:17
大電容器來緩沖無功功率，則構成電壓源型變頻器；如采用大電抗器來緩沖無功功率，則構成電流源型變頻器。 電壓型變頻器和電流型變頻器的區別僅在于中間直流環節濾波器的形式不同，但是這樣一來，卻造成兩類變頻器在性能
2017-06-16 21:51:06
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
關于6482型雙通道皮安表/電壓源的基本知識
2021-05-11 06:52:48
交直流儀表現場標準源的主要特點是什么？交直流儀表現場標準源的技術指標是什么？交直流儀表現場標準源的工作原理是什么？
2021-05-10 06:14:51
分辨率、逐次逼近型 ADC 的整體精度取決于精度、穩定性和其基準電壓源的驅動能力。ADC 基準電壓輸入端的開關電容具有動態負載，因此基準電壓源電路必須能夠處理與時間和吞吐速率相關的電流。某些 ADC
2020-04-14 07:00:00
高分辨率、逐次逼近型 ADC 的整體精度取決于精度、穩定性和其基準電壓源的驅動能力。ADC基準電壓輸入端的開關電容具有動態負載，因此基準電壓源電路必須能夠處理與時間和吞吐速率相關的電流。某些ADC
2021-03-16 12:04:19
高負載電流下，其電壓V通用電氣（米勒）更高［1］。從公式3可以明顯看出，在較高的米勒平臺電壓下，柵極電流較低。因此，通過使用電壓源驅動器，可以預期導通dv/dt將隨著負載的增加而穩步下降，從而導致更高
2023-02-21 16:36:47
如何對2602型源表進行編程？有哪些流程？
2021-05-13 06:01:53
On-Off快速循環轉換的狀態，dv/dt和di/dt都在急劇變換，因此，功率開關管既是電場耦合的主要干擾源，也是磁場耦合的主要干擾源。 （2）高頻變壓器：高頻變壓器的EMI來源集中體現在漏感對應
2011-07-11 11:37:09
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
Three-PhaseProgrammable Voltage Source就可以搜到。1 恒定電壓源如果要一個恒定的電壓源，那么只需要調整第一行的數就可以了（標紅部分）圖中的100表示幅值，在這個地方要寫的是三相電壓源相與相之間的電壓有效值，注意這個理想電壓源是Y型聯結，即該處填寫的幅值為相電壓幅值的3\sqrt33?倍圖
2021-12-29 08:21:45
電壓達到閾值之前的柵源電荷。盡管降低CDS 或增大CGS可降低C dv/dt感應電壓，但Q2的C dv/dt感應導通還取決于漏源電壓 VDS-Q2 和閾值電壓Vth。由于柵極閾值電壓會隨著溫度的升高而降
2011-08-18 14:08:45
，可以實現在增大開通時間，減小電壓變化率的同時，保證了較短的關斷時間。 圖3 改進后驅動電路 理論上，開通時間越長dv/dt應力越小，振蕩產生的干擾效果就越不顯著，但是由MOSFET開關損耗近似公式
2018-08-27 16:00:08
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅動器集成電路 FAN7382 可以驅動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術提供了高壓側驅動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
電流驅動型的PHY是怎樣連接的？電壓驅動型的PHY是怎樣連接的？網絡變壓器H1601SR的內部結構是怎樣組成的？
2021-10-08 07:10:19
如果給一款芯片供電（比如直流48V），要接入鋁電解電容當做濾波、儲能之用。又看到這樣的思路來計算所選電容的容值大小。“利用Ic=c*dv/dt，一般dv對應于芯片允許的電源紋波，dt對應芯片內部
2019-05-23 16:35:50
摘要：高分辨率、逐次逼近型ADC的整體精度取決于精度、穩定性和其基準電壓源的驅動能力。ADC基準電壓輸入端的開關電容具有動態負載，因此基準電壓源電路必須能夠處理與時間和吞吐速率相關的電流。有些
2018-09-27 10:57:26
摘要：高分辨率、逐次逼近型ADC的整體精度取決于精度、穩定性和其基準電壓源的驅動能力。ADC基準電壓輸入端的開關電容具有動態負載，因此基準電壓源電路必須能夠處理與時間和吞吐速率相關的電流。某些
2018-09-27 10:29:41
問下大家，一般開關的開關速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒有計算關系？還是說一般取經驗值，為什么一般上升速度會做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:1543 USB 2.0 TO Lan(DT-5016)驅動下載
2009-12-09 21:25:06288 單正向柵驅動IGBT簡化驅動電路設計方案
目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動
2010-03-19 11:58:0640 松下 NV-GS120攝像機驅動下載DV STUDIO3.12E-SE.zip
2010-04-01 14:41:5313
DT810型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:42:08646 
DT830A,CM3900,DT840型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:45:54564 
DT830A,CM3900,DT840型小數點及低電壓指示符驅動電路圖
2009-07-18 16:46:29468 
DT830A,CM3900,DT840型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:47:17441 
DT830型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 16:58:162257 
DT830型小數點驅動及低電壓指示電路圖
2009-07-18 16:59:231009
DT830型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:02:22687 
DT890、DT890A型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:13:031000 
DT890B型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:27:39804 
DT890B型小數點及低電壓指示符驅動電路圖
2009-07-18 17:28:58702 
DT890B型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:29:581226 
DT-1型交流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:32:58517 
DT-1型顯示驅動電路圖
2009-07-18 17:33:25455 
DT-1型直流電壓測量電路圖
2009-07-18 17:34:43456 
DT809C型交流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:28:07567 
DT809C型小數點與低電壓指示符的驅動電路圖
2009-07-20 17:28:33462 
DT809C型直流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:29:22457 
DT940C型直流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:36:38662 
DT940C型交流電壓測量電路圖
2009-07-20 17:39:08682 
DT860型“×10”標識符的驅動電路圖
2009-07-21 17:35:50569 
DT860型基準電壓發生電路圖
2009-07-21 17:38:22740 
DT930F型交流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:17:361007 
DT930F型直流電壓測量電路圖
2009-07-22 17:19:31932 
回顧“數字設計基礎知識--頻率與時間”文中式，數字信號主要的頻率分量都位于
2010-06-01 17:52:461646 
DT232 驅動USB2.0 Driver
2015-11-23 12:05:4418 Si827x數據表：具有高瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 高共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統內自然生成。本文將討論混合動力系統驅動器內各種 dV/dt 噪聲的來源，并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅動電子設備的影響。
2017-09-12 11:03:143 器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進一步擴展光電產品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態電壓高達800 V，靜態dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態電壓高達800V，靜態dV/dt為1000V/μs，具有高穩定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業設備。 日前發布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01321 dV/dT濾波器在遠離電機300米處仍然能保證滿足電機的最大峰值電壓規格（母線電壓的150%）。它的額定值為最大達每毫秒200V的dV/dT值。但在一些特別的應用中，電纜長度達到900米時，這種
2019-05-13 16:12:106044 dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對系統來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統電路可以進行修正。
2020-06-05 09:18:4717624 高共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統內自然生成。本文將討論混合動力系統驅動器內各種 dV/dt 噪聲的來源，并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅動電子設備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
電子發燒友網為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關斷dV/dT也會不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側，用來抑制變頻器逆變側的Du/Dt，保護電動機，同時，還能夠延長變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無法改變變頻器逆變側的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:223889 
通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅動在芯片技術、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有明顯的優勢，是高性能高可靠性隔離型驅動的最佳選擇。
2022-04-11 14:51:171393 
/dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅動特性。為了加深大家對高速功率半導體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數，圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參數包括：開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton，電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:216742 在圖1的半橋電路中，動作管為下管S1，施加在上管S2的為關斷驅動信號，其體二極管處于續流狀態。當S1進行開通時，其端電壓VDS1下降，則S2開始承受反向電壓，其兩端的電壓VDS2以dV/dt的速度快
2022-06-23 10:57:08922 
在電動機控制等部分應用中，放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:491179 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44699 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01553 
di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時，施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
PWM逆變器直接驅動電機時會產生較高dv/dt的共模電壓,并由此產生軸承電流和共模漏電流以及嚴重的的電磁干擾(EMI)。dv/dt濾波器，主要應用于工業自動化系統中，用于保護電機不受峰值電壓的影響。
2023-02-23 09:51:59465 
的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
９.３.４dv/dt觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-03-29 10:35:54214 
①靜態dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻，可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26702 
泰藝電壓控制石英振蕩器DT-515150.8x50.8mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-656565x65mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050
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