來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活動(dòng)是對(duì)11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個(gè)角度來研究
2021-01-24 12:16:38
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本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:571150 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院徐曉敏團(tuán)隊(duì)從有機(jī)晶體管基本元件（有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電解質(zhì)門控晶體管、有機(jī)電化學(xué)晶體管）的構(gòu)建、工作原理到柔性高密度陣列的制備策略、用作神經(jīng)活動(dòng)記錄的最新進(jìn)展及未來發(fā)展方向展開了深入討論。
2022-11-28 16:03:271042 以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。
2023-02-03 14:55:531315 
電路中，晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管（BJT）或者場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:312851 
晶體管，一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)多指晶體三極管。
2023-02-20 16:32:394885 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS
2023-02-21 17:23:4612961 
NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí)，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡單介紹。
2023-04-17 11:58:511767 
之前的文章對(duì)MOS電容器進(jìn)行了簡單介紹，因此對(duì)MOS晶體管的理解已經(jīng)打下了一定的基礎(chǔ)，本文將對(duì)深入介紹NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理，最后再從機(jī)理上對(duì)漏源電流的表達(dá)式進(jìn)行推導(dǎo)說明。
2023-04-17 12:01:583741 
TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:451719 
傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:201942 
原理。 一、原理 晶體管收音機(jī)的工作原理主要涉及到放大、檢波和諧振三個(gè)過程。 放大過程 晶體管收音機(jī)中的放大過程利用到了晶體管的放大特性。晶體管可以通過控制輸入信號(hào)的電流，將輸入信號(hào)的弱小電流信號(hào)放大成足夠大的信號(hào)。具體
2023-12-07 15:03:38709 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
器件，而負(fù)載管可以是增強(qiáng)型也可以是耗盡型。現(xiàn)以增強(qiáng)型器件作為負(fù)載管的NMOS反相器為例來說明它的工作原理。 或非門的工作管都是并聯(lián)的，增加管子的個(gè)數(shù)，輸出低電平基本穩(wěn)定，在整體電路設(shè)計(jì)中較為方便
2009-04-07 00:18:19
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問題來了，晶體管有哪些類型，其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
、PNP晶體管的應(yīng)用PNP晶體管用于源出電流，即電流流出集電極。PNP 晶體管用作開關(guān)。這些用于放大電路。當(dāng)我們需要通過按下按鈕關(guān)閉某些東西時(shí)，就會(huì)使用 PNP 晶體管。即緊急關(guān)閉。用于達(dá)林頓對(duì)電路。用于
2023-02-03 09:44:48
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
電流鏡電路可以用晶體管和MOSFET來搭建，盡管我們可以用這兩個(gè)簡單的有源器件或直接使用一個(gè)放大器電路，但其輸出并不完美，而且有著自身的局限并依賴于外部因素。所以為了得到穩(wěn)定的輸出，我們必須在電流鏡
2019-11-05 16:27:10
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制
2017-09-12 11:10:57
)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)都有信號(hào)放大的作用，也都有3個(gè)管腳，且封裝大小兩者都類似，然而這么如此相似的兩種管，無論是材質(zhì)組成、工作原理、使用方式，它們都不一樣，但是究竟兩者之間有何區(qū)別，到底誰才可以被稱為電子
2019-04-08 13:46:25
) 額定值范圍為 80 mA 至 600mA。
這些晶體管有兩種形式，例如 PNP 和 NPN。該晶體管的最高工作頻率為 1 至 300 MHz。這些晶體管用于放大幾伏等小信號(hào)以及僅使用毫安電流時(shí)。一旦
2023-08-02 12:26:53
晶體管的工作原理是一樣的。》 光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區(qū)域，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過內(nèi)部電放大機(jī)制并產(chǎn)生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
本實(shí)驗(yàn)的目的是研究雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。
2021-02-24 06:24:07
上一篇文章介紹了PMOS結(jié)構(gòu)LDO的基本工作原理，今天介紹NMOS LDO的基本工作原理，以及其他一些重要的LDO參數(shù)。包括PSRR、Dropout Voltage、Head room等。公眾號(hào)
2021-12-28 06:42:05
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
雙極型晶體管工作原理
2012-08-20 08:53:35
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域。 圖1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
電壓后，電磁感應(yīng)使銜鐵與永久磁鐵產(chǎn)生吸引和排斥力矩，產(chǎn)生向下的運(yùn)動(dòng)，最后達(dá)到吸合狀態(tài)。 3、 晶體管驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路 當(dāng)晶體管用來驅(qū)動(dòng)繼電器時(shí)，推薦用NPN三極管。具體電路如下： 工作原理簡介
2018-10-10 09:32:13
繼電器線圈通電，觸點(diǎn) RL1吸合。當(dāng)晶體管T1基極被輸入低電平時(shí)，晶體管截止，繼電器線圈斷電，觸點(diǎn) RL1斷開。 編輯點(diǎn)評(píng)：本文介紹了繼電器的工作原理以及繼電器的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要根據(jù)所用繼電器線圈的吸合電壓和電流而定，一定要大于繼電器的吸合電流才能使繼電器可靠地工作。
2017-10-19 13:11:57
其他電子設(shè)備，因此無法做到這一點(diǎn)，因?yàn)榇蠖鄶?shù)微控制器的最大輸出電流為50毫安。在本文中，我們將討論MOSFET晶體管及其工作原理。 可以切換大負(fù)載或調(diào)節(jié)直流電動(dòng)機(jī)的功率。我們知道，可以通過繼電器也可以
2021-09-07 06:50:14
、誰能跟我探討下工作原理
2015-01-05 10:49:02
用作壓控電阻的晶體管
2010-05-11 16:53:35
47 光敏晶體管工作原理,這里介紹的是晶體管二極管三極管的工作原理。
光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比
2007-12-22 10:18:4411353 二極管用作混頻電路
2009-08-06 11:28:432871 
二極管用作斬波電路
如圖是一個(gè)最簡單的斬波電路，當(dāng)控制電壓為零伏時(shí)
2009-08-17 10:59:012214 
二極管用作AGC電路
阻尼二極管
2009-08-17 11:37:19984 
電力晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常
2009-11-05 12:02:421960 單結(jié)晶體管的工作原理和特性曲線
當(dāng)b1—b2．間加電源VBB，且發(fā)射極開路時(shí)，A點(diǎn)電位及基極b2的電流為：
2010-02-27 16:02:176891 晶體管工作原理是什么?
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看
下
2010-03-01 10:59:4334491
晶體管工作原理--Html版本
2010-03-01 11:01:354778 晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路工作原理
晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的功能，完整電路圖，工作原理，制作調(diào)試過程
要詳細(xì)
2010-03-01 11:04:298410 什么是光敏晶體管,光敏晶體管工作原理是什么?
光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可
2010-03-01 11:10:532695 超高頻晶體管,超高頻晶體管工作原理
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示
2010-03-01 11:16:07708 本文開始介紹了晶體管的分類與場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測(cè)方法。
2018-02-01 09:18:3226531 了基礎(chǔ)。 在本文中，我們將討論以下內(nèi)容； 何為晶體管？ 晶體管又稱雙極結(jié)型晶體管 (BJT)，是由電流驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)，其中，基極引線中的較小電流控制集電極和發(fā)射極之間較大的電流。它們能用于放大弱信號(hào)，用作振蕩器或開關(guān)。 晶體管
2018-08-06 09:26:3295363 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道，接下來我們就以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理進(jìn)行說明。
2018-11-26 17:30:4176588 工藝的不同可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3133271 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體，2個(gè)PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號(hào)和基本工作原理，如圖1所示。
2019-09-02 08:57:4512961 
在硅電源的直流回路中，串入大功率晶體管組，以獲得所需任意類型的外特性和對(duì)電流、電壓無級(jí)調(diào)節(jié)的焊機(jī)，叫晶體管式弧焊電源，它是由電子控制的弧焊電源。
2019-11-27 14:56:166099 
CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0013392 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極（G）與源極（S）和漏極（D）構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導(dǎo)電性來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。
2020-08-07 17:15:337412 單結(jié)晶體管是半導(dǎo)體器件，又稱基極二極管，雖然有三個(gè)管腳，但它只有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以把它叫做雙基極二極管。 ? 單結(jié)晶體管工作原理： 在電路中讓基極b2和基極b1電位較正，單結(jié)晶體管處于截止
2021-08-12 14:39:149922 上管，S極接固定的VCC，用G極來控制管子的導(dǎo)通截止。用作下管時(shí)，因?yàn)镾極電源不確定，無法確定G極電壓來控制管子的導(dǎo)通截止。今天的問題并不是這個(gè)，而是說DC-DC上管為什么用NMOS的多，而不是PMOS。上管用NMOS，還要用到自舉電容，麻煩還增加成本。關(guān)于自舉電容，可以看這篇文章：DC-DC BUCK自舉
2021-11-09 21:06:007 稱為“雙極”晶體管，是因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工作涉及電子和空穴的流動(dòng)。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場(chǎng)效應(yīng)管的單極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個(gè)不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-12 14:45:153217 稱為“雙極”晶體管，是因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工作涉及電子和空穴的流動(dòng)。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場(chǎng)效應(yīng)管的單極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個(gè)不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-17 09:04:104136 時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是開關(guān)作用。 我們常聽到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構(gòu)成了其功能的基礎(chǔ)。 晶體管的工作原理 晶體管由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極-發(fā)射極間流過電流。 在這里，以
2023-02-03 11:35:471217 晶體管大致可以分為“NPN”和“PNP”兩種類型。主要是根據(jù)集電極引腳側(cè)在電路中是吸入還是輸出電流來區(qū)分使用晶體管。
如果想根據(jù)輸入信號(hào)進(jìn)行開關(guān)，那么使用NPN型晶體管，發(fā)射極接地。如果想在電源側(cè)進(jìn)行控制，則通常使用PNP型晶體管。
2023-02-05 14:54:201313 芯片晶體管工作原理 晶體管是一個(gè)簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)
2023-02-08 13:58:212560 NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流動(dòng)，以及控制電路的輸入和輸出信號(hào)。
2023-02-11 16:09:0511831 
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149781 
nMOS晶體管導(dǎo)通是通過溝道里面的電子產(chǎn)生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動(dòng)，我們?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">電流的方向和電子流動(dòng)的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端
2023-02-11 16:48:0312265 
功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:371971 雙極型晶體管的工作原理是，當(dāng)電流流向晶體管的一端時(shí)，它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反向電壓，從而阻止電流流向另一端。這種反向電壓可以用來控制電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的處理。
2023-02-19 17:58:353076 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-03-25 10:40:43672 光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12656 雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:23:134372 數(shù)字晶體管（Digital Transistor）是一種集成了基極電阻的雙極性晶體管，其工作原理類似于常規(guī)的晶體管，但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
2023-05-29 15:58:39517 
晶體管是一種非常重要的電子元件，它是電子器件中最基本的元件之一，也是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心之一。晶體管的出現(xiàn)，使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高，進(jìn)而促進(jìn)了現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展。本文將從晶體管的歷史發(fā)展、工作原理、種類以及應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-06-02 09:51:462363 雖然晶體管（BJT）通常用于制造放大器電路，但它們也可以有效地用于開關(guān)應(yīng)用。
2023-06-03 16:11:261617 
設(shè)備等消費(fèi)電子、通訊和工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域。在這篇文章中，我們將深入探討晶體管的三種工作狀態(tài)。 一、截止?fàn)顟B(tài) 當(dāng)晶體管的控制電壓為零或負(fù)值時(shí)，電流無法通過晶體管，此時(shí)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。在晶體管截止?fàn)顟B(tài)下，集電極的
2023-08-25 15:29:424371 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141804 電流源的兩種實(shí)現(xiàn)方法。 晶體管（BJT）電流源 晶體管是一個(gè)基本電子元件，它有三個(gè)區(qū)域：發(fā)射極，基極和集電極。當(dāng)電子從發(fā)射極流入基極時(shí)，它們將繼續(xù)前進(jìn)并到達(dá)集電極。當(dāng)晶體管處于這種狀態(tài)時(shí)，它被稱為工作狀態(tài)，可以用作放大
2023-09-18 10:44:17509 晶體管就像電子開關(guān)一樣工作。它可以打開和關(guān)閉電流。一種簡單的思考方法是將晶體管視為沒有任何活動(dòng)部件的繼電器。晶體管在某種意義上類似于繼電器，您可以使用它來打開和關(guān)閉某物。
2023-10-15 16:30:001197 
晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:131240 
PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開？PMOS可以背靠背使用，那NMOS呢？ PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式，因此不能同時(shí)
2023-10-23 10:05:221021 晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔谩?b class="flag-6" style="color: red">NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來，我們
2023-12-18 13:56:221528
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