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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

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美信電子推MAX256用于隔離電源的3W原邊變壓器H橋驅(qū)動(dòng)器

MAX256概述 MAX256是一款用于隔離電源電路的集成原邊控制器和H橋驅(qū)動(dòng)器。該器件含有板上振蕩器、保護(hù)電路以及內(nèi)部FET驅(qū)動(dòng)器,可為變壓器的
2011-08-25 16:24:592012

德州儀器推柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311172

TI推出具有可調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力的刷式直流(DC)柵極驅(qū)動(dòng)器

日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置,可在更為寬泛的范圍內(nèi),靈活的驅(qū)動(dòng)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),從而支持多種電機(jī),以
2015-07-06 14:35:111971

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能?

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感,并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-06-06 16:14:312534

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器,擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404

集成柵極驅(qū)動(dòng)器GaN ePower超快開關(guān)

GaN-on-silicon器件的橫向FET結(jié)構(gòu)有助于功率器件和信號(hào)器件的單片集成,集成GaN功率ic開始在商業(yè)上出現(xiàn)【2】、【3】。這種集成有望降低尺寸和成本,同時(shí)提高可靠性和性能。 本文舉例說(shuō)明了集成FET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC的優(yōu)勢(shì)。該IC主要用作間接飛行時(shí)間應(yīng)用
2024-03-05 14:29:42482

貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì),能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421

200V交流伺服驅(qū)動(dòng)器的三相高PWM逆變器全部設(shè)計(jì)資料

FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多,而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感,并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗,從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14

48輸出LED驅(qū)動(dòng)器介紹

今年年初,TI 推出了業(yè)界第一個(gè) 48 輸出(48 通道)LED 標(biāo)牌顯示驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列。TLC5954、TLC5955 和 TLC5958 提供三個(gè)等級(jí)的集成度,支持不同程度的靈活性
2022-11-21 07:18:52

48輸出LED驅(qū)動(dòng)器讓顯示牌更加不同

的價(jià)格。為了支持這一需求,我們正在努力開發(fā)新技術(shù),進(jìn)一步優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)這些顯示屏的 LED 驅(qū)動(dòng)器。今年年初,TI 推出了業(yè)界第一個(gè) 48 輸出(48 通道)LED 標(biāo)牌顯示驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列。TLC5954
2018-09-12 14:37:21

8.2V至60V的四電平低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)集成電路

特征?4通道保護(hù)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器–四個(gè)帶過(guò)電流保護(hù)的NMOS FET集成電感鉗位二極管–并行接口?DW封裝:1.5-A(單通道開啟)/800毫安(四通道開啟)每個(gè)通道的最大驅(qū)動(dòng)電流(25°C時(shí))?PWP
2020-09-15 17:20:36

GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

對(duì)比GaN FET:新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中,FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開封裝,因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù),并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外,這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計(jì)

欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),如果輸入電源電壓過(guò)低,則可防止FET部分導(dǎo)通。鉗位還防止高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器超過(guò)FET的最大柵極電壓。LMG5200的特點(diǎn)包括15mΩ導(dǎo)通電阻GaN FET,80 V連續(xù)或100
2017-05-03 10:41:53

GaN HEMT在電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)

的電感會(huì)產(chǎn)生振響,從而可能導(dǎo)致電流保護(hù)電路出現(xiàn)故障。集成封裝的第二個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是可以在驅(qū)動(dòng)元件中內(nèi)置熱傳感,確保在過(guò)熱情況下GaN HEMT損壞之前關(guān)閉。TI(德州儀器)推出了一基于GaN HEMT
2019-07-16 00:27:49

GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成實(shí)現(xiàn)高性能

保護(hù)可以置于驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部,使得當(dāng)感測(cè)到的溫度超過(guò)保護(hù)限值時(shí),GaN FET將關(guān)閉。一個(gè)串聯(lián)MOSFET或一個(gè)并聯(lián)GaN感測(cè)FET可以被用來(lái)執(zhí)行過(guò)流保護(hù)。它們都需要GaN器件與其驅(qū)動(dòng)器之間具有低電感連接
2018-08-30 15:28:30

TI SN74LV1T系列,集成邏輯門及上下轉(zhuǎn)換功能

  導(dǎo)讀:日前,德州儀器(簡(jiǎn)稱“TI”)新增SN74LV1T系列產(chǎn)品,該SN74LV1T系列新品是采用單電源供電的集成邏輯門及上下轉(zhuǎn)換功能的邏輯器件,可充分滿足平板電腦、智能手機(jī)、PC以及服務(wù)
2018-11-29 11:09:55

TI推出業(yè)界最小的12V、750mA DC/DC電源穩(wěn)壓

  導(dǎo)讀:據(jù)報(bào)道,德州儀器(簡(jiǎn)稱“TI”)日前推出業(yè)界最小的12V、750mA DC/DC電源穩(wěn)壓LMR22007.此器件支持高性能并采用極小型毫微級(jí)封裝,非常適合消費(fèi)類、工業(yè)以及汽車等領(lǐng)域的需求
2018-09-27 15:16:02

TI集成式原型機(jī)助力GaN技術(shù)推廣應(yīng)用

性能。我們深知,TI必須另辟蹊徑。通過(guò)將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝,我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能,以降
2018-09-11 14:04:25

TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

,并且優(yōu)化性能。我們深知,TI必須另辟蹊徑。通過(guò)將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝,我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能,以降
2018-09-10 15:02:53

電源管理集成電路包括哪些

,集成電路芯片內(nèi)數(shù)字電路的物理尺寸越來(lái)越小,因而工作電源向低電壓發(fā)展,一系列新型電壓調(diào)整應(yīng)運(yùn) 而生。電源管理接口電路主要有接口驅(qū)動(dòng)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器以及高電壓/大電流的...
2021-11-15 06:25:27

集成FET的優(yōu)勢(shì)

6V)及中間電壓輸入(高達(dá) 30V)器件已經(jīng)非常普遍了。與傳統(tǒng)控制加外部電源開關(guān)相比,集成FET 電路可提供大量?jī)?yōu)勢(shì):更小的尺寸驅(qū)動(dòng)器與停滯時(shí)間可針對(duì)內(nèi)部 FET 進(jìn)行優(yōu)化…
2022-11-23 06:34:38

集成FET的大量?jī)?yōu)勢(shì)

電流處理能力的低電壓輸入(3V 至6V)及中間電壓輸入(高達(dá) 30V)器件已經(jīng)非常普遍了。與傳統(tǒng)控制加外部電源開關(guān)相比,集成FET 電路可提供大量?jī)?yōu)勢(shì):更小的尺寸驅(qū)動(dòng)器與停滯時(shí)間可針對(duì)內(nèi)部 FET
2018-09-18 11:43:42

集成智能的EMI管理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過(guò)長(zhǎng),并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)。BLDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率
2019-07-25 07:42:43

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產(chǎn)品

。電源設(shè)計(jì)人員有時(shí)忽視了這個(gè)問(wèn)題,因?yàn)楣杵骷鸵恍в型獠?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器的GaN FET不會(huì)實(shí)現(xiàn)這么高的轉(zhuǎn)換速率。我成功地解決了這個(gè)問(wèn)題,通過(guò)在上部FET的隔離電源上增加額外的CM扼流圈,改善了數(shù)字控制的去耦
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寬帶PWM控制RF SMPA驅(qū)動(dòng)器描述

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2019-07-12 07:43:04

驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換的IC生態(tài)系統(tǒng)

。應(yīng)用的工作頻率、效率要求和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性要求使用同類最佳的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(例如ADuM4135),由高端隔離式電源電路(例如LT3999)供電??刂祈毨?b class="flag-6" style="color: red">集成高級(jí)模擬前端和特定安全特性的多核控制
2018-10-22 17:01:41

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減小尺寸和功耗的隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器,不看肯定后悔
2021-04-22 06:39:21

創(chuàng)建具有GaN速度,尺寸和功耗優(yōu)勢(shì)的LIDAR應(yīng)用

LMG1020。在此處查看演示:如下圖和上圖中所示,該GaN驅(qū)動(dòng)器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發(fā)板:這是帶有最少外部組件的簡(jiǎn)單應(yīng)用圖:LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器TI
2019-11-11 15:48:09

國(guó)內(nèi)首發(fā)納芯微小電機(jī)驅(qū)動(dòng)SoC——NSUC1610

(4個(gè)半橋),驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)1A(500mOhm的Rdson),集成對(duì)應(yīng)的門級(jí)驅(qū)動(dòng)和上管驅(qū)動(dòng)所需要的電荷泵電源內(nèi)部集成可配置的DAC,用來(lái)配置比較閾值,用于過(guò)流保護(hù)和步進(jìn)電機(jī)的微步控制支持4線
2023-02-17 14:15:19

GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無(wú)驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)(驅(qū)動(dòng)器GaN FET在同一集成電路上)——功率密度高,負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02

基于GaN的高效率CrM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換包括BOM及層圖

,功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器保護(hù)功能,可確保電路可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)使用 TI
2018-10-25 11:49:58

處理電源管理原理

本問(wèn)題。  Fairchild公司的FDMF8700是一支持Intel的DrMOS Vcoredc-dc變換標(biāo)準(zhǔn)、用于大電流同步降壓應(yīng)用的FET驅(qū)動(dòng)器的多芯片模塊。這是一個(gè)完全集成的功率級(jí)方案,采用8×8mm MLP
2009-10-22 17:10:37

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感,并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)
2022-11-16 06:23:29

平衡、電動(dòng)、扭扭寬電壓降壓恒壓 DC-DC 電源控制

AP8851 一寬電壓范圍降壓型DC-DC 電源管理芯片,內(nèi)部集成使能開關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器、過(guò)熱保護(hù)、限流保護(hù)、短路保護(hù)等功能,非常適合在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整度
2022-11-08 09:06:33

開關(guān)電源IC內(nèi)部集成穩(wěn)壓管可以做到過(guò)壓保護(hù)

最近做了一電源,所用IC的datasheet里說(shuō)明芯片VCC內(nèi)部集成18.8V穩(wěn)壓管。所以誤認(rèn)為IC不會(huì)產(chǎn)生過(guò)壓保護(hù)載的時(shí)候發(fā)現(xiàn)還是會(huì)過(guò)壓保護(hù),會(huì)發(fā)現(xiàn)VCC引腳的電壓是個(gè)三角波從18.8到25V的過(guò)壓三角波!請(qǐng)問(wèn)這個(gè)過(guò)壓保護(hù)內(nèi)部集成的穩(wěn)壓管帶來(lái)的嗎?
2019-02-12 17:11:44

意法半導(dǎo)體新款可擴(kuò)展規(guī)高邊驅(qū)動(dòng)器,采用專有 VIPower M0-9制造技術(shù)

電流非常低,僅為幾微安,在關(guān)閉車輛電源不用車時(shí),可最大限度地減少電瓶耗電量。新驅(qū)動(dòng)器采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-9制造技術(shù),除驅(qū)動(dòng)電流大和能效高外,還允許在小芯片面積上集成豐富功能。片上
2023-02-16 09:52:39

支持后燈單短路LED檢測(cè)的汽車前后燈LED驅(qū)動(dòng)器

TI新近推出汽車產(chǎn)業(yè)前燈雙通道開關(guān) LED 驅(qū)動(dòng)器與唯一一支持后燈單短路 LED 檢測(cè)的線性 LED 驅(qū)動(dòng)器。與市場(chǎng)上其它 LED 驅(qū)動(dòng)器不同,該 TPS92630-Q1
2018-09-17 15:58:45

新產(chǎn)品# MP8030 全集成802.3af/at/bt 兼容PoE PD 接口,集成高效率反激/正激控制

MP8030 是一內(nèi)置 PD 接口和高效率反激/正激控制的全集成、兼容IEEE 802.3af/at/bt協(xié)議的以太網(wǎng)供電 (PoE) 受電設(shè)備 (PD) 電源變換。PD接口兼容所有IEEE
2022-09-27 11:09:19

方波波形開關(guān)節(jié)點(diǎn)概述

和過(guò)溫保護(hù)集成驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合,此設(shè)備在高轉(zhuǎn)換速率下能夠執(zhí)行可靠切換,可簡(jiǎn)化您開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的電源解決方案的工作。其他信息:了解更多的GaN博客閱讀如何使用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能原文鏈接:http
2019-08-26 04:45:13

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)電源管理的直接轉(zhuǎn)換。  此外,自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?! ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低,并
2018-11-20 10:56:25

氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

特性,成為直接轉(zhuǎn)換架構(gòu)的強(qiáng)有力候選者。目前正在研究數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外,自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率
2019-03-14 06:45:11

激光雷達(dá)納秒級(jí)激光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述此激光雷達(dá)(光距離和范圍探測(cè))參考設(shè)計(jì)展示了一低側(cè)納秒 (ns) 級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020,該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45

電動(dòng)專用控制芯片 電動(dòng)儀表 電動(dòng)控制

AP8851 寬電壓降壓恒壓 DC-DC 電源管理芯片產(chǎn)品描述 特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域 應(yīng)用原理圖 AP8851 一寬電壓范圍降壓型 DC-DC 電源管理芯片,內(nèi)部集成使能 開關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器
2021-08-05 11:42:54

電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成的故事

://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5109b.pdf]LM5109B是低于100V的電機(jī)解決方案的通用解決方案。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見TI柵極驅(qū)動(dòng)器頁(yè)。若您喜歡集成度更高
2017-08-21 14:33:56

直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性

Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動(dòng)的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動(dòng)器保護(hù)功能的器件。它是一個(gè)
2023-02-14 15:06:51

誠(chéng)芯微原廠供應(yīng)CX3358充電管理馬達(dá)驅(qū)動(dòng)集成IC電動(dòng)抽水智能自動(dòng)上水PCBA方案

方案。外圍精簡(jiǎn),設(shè)計(jì)靈活更具性價(jià)比電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方案。以往電動(dòng)馬達(dá)需要實(shí)現(xiàn)充電與驅(qū)動(dòng)多功能方案,需要使用到充電管理IC加MCU加MOS,這樣不但空間小,元件多還成本高?,F(xiàn)誠(chéng)芯微推出CX3358這樣一
2020-07-06 10:47:31

請(qǐng)問(wèn)集成驅(qū)動(dòng)器是什么意思?

請(qǐng)問(wèn)集成驅(qū)動(dòng)器是什么意思?
2021-06-22 07:27:15

適用于UPS和逆變器的碳化硅FET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁(電動(dòng)汽車充電站)應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41

適用于中型LCD設(shè)備的內(nèi)置FET的白色LED驅(qū)動(dòng)器

了BD6142AMUV,BD65D00MUV內(nèi)置FET的白色LED驅(qū)動(dòng)器,主要應(yīng)用于中型LCD設(shè)備,筆記本電腦背光,顯示,燈,便攜式DVD播放。BD6142AMUV是一8通道白光LED驅(qū)動(dòng)器IC。該
2019-04-12 06:20:32

降壓轉(zhuǎn)換TPS54260電子資料

概述:TPS54260是德州儀器(TI)宣布推出支持高達(dá)60伏輸入電壓的2.5A降壓SWIFT 轉(zhuǎn)換。該款具有集成型高側(cè)FET的最新TPS54260單片同步開關(guān)轉(zhuǎn)換可為12V、24V以及48V負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)方案...
2021-04-20 06:44:57

高性能白光LED驅(qū)動(dòng)器SGM3726

【轉(zhuǎn)】PWM亮度控制的白光LED驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)高達(dá)10個(gè)LED,效率高達(dá)90%SGM3726是圣邦微推出的一高性能白光LED驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)部集成了40V的FET開關(guān)管,開關(guān)頻率為1.1MHz,開關(guān)電流
2019-04-11 02:02:54

高電流柵極驅(qū)動(dòng)器助力實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率

柵極驅(qū)動(dòng)器能夠通過(guò)降低開關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開關(guān)打開或關(guān)閉時(shí),就會(huì)出現(xiàn)開關(guān)損耗。為了打開FET,柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極電容的充電。驅(qū)動(dòng)
2019-08-07 04:45:12

高速柵極驅(qū)動(dòng)器助力實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)效率

,低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過(guò)通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--TPS51315 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,
2009-07-28 07:48:391051

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器
2010-02-23 09:26:57667

TI宣布推出一款完整LED照明驅(qū)動(dòng)器參考板

TI宣布推出一款完整LED照明驅(qū)動(dòng)器參考板    德州儀器 (TI) 聯(lián)合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驅(qū)動(dòng)器參考板,幫助解決成
2010-04-15 09:35:45549

TI推出低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器LM5114

德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435

TI面向汽車安全推出支持集成電源管理與CAN接口的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款最新器件進(jìn)一步豐富業(yè)界首個(gè)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列,幫助 TI 客戶設(shè)計(jì)符合 ISO26262 功能安全要求的汽車應(yīng)用。該 DRV32xx-Q1 系列目前包含 4 款支持內(nèi)建診斷功能的三相位無(wú)刷前置 FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
2013-07-18 15:39:56956

TI推出業(yè)界首款 100 V 高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)高電壓電池

近日,德州儀器(TI推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431165

TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:39874

集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感,并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:562887

利用TI的600V GaN FET功率級(jí)實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

)功率級(jí)工程樣品,使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比,新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061928

具有集成驅(qū)動(dòng)器GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

功率密度對(duì)比 GaN FET:新的集成系統(tǒng) 大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中,FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開封裝,
2022-01-12 16:22:471173

GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成消除了共源電感

作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌;設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin 導(dǎo)讀: 將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。 氮化鎵 (GaN
2022-01-26 15:11:021649

亞成微為客戶提供高品質(zhì)的電源芯片解決方案

GaN功率集成方面,亞成微推出應(yīng)用于大功率快充的 氮化鎵(GaN)功率集成開關(guān)電源RM6820NQ/RM6604ND系列,芯片采用了業(yè)界先進(jìn)的3D封裝技術(shù),內(nèi)部集成開關(guān)電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等,最大支持120W快充,具有小體積、高效率、高導(dǎo)熱率、高通流等特點(diǎn)。
2021-12-16 09:41:172887

具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200

英飛凌 | 集成電源管理的160V三相MOTIX?門級(jí)驅(qū)動(dòng)器

英飛凌 | 集成電源管理的160V三相MOTIX?門級(jí)驅(qū)動(dòng)器
2023-05-03 11:30:12379

全芯時(shí)代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器

該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263

ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-21 10:42:460

耐輻射12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:06:450

輻射硬化12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輻射硬化12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:02:050

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580

600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 14:17:130

600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070

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