功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
=VBE2-VBE1。這里,硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。(達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC)因此,根據(jù)由輸入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-04-09 21:27:24
?5. 連續(xù)脈沖?單脈沖?6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下?功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名,一般以樹(shù)脂封裝居多,這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比
2019-04-10 06:20:24
的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān),因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù),以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān),因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
型號(hào)的晶體管。 5.開(kāi)關(guān)三極管的選用小電流開(kāi)關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開(kāi)關(guān)晶體管,其最高反向電壓低于100V,耗散功率低于1W,最大集電極電流小于1A,可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
=VBE2-VBE1。這里,硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。(達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC)因此,根據(jù)由輸入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-05-09 23:12:18
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì),高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
和功率密度,這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此,開(kāi)始了氮化鎵晶體管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量,需要更大的散熱器。不幸的是,這增加了系統(tǒng)成本、重量和解決方案總尺寸,這在空間受限的應(yīng)用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)具有優(yōu)于硅MOSFET的多種優(yōu)勢(shì)
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高,這種外部電感會(huì)導(dǎo)致接地反彈增加[4]。 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管采用晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP),端子采用焊盤柵格陣列 (LGA) 或球柵陣列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供單獨(dú)
2023-02-24 15:15:04
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn),YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入,氮化鎵器件市場(chǎng)發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟(jì)高效的替代品,并成為實(shí)現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計(jì)人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已開(kāi)始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn),它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內(nèi)匹配(IM)場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比,提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65歲PAE(%) 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常規(guī)芯片F(xiàn)HC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比,驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率晶體管存在諸多困難,這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來(lái)的電流變化率和電壓變化率
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
,可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā),使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平,從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,問(wèn)題來(lái)了,怎么解決高昂的價(jià)格?首先,先了解下什么是硅基氮化鎵,與硅器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào):NPT2020產(chǎn)品名稱:射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng),即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W在1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內(nèi)容,繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同,因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
TGF2023-2-20碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-20報(bào)價(jià)TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨詢熱線TGF2023-2-20現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào):TGF2040產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào):TGF2160產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管TGF2160產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
民幣5220元)以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問(wèn)題的根源是其晶體生長(zhǎng)方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造,利用
2023-02-23 15:46:22
電流密切相關(guān)。晶體管的實(shí)際功耗在使用時(shí)不允許超過(guò)PCM值,否則,晶體管會(huì)因過(guò)載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管,等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中等功率晶體管,PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng),同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
SiC、藍(lán)寶石、AlN和原生塊體氮化鎵。不過(guò),所有這些材料價(jià)格昂貴,而最常用的透明電路基板——玻璃,則非常便宜。 我們的解決方案是一個(gè)兩步式制程,可在玻璃基板上形成氮化鎵晶體管。第一步是在將氮化鎵層
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì),由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而,螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
氮化鎵技術(shù)是功率級(jí)的真正推動(dòng)者,如今可提供過(guò)去十年無(wú)法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí),才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā),MinDCet通過(guò)推出
2023-02-24 15:09:34
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
率根據(jù)區(qū)域不同而不同。1-1. 熱限制區(qū)域在該區(qū)域,SOA線具有45o 的傾斜度(功率固定線)。在該區(qū)域,下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區(qū)域晶體管存在熱失控引起的2次下降區(qū)域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低
功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過(guò)導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)
晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1:由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2:達(dá)到1.8V時(shí),數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3:因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下,故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1:由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2:達(dá)到1.8V時(shí),數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3:因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下,故
2019-04-09 21:49:36
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名,一般以樹(shù)脂封裝居多,這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比
2019-05-05 01:31:57
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm,波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小,2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
,典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦,增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對(duì)的。氮化鎵的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力,制造性能空前的器件。 如今,氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
GaN(氮化鎵)功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682
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