方案Foundry廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，對XS018 180nm傳感器工藝進行改進，擴大了其應用范圍。得益于此次技術改進，公司現已能夠提供光電二極管專用工藝核心模塊。此前，XS018工藝主要面向多像素CMOS圖像傳感器的制造，而這一新模塊的推出則專門用于光電二極管的制造。

透過該模塊，X-FAB現在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇，覆蓋了從紫外線（UV）到近紅外（NIR）的波長；該系列光電二極管的不同工作參數意味著它們可以滿足客戶的各種應用需求。同時，X-FAB定于2021年4月15日（星期四）舉辦免費網絡研討會，來詳細介紹增強型XS018工藝；本次研討會共舉辦兩場，其中一場面向亞洲和歐洲觀眾，另一場面向美洲觀眾。了解更多詳情，請點擊：https://attendee.gotowebinar.com/rt/2367758021709835024。

新型X-FAB光電二極管能夠提供同類最佳的UV靈敏度，在UVA波段達到40％的量子效率（QE），在UVB波段達到50-60%的QE，在UVC波段達到60％的QE。此外，在NIR波段的性能也得到了顯著提高。在850nm波長時，光電二極管的QE比基于原XH018工藝的傳統器件高出17%；而在905nm波長時的QE增加5%。憑借約90%的QE，其人眼響應方案選項非常適用于環境光感測應用。

新工藝的一個特點是可以通過指定金屬孔徑的大小規定光電二極管的響應度。光電二極管的輸出電流因此可在全電流和無電流之間縮放，以便補償濾波造成的任何差異。這進而簡化了光電二極管陣列的配套放大電路。其它增強功能包括：與基于早期XH018器件相比，填充因子提高10%；透過這種方式，可以創建針對較低光照水平做出響應的器件，或可以減小芯片尺寸以節省空間。

“通過持續的投資，X-FAB已經打造了強大的光電制造實力——全球所生產的手機中有超過20%采用了我們制造的環境光傳感器，便是一個很好的例證。”X-FAB產品營銷副總裁Luigi Di-Capua表示，“得益于在光電二極管產品技術領域的進展，我們現在能夠更好地滿足客戶對近距感測、光譜分析，和光學測距/三角測量解決方案的需求。”

以上六款光電二極管現可以通過“my X-FAB”客戶門戶提供。