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電子發燒友網>電源/新能源>意法半導體推出第三代碳化硅產品,推動電動汽車和工業應用未來發展

意法半導體推出第三代碳化硅產品,推動電動汽車和工業應用未來發展

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2022-11-28 16:51:24498

第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析

SiC(碳化硅)器件作為第三代半導體,具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環境應用領域有著不可替代的優勢...以下針對SiC器件進行深度分析:
2022-12-09 11:31:261087

意法半導體碳化硅功率模塊提升電動汽車的性能和續航里程

ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領跑電動汽車開發競賽,我們的第三代 SiC 技術確保功率晶體管達到理想的功率密度和能效,讓汽車實現出色的性能、續航里程和充電時間。
2022-12-15 11:51:171494

特斯拉碳化硅技術怎么樣?特斯拉碳化硅技術成熟嗎?

對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,屬于第三代半導體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602

第三代半導體材料有哪些

第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數看,第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優異的表現
2023-02-07 14:06:164200

碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測量好壞

  碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視,并在智能
2023-02-10 17:45:171729

淺談碳化硅的應用

碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

淺談電動汽車中的碳化硅應用

采用其他材料來代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導體,與單晶硅和砷化鎵等傳統半導體材料相比,具有明顯的優勢: (1)碳化硅具有高熱導率(達到4.9W/cm? K),是硅的3.3倍。 因此,碳化硅材料散熱效果好,理論上,碳化硅功率
2023-02-12 16:10:25770

SiC(碳化硅)元件推動電動車新走向

第一代半導體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
2023-02-20 14:10:34509

碳化硅(SiC)打開新能源車百億市場空間

,將會通過系列報告形式對其進行完整梳理。  第三代半導體性能優越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息 技術發展的基礎,經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要 求,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料逐
2023-02-21 09:29:162

SiC碳化硅二極管的特性和優勢

什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

千億市場,第三代半導體技術從何突破?

隨著高壓、高頻及高溫領域應用的逐漸提高,第三代半導體技術高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497

碳化硅第三代半導體之星

按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

如何化解第三代半導體的應用痛點

又以碳化硅和氮化鎵材料技術的發展最為成熟。與第一代、第二代半導體材料相比,第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環境下,依然能夠保證性能穩定。
2023-05-18 10:57:361018

第三代半導體測試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導體,相比于傳統的硅(Si)基功率半導體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-03-13 17:42:58495

第三代半導體嶄露頭角:氮化鎵和碳化硅在射頻和功率應用中的崛起

半導體是當今世界的基石,幾乎每一項科技創新都離不開半導體的貢獻。過去幾十年,硅一直是半導體行業的主流材料。然而,隨著科技的發展和應用需求的增加,硅材料在一些方面已經無法滿足需求,這促使第三代半導體
2023-07-05 10:26:131322

碳化硅晶圓對半導體的作用

 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405

什么是第三代半導體技術 碳化硅的產業結構分析

第三代半導體碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54915

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041

何以在第三代半導體技術中遙遙領先?

能與成本?未來有何發展目標?...... 前言: 憑借功率密度高、開關速度快、抗輻照性強等優點,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料被廣泛應用于電力電子、光電子學和無線通信等領域,以提高設備性能和效率,并成為當前半導
2023-09-18 16:48:02365

第三代半導體功率器件在汽車行業的應用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,它突破硅基半導體材料物理限制,成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。 在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

第三代半導體的應用面臨哪些挑戰?如何破局?

近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694

碳化硅電動汽車中主要應用

第三代半導體技術以及碳化硅(SiC)材料,正迅速崛起并且在科技產業中引起廣泛關注,這兩個領域的結合,為我們帶來了前所未有的機會和挑戰,將深刻改變我們的生活方式、產業發展,甚至全球經濟格局。
2023-11-08 14:59:01512

?第三代半導體碳化硅行業分析報告

半導體材料目前已經發展第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應于半導體行業的發展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820

半導體碳化硅(SiC)行業研究

第三代半導體性能優越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發展的 基礎,經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314

碳化硅SIC將會發力電動汽車?

碳化硅在功率半導體市場(尤其是電動汽車)中越來越受歡迎,但對于許多應用來說仍然過于昂貴。
2024-01-29 14:46:112888

總投資32.7億!第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用

2月27日,第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用,由深圳市重投天科半導體有限公司(以下簡稱“重投天科”)建設運營,預計今年襯底和外延產能達25萬片
2024-02-29 14:09:14235

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