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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>理想開(kāi)關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)

理想開(kāi)關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)

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請(qǐng)問(wèn)一個(gè)電路中使用多個(gè)開(kāi)關(guān)電源是否會(huì)相互干擾?
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2021-04-09 06:21:00

請(qǐng)問(wèn)為什么dsp的運(yùn)算速度會(huì)遠(yuǎn)大于自身的主頻?

c6747主頻最高為456-MHz,而Peak MMACS可以達(dá)到達(dá)3648。浮點(diǎn)運(yùn)算能力可達(dá) 2736MFLOPS.請(qǐng)問(wèn)為什么dsp的運(yùn)算速度會(huì)遠(yuǎn)大于自身的主頻?dsp如何在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成多次定點(diǎn)或浮點(diǎn)的運(yùn)算?
2020-05-25 16:25:22

負(fù)載點(diǎn)電源帶來(lái)什么挑戰(zhàn)

集成是有好處的有很多原因,但每次集成度的增加通常都伴隨著對(duì)更多電力的需求。負(fù)載點(diǎn)電源(POL)穩(wěn)壓器很好地在需要處并以適當(dāng)?shù)碾娖教峁╇娏Γ裁媾R著挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)包括高能效和合適的功率密度,當(dāng)然
2018-10-30 09:03:15

運(yùn)放噪聲的反饋會(huì)帶來(lái)什么影響

作者: TI專家Bruce Trump翻譯: TI信號(hào)鏈工程師 Rickey Xiong (熊堯) 上個(gè)月我們研究了同相放大器的噪聲,但是我忽略了反饋網(wǎng)絡(luò)帶來(lái)的噪聲問(wèn)題。一位讀者向我提出疑問(wèn),并希望
2018-09-21 15:25:00

阻抗和損耗控制的挑戰(zhàn)

量級(jí),掏空經(jīng)常不可行 2. 連接器?封裝的阻抗設(shè)計(jì)本身就是挑戰(zhàn),裝配連接器后,阻抗會(huì)變得更差 3. 過(guò)孔阻抗受控?通孔和布線密度(反焊盤尺寸) 4. 板卡金手指阻抗受控?無(wú)法得到完全符合阻抗設(shè)計(jì)目標(biāo)的金手指
2023-09-19 07:25:01

高功率電動(dòng)機(jī)各種元件給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)

對(duì)于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動(dòng)機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式,MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT
2019-07-16 20:43:13

高速下行分組接入的接收端設(shè)計(jì)將面臨哪些挑戰(zhàn)?

高速下行分組接入(HSDPA)能提供比通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS)更高的速率,但要求更強(qiáng)的處理能力、更大存儲(chǔ)容量和高階調(diào)制等新的性能,這些要求對(duì)接收端的設(shè)計(jì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
2019-08-21 07:34:50

P2P自組織性帶來(lái)挑戰(zhàn)

P2P自組織性帶來(lái)挑戰(zhàn):【摘要】對(duì)P2P網(wǎng)絡(luò)的工作原理和典型應(yīng)用進(jìn)行了介紹,分析了P2P在商業(yè)應(yīng)用和業(yè)務(wù)監(jiān)管帶來(lái)挑戰(zhàn),提出了可管控P2P的思路,指出了需要研究的內(nèi)容?!娟P(guān)
2009-10-22 10:40:177

MOSFET邏輯設(shè)計(jì)

本章目錄2.1 理想開(kāi)關(guān)2.2 MOSFET開(kāi)關(guān)2.3 基本的CMOS邏輯門2.4 CMOS復(fù)合邏輯門2.5 傳輸門電路2.6 時(shí)鐘控制和數(shù)據(jù)流控制
2010-08-17 10:19:270

寬帶WPAN接入帶來(lái)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

寬帶WPAN接入帶來(lái)的機(jī)遇與挑戰(zhàn) 摘要:無(wú)線個(gè)域網(wǎng)(WPAN)目前以自成網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)部應(yīng)用為主,其與蜂窩網(wǎng)、
2009-08-05 14:11:33907

NexFETTM:新一代功率 MOSFET

NexFETTM:新一代功率 MOSFET 對(duì)于理想開(kāi)關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開(kāi)關(guān),例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開(kāi)關(guān)
2010-02-06 09:16:011437

高溫電子設(shè)備對(duì)設(shè)計(jì)和可靠性帶來(lái)挑戰(zhàn).pdf

高溫電子設(shè)備對(duì)設(shè)計(jì)和可靠性帶來(lái)挑戰(zhàn) (2).pdf
2016-01-07 14:56:410

利用推挽正激技術(shù)設(shè)計(jì)DCDC開(kāi)關(guān)電源該開(kāi)關(guān)電源輸出穩(wěn)定、波形理想

利用推挽正激技術(shù)設(shè)計(jì)DCDC開(kāi)關(guān)電源,該開(kāi)關(guān)電源輸出穩(wěn)定、波形理想
2017-09-15 16:15:1631

醫(yī)療器械與藥物“異花受粉”帶來(lái)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

醫(yī)療器械與藥物的融合給醫(yī)療產(chǎn)品制造商帶來(lái)了益處和不斷增加的挑戰(zhàn)
2018-06-07 09:59:383157

看ADI MEMS開(kāi)關(guān)如何取代百年繼電器

ADGM1304是一款寬帶、單刀四擲(SP4T)開(kāi)關(guān),其工作頻率可低至0 Hz/DC,是各種RF應(yīng)用的理想開(kāi)關(guān)解決方案。實(shí)現(xiàn)更小、更靈活和更可靠的低插入損耗開(kāi)關(guān)大幅減小尺寸和元件數(shù)量,并顯著降低成本。
2018-11-30 17:13:225303

商業(yè)物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)挑戰(zhàn)和機(jī)遇

商業(yè)物聯(lián)網(wǎng)不同于消費(fèi)者類物聯(lián)網(wǎng),它帶來(lái)了不同的挑戰(zhàn)、好處和機(jī)遇。
2019-06-14 15:35:372512

5G帶來(lái)機(jī)遇的同時(shí)也給全行業(yè)帶來(lái)了巨大的大挑戰(zhàn)

林樂(lè)虎在致辭中表示:“我們正面對(duì)著百年未有之大變局,立足信息通信業(yè),5G巨大的機(jī)遇同樣給全行業(yè)帶來(lái)了百年未有的大挑戰(zhàn)。
2019-11-07 08:34:391621

5G技術(shù)的發(fā)展對(duì)網(wǎng)絡(luò)安全會(huì)帶來(lái)了哪些方面的挑戰(zhàn)

網(wǎng)絡(luò)安全本身就是一項(xiàng)產(chǎn)業(yè),還在推動(dòng)著數(shù)字化中其他產(chǎn)業(yè)健康安全發(fā)展。另外5G技術(shù)也對(duì)網(wǎng)絡(luò)安全帶來(lái)挑戰(zhàn),一是要防范網(wǎng)元設(shè)備自身關(guān)鍵威脅;二是要防范網(wǎng)元間、網(wǎng)元內(nèi)模塊間關(guān)鍵威脅。
2019-11-24 10:40:293745

AR開(kāi)發(fā)仍具挑戰(zhàn) AR眼鏡將為AI學(xué)習(xí)帶來(lái)挑戰(zhàn)

近日,F(xiàn)acebook人工智能研究主管、人工智能科學(xué)家Yann LeCun在演講中表示,AR開(kāi)發(fā)仍具挑戰(zhàn),AR眼鏡將為AI學(xué)習(xí)帶來(lái)挑戰(zhàn),并涉及一系列尚未解決的問(wèn)題。
2019-12-19 10:14:53406

安防和5G的融合帶來(lái)了什么

5G技術(shù)的高速率,高帶寬,高接入,低時(shí)延特性將為安防帶來(lái)新的提升與發(fā)展契機(jī),但是安防行業(yè)由于其自身特性,也將對(duì)于5G帶來(lái)相應(yīng)的挑戰(zhàn)
2020-04-12 10:17:34698

基于MEMS技術(shù)的理想開(kāi)關(guān)即將開(kāi)啟

二十年前,專門研究射頻電路的工程師設(shè)想了一種“理想開(kāi)關(guān)”。這種開(kāi)關(guān)“打開(kāi)”時(shí),它將具有超低電阻,“關(guān)閉”時(shí)將具有超高電阻等等。
2020-07-21 10:54:07565

肖特基二極管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用簡(jiǎn)介

? ? ? ?在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開(kāi)關(guān)的架構(gòu)相比,此類開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)
2020-12-26 04:07:57237

停止德卡羅-汽車幻想開(kāi)源資料

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《停止德卡羅-汽車幻想開(kāi)源資料.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-04 14:35:240

數(shù)據(jù)中心使用PAM-4帶來(lái)挑戰(zhàn)

在數(shù)據(jù)中心和整個(gè) IT 基礎(chǔ)設(shè)施中使用 PAM-4 帶來(lái)了設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)
2022-08-29 08:07:322008

理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)和簡(jiǎn)單的解決方法

自從IBM于1958年設(shè)計(jì)了第一個(gè)管以“開(kāi)關(guān)模式供電”后,功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師們就一直夢(mèng)想擁有沒(méi)有導(dǎo)電損耗和開(kāi)關(guān)損耗的理想開(kāi)關(guān)。
2022-09-13 09:27:16766

打造理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)所面臨的挑戰(zhàn)

電源”以來(lái),打造無(wú)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗的理想開(kāi)關(guān)一直是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的夢(mèng)想。如今,各項(xiàng)開(kāi)關(guān)技術(shù)的通態(tài)損耗都有了明顯降低;采用最新的寬帶隙
2023-01-31 18:10:05315

如何破解PCIe 6.0帶來(lái)芯片設(shè)計(jì)新挑戰(zhàn)

PCI Express (PCIe) 6.0規(guī)范實(shí)現(xiàn)了64GT/s鏈路速度,還帶來(lái)了包括帶寬翻倍在內(nèi)的多項(xiàng)重大改變,這也為SoC設(shè)計(jì)帶來(lái)了諸多新變化和挑戰(zhàn)。對(duì)于HPC、AI和存儲(chǔ)SoC開(kāi)發(fā)者來(lái)說(shuō),如何理解并應(yīng)對(duì)這些變化帶來(lái)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)變得至關(guān)重要。
2023-02-03 10:23:441489

科拉茨猜想開(kāi)源硬件

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《科拉茨猜想開(kāi)源硬件.zip》資料免費(fèi)下載
2023-02-08 10:39:050

理想開(kāi)關(guān)帶來(lái)自身挑戰(zhàn)

詢問(wèn)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員他們希望從半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中獲得什么,答案可能是這樣的:“低導(dǎo)通電阻、高關(guān)斷電阻以及兩種狀態(tài)之間的最快轉(zhuǎn)換”。當(dāng)然,這個(gè)想法很簡(jiǎn)單,這給出了低功耗。SiC FET接近這一理想水平
2023-02-20 09:11:3891

打造理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)所面臨的挑戰(zhàn)

自 1958 年 IBM 設(shè)計(jì)出首個(gè)管狀“開(kāi)關(guān)模式電源”以來(lái),打造無(wú)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗的理想開(kāi)關(guān)一直是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的夢(mèng)想。如今,各項(xiàng)開(kāi)關(guān)技術(shù)的通態(tài)損耗都有了明顯降低;采用最新的寬帶隙半導(dǎo)體的產(chǎn)品
2023-02-22 11:27:52276

利潤(rùn)率回升給理想汽車的股價(jià)和銷量帶來(lái)了高速增長(zhǎng)潛力

利潤(rùn)率回升給理想汽車的股價(jià)和銷量帶來(lái)了高速增長(zhǎng)潛力
2023-04-04 12:21:40295

如何無(wú)損地在兩電容之間傳遞能量?

兩個(gè)電容之間傳遞能量,在理想開(kāi)關(guān)的情況下,都是有損的,而且損耗和兩電容之間的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻無(wú)關(guān)。
2023-07-05 16:05:211000

基于射頻開(kāi)關(guān)的MEMS/NEMS狀態(tài)

,以解決早期RF MEMS開(kāi)關(guān)解決方案的可靠性問(wèn)題。ADI的ADGM1001(SPDT)聲稱致動(dòng)壽命為100億次循環(huán),而Menlo的理想開(kāi)關(guān)解決方案的額定驅(qū)動(dòng)壽命為3億次循環(huán)。
2023-09-29 16:44:00558

理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)

理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)
2023-10-26 14:50:43198

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