大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專(zhuān)業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:30
1195 MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395 
，商品化的基于SiC-MOSFET的變換器已經(jīng)投入市場(chǎng)了。當(dāng)然，理論上碳化硅材料和IGBT結(jié)構(gòu)也是可以結(jié)合的，其電壓、電流也會(huì)上升一個(gè)等級(jí)。原作者：金譽(yù)半導(dǎo)體
2023-02-16 15:36:56
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中 SiC MOSFET 用于高頻開(kāi)關(guān)，Si IGBT 用于低頻開(kāi)關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng) 器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開(kāi)關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多電平配置。客戶
2018-10-30 11:48:08
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
和應(yīng)用意法半導(dǎo)體 sub-1GHz射頻收發(fā)器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失意法半導(dǎo)體Bluetooth? Low Energy應(yīng)用處理器模塊通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)證，加快智能物聯(lián)網(wǎng)硬件上市
2018-02-28 11:44:56
穩(wěn)健、高成本效益的高壓發(fā)射脈沖發(fā)生器解決方案。STHV1600為高端超聲成像臺(tái)車(chē)系統(tǒng)和超便攜式超聲診斷設(shè)備廠商提供了一個(gè)有價(jià)值的脈沖發(fā)生器解決方案，同時(shí)加強(qiáng)了意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的醫(yī)療和工業(yè)超聲設(shè)備用4通道
2018-08-13 14:18:07
中國(guó)，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開(kāi)關(guān)管，有助于簡(jiǎn)化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
的新STM32探索套件簡(jiǎn)化移動(dòng)網(wǎng)至云端連接，并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)意法半導(dǎo)體Bluetooth? Mesh網(wǎng)狀網(wǎng)軟件開(kāi)發(fā)工具套件加快智能互聯(lián)照明及自動(dòng)化產(chǎn)品的問(wèn)世意法半導(dǎo)體 sub-1GHz射頻收發(fā)器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失
2018-03-12 17:17:45
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
多款不同的STM32微控制器。意法半導(dǎo)體將在2018年底前推出其它STM32系列適用的軟件庫(kù)。用戶還可以選購(gòu)安森美半導(dǎo)體的FUSB307B評(píng)估板ON-FUSB3-STM32，以簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)工作。該電路板具有
2018-07-13 13:20:19
）。 包含加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)William Kaiser教授為大一計(jì)算機(jī)工程班的學(xué)生開(kāi)發(fā)的教學(xué)課程，該在線課程資源為理解基于傳感器的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)嵌入式系統(tǒng)的基本原理打下基礎(chǔ)。意法半導(dǎo)體
2018-02-09 14:08:48
傳感器的電源電壓和電流，進(jìn)而簡(jiǎn)化連網(wǎng)產(chǎn)品、智能傳感器、移動(dòng)機(jī)器人或無(wú)人機(jī)控制器等注重功耗的項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。詳情請(qǐng)瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開(kāi)關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車(chē)級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車(chē)載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開(kāi)發(fā)工具能將寫(xiě)代碼工作從固件開(kāi)發(fā)中分離出來(lái)，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫(kù)模塊，在圖形用戶界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡(jiǎn)化
2018-07-13 13:10:00
半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-25 11:01:49
生態(tài)系統(tǒng)。今天，已有多條STM32產(chǎn)品線支持TouchGFX。意法半導(dǎo)體微控制器市場(chǎng)總監(jiān)DanielColonna表示：“Draupner的TouchGFX軟件是一款非常先進(jìn)和優(yōu)化的微控制器圖形用戶界面
2018-07-13 15:52:39
驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體（ST）的STM32電機(jī)控制Nucleo開(kāi)發(fā)套件只需數(shù)秒鐘即可直接開(kāi)啟運(yùn)轉(zhuǎn)無(wú)刷直流電機(jī)
2018-03-22 14:30:41
半導(dǎo)體最初計(jì)劃在云中為每個(gè)STM10器件提供32塊電路板，后續(xù)還會(huì)有更多電路板（來(lái)源：意法半導(dǎo)體）優(yōu)化代碼STM32Cube工具箱中的工具.AI包括圖形優(yōu)化器，它可以轉(zhuǎn)換微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半導(dǎo)體發(fā)布了單通道、雙通道和四通道車(chē)規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器，采用標(biāo)準(zhǔn)的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)升級(jí)，增加更多驅(qū)動(dòng)通道。新柵極驅(qū)動(dòng)器適用于所有的汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)備
2023-02-16 09:52:39
，用戶可以使用Mega兼容Shield擴(kuò)展板在主板上插入所選電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、擠出機(jī)控制器和所需的任何其它功能。作為即插即用的擴(kuò)展板，意法半導(dǎo)體的EVALSP820-XS可以驅(qū)動(dòng)RAMPS打印機(jī)以前
2018-06-11 15:16:38
新聞創(chuàng)新的自適應(yīng)脈寬調(diào)制器為固定通/斷時(shí)間可控的穩(wěn)壓器提供恒定開(kāi)關(guān)頻率意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)電機(jī)控制芯片讓自動(dòng)化系統(tǒng)尺寸更小，運(yùn)行更順暢、更安靜意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-04 10:37:44
，而提供恒流的驅(qū)動(dòng)電路是由一個(gè)控制器芯片和若干個(gè)元器所組成。意法半導(dǎo)體新款控制器STLED25單片集成能夠驅(qū)動(dòng)多達(dá)10支LED的控制電路，因此STLED25不僅能夠簡(jiǎn)化手機(jī)設(shè)計(jì)，還可為其它功能釋放更多
2011-11-24 14:57:16
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
開(kāi)關(guān)電路的結(jié)果，主要由大型工業(yè)電機(jī)的磁場(chǎng)造成。EMI可以輻射或傳導(dǎo)，并且可能耦合到附近的其他電路中。因此，EMI或RF抗擾度是衡量柵極驅(qū)動(dòng)器抑制電磁干擾并保持穩(wěn)健運(yùn)行而無(wú)差錯(cuò)的能力的指標(biāo)。若具有高抗擾度
2021-07-09 07:00:00
同時(shí)施加一個(gè)信號(hào)，則兩個(gè)通道輸出的時(shí)間延遲是延遲匹配數(shù)值。延遲匹配數(shù)值越小，柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)的性能越好。延遲匹配有兩個(gè)主要好處：· 確保同時(shí)驅(qū)動(dòng)的并聯(lián)MOSFET具有最小的導(dǎo)通延遲差。· 簡(jiǎn)化了柵極
2019-04-15 06:20:07
短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性也是至關(guān)重要的。圖1：隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135的簡(jiǎn)化原理圖電流驅(qū)動(dòng)能力在開(kāi)關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)
2021-11-11 07:00:00
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
DVRFD630-475，開(kāi)發(fā)板是一種通用電路板，旨在簡(jiǎn)化IXRFD630柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估，并為電源電路開(kāi)發(fā)提供構(gòu)建模塊。 IXRFD630柵極驅(qū)動(dòng)器出廠時(shí)已安裝在評(píng)估板上，并經(jīng)過(guò)全面測(cè)試。電路板設(shè)計(jì)允許將驅(qū)動(dòng)器和MOSFET連接到散熱器，這樣做可以將電路板組件用作接地參考的低側(cè)電源開(kāi)關(guān)
2019-08-06 09:41:29
IPM需要在同一混合IC封裝中實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)器、檢測(cè)邏輯和功率半導(dǎo)體。與單片IC明顯不同，混合IC將晶體管、單片IC、電阻器、電感器和電容器等單個(gè)元件封裝在一個(gè)封裝中。這些元件粘合到封裝內(nèi)的基板或印刷電路
2023-02-24 15:29:54
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
到數(shù)十億美元。”相關(guān)新聞Argus網(wǎng)絡(luò)安全科技公司與意法半導(dǎo)體（ST）攜手合作，加強(qiáng)網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)技術(shù)的數(shù)據(jù)安全和隱私保護(hù)意法半導(dǎo)體 sub-1GHz射頻收發(fā)器單片巴倫 讓天線匹配/濾波電路近乎消失意法半導(dǎo)體Bluetooth? Low Energy應(yīng)用處理器模塊通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)證，加快智能物聯(lián)網(wǎng)硬件上市
2018-02-12 15:11:38
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MP18851 是一款隔離式獨(dú)立雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，它具有高達(dá) 4A 的拉灌峰值電流能力，專(zhuān)用于驅(qū)動(dòng)具有短傳播延遲和脈寬失真的功率開(kāi)關(guān)器件。通過(guò)利用MPS 專(zhuān)有的電容隔離技術(shù)，該驅(qū)動(dòng)器能夠以
2022-09-30 13:47:21
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
證明了技術(shù)如何真地改變并實(shí)現(xiàn)讓印度更快發(fā)展的環(huán)境。"意法半導(dǎo)體大中華、南亞、印度和韓國(guó)（亞太區(qū)）PDSA系統(tǒng)工程和戰(zhàn)略計(jì)劃業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)應(yīng)用總監(jiān)Allan Lagasca補(bǔ)充道：“通過(guò)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的微電子技術(shù)
2018-03-08 10:17:35
開(kāi)發(fā)者在電腦上直接使用STM32和STM8設(shè)計(jì)資源意法半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體推出封裝小、性能強(qiáng)的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品`
2018-05-28 10:35:07
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器"BM6103FV-C"，最適合作為電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力車(chē)(HEV)逆變回路中IGBT
2019-04-29 21:09:14
ADuM3220設(shè)計(jì)用作隔離系統(tǒng)中的4A柵極驅(qū)動(dòng)器，以實(shí)現(xiàn)同步DC-DC轉(zhuǎn)換。傳統(tǒng)解決方案使用2個(gè)隔離器和1個(gè)雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。如圖1所示，一個(gè)雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以與兩個(gè)脈沖變壓器或兩個(gè)光耦合器
2018-10-15 09:46:28
程中導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電流升高。 盡管超結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)管優(yōu)化過(guò)的體硅二極管大幅降低了能耗，但IGBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導(dǎo)通能耗。 在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET
2018-11-20 10:52:44
，柵極電阻用于限制功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度，換向時(shí)的dv/dt與負(fù)載電流密切相關(guān)。另一方面，使用電流源驅(qū)動(dòng)器可以在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒定的dv/dt。ROHM 的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C
2023-02-21 16:36:47
TPS61163是什么？TPS61163有哪些功能？有哪些特性？如何去實(shí)現(xiàn)一種雙通道WLED驅(qū)動(dòng)器TPS61163電路的設(shè)計(jì)？
2021-07-14 06:48:26
，我們想要先介紹安森美半導(dǎo)體的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器LV8548MC，它可以作為雙通道H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或單通道步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器，占用空間小，外部組件數(shù)量最少。它支持4V至16V的單電源供電，并兼容3.3V和5V控制輸入。LV8548MC采用高達(dá)1A直流驅(qū)動(dòng)電流，支持正向/反向、制動(dòng)、續(xù)流，并且具有RDSON
2019-06-27 10:48:50
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
同時(shí)運(yùn)行特定組合。您可以選擇最適合電機(jī)特性的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，并調(diào)整DRV8714-Q1的寄存器以優(yōu)化性能。圖1：由DRV8714-Q1汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的三電機(jī)座椅驅(qū)動(dòng)
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
電子書(shū)“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
和低壓功率MOSFET與 IGBT ? 定制的電源模塊? 二極管和晶閘管 ? 保護(hù)器件和濾波器? AC-DC轉(zhuǎn)換器和控制器 ? DC/DC轉(zhuǎn)換器 ? 線性電壓穩(wěn)壓器 ? 模擬集成電路 ? 電池管理IC ? 數(shù)字控制器? STM32微控制器 ? MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 非常好的資料
2023-09-07 07:36:32
個(gè)優(yōu)勢(shì)。 設(shè)備屬性及其柵極驅(qū)動(dòng) 現(xiàn)在我們已經(jīng)詳細(xì)闡述了SiC材料的特性，并了解到它在高能量應(yīng)用中的參數(shù)優(yōu)于Si，現(xiàn)在是時(shí)候仔細(xì)研究器件和應(yīng)用了。如上所述，意法半導(dǎo)體是SiC市場(chǎng)的佼佼者之一，讓我們
2023-02-24 15:03:59
驅(qū)動(dòng)程序的參考實(shí)例和一個(gè)簡(jiǎn)化應(yīng)用集成的類(lèi)似于BSD（Berkeley套接字）的標(biāo)準(zhǔn)C API，以及 一個(gè)用于簡(jiǎn)化蜂窩擴(kuò)展板無(wú)縫控制的簡(jiǎn)單API。此外，意法半導(dǎo)體還與領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)解決方案提供商安排讓用戶在
2018-07-09 10:17:50
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁（電動(dòng)汽車(chē)充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
開(kāi)關(guān)電路的結(jié)果，主要由大型工業(yè)電機(jī)的磁場(chǎng)造成。EMI可以輻射或傳導(dǎo)，并且可能耦合到附近的其他電路中。因此，EMI或RF抗擾度是衡量柵極驅(qū)動(dòng)器抑制電磁干擾并保持穩(wěn)健運(yùn)行而無(wú)差錯(cuò)的能力的指標(biāo)。若具有高抗擾度
2018-11-01 11:35:35
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可改善隔離電源并簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。ACPL-302J具有用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT診斷，保護(hù)和故障報(bào)告功能
2018-08-18 12:05:14
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:22:01
單路雙通道電源控制開(kāi)關(guān)電路圖
2009-05-19 10:06:51
9
雙通道開(kāi)關(guān)電路圖
2009-04-13 09:04:482217 
雙通道音頻開(kāi)關(guān)電路圖
2009-07-03 14:30:05915 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開(kāi)關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:313905 ADuM322x是針對(duì)同步DC/DC轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)的雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器。該系列器件在一個(gè)SM中同時(shí)集成iCoupler?數(shù)字隔離技術(shù)和4A峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器。
2019-07-19 06:09:003737 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
ADUM3221：隔離的4 A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 06:22:182 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:141783 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門(mén)控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45547 不好常常導(dǎo)致器件損壞。本文重點(diǎn)提到基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD5350應(yīng)用于工業(yè)空調(diào)，共模抑制比CMTI可達(dá)150KV/μS，BTD5350應(yīng)用框圖如下：相較于東芝TLP350，基本半導(dǎo)體BTD535
2022-09-14 11:04:19909 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動(dòng) 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:01361 
在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗，通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高性能的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 。 目前，寬帶隙半導(dǎo)體
2023-11-17 18:45:01326 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)作為開(kāi)關(guān)的電路。當(dāng)柵極（G）接高電平時(shí)，源極（S）和漏極（D）之間的導(dǎo)電通道被打開(kāi)，電流可以通過(guò)；當(dāng)柵極接低電平時(shí)，導(dǎo)電通道被關(guān)閉，電流無(wú)法通過(guò)。因此，通過(guò)控制柵極的電平，可以實(shí)現(xiàn)MOS開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)功能。
2023-12-19 11:27:34571 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車(chē)應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:17:510
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