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電子發(fā)燒友網>電源/新能源>從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比

從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比

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SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111792

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151278

RC modeling的優(yōu)劣勢

FIGURE 6.5講了3種不同的Lumped RC modeling,書中說明了這三種RC modeling的優(yōu)劣勢
2023-06-19 16:42:20615

學技術 | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

降低的傳導和開關損耗,本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則,以得到最佳性能。一,如何減少傳導損耗:碳化硅MOSFET比超結MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282853

SiC MOSFET碳化硅芯片的設計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201397

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09806

碳化硅MOSFET芯片設計及發(fā)展趨勢

隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升,研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49906

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

點擊 “東芝半導體”,馬上加入我們哦! 碳化硅(SiC)是第3代半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越的物理性能,應用前景廣闊。 目前,東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02320

碳化硅器件的生產流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:362126

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26451

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03505

SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29594

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15641

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