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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>納芯微驅(qū)動芯片NSD1624,有效解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負(fù)壓和高dv/dt

納芯微驅(qū)動芯片NSD1624,有效解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負(fù)壓和高dv/dt

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2022-07-29 13:51:19

疫情智傳感微差壓力傳感器負(fù)救護(hù)車為新冠患者架起急救生命線

系統(tǒng)的精確、高效的工作有多么重要了! 微差傳感器是一種典型的傳感器,在各個行業(yè)當(dāng)中都有一定的應(yīng)用。由北京智傳感科技有限公司(簡稱:智傳感)生產(chǎn)的ZXP8系列產(chǎn)品就是一款專門用于負(fù)救護(hù)車負(fù)
2022-04-30 22:32:24

設(shè)計(jì)技巧:如何給功率電源選擇合適的隔離驅(qū)動

集成的雙通道半橋數(shù)字隔離驅(qū)動而言,就不太需要考慮延時匹配問題,這是因?yàn)樵诜庋b時,都會選擇同一批次而且在晶圓上位置最接近的一對接收器,這樣制造差異影響最小,而一對接收器封裝在同一個芯片中,也能減
2020-11-19 09:17:49

設(shè)計(jì)技巧:如何給功率電源選擇合適的隔離驅(qū)動

集成的雙通道半橋數(shù)字隔離驅(qū)動而言,就不太需要考慮延時匹配問題,這是因?yàn)樵诜庋b時,都會選擇同一批次而且在晶圓上位置最接近的一對接收器,這樣制造差異影響最小,而一對接收器封裝在同一個芯片中,也能減
2022-05-12 11:20:30

設(shè)計(jì)技巧:如何給功率電源選擇合適的隔離驅(qū)動

集成的雙通道半橋數(shù)字隔離驅(qū)動而言,就不太需要考慮延時匹配問題,這是因?yàn)樵诜庋b時,都會選擇同一批次而且在晶圓上位置最接近的一對接收器,這樣制造差異影響最小,而一對接收器封裝在同一個芯片中,也能減
2022-07-04 10:13:57

請問LTC1624 TG、SW波形異常是為何?附圖

各位專家大家好:項(xiàng)目中使用LTC1624這個IC,用于24V to 5V@1A,原理圖如下現(xiàn)在測試發(fā)現(xiàn) TG 以及 SW引腳的波形異常,黃色為TG、紫色為SW。但是輸出5V是正常的。請幫忙分析一下為何會產(chǎn)生該現(xiàn)象,謝謝~
2018-07-27 07:44:47

請問如何改善開關(guān)電源電路的EMI特性?

。但是隨著開關(guān)頻率的提高,會帶來EMI特性的惡化,必須采取有效的措施改善電路的EMI特性圖 1 MOSFET噪聲源1、降低MOSFET的dv/dt1-3,Rg和Cgd越大,dv/dt越低。1-4
2020-10-21 07:13:24

請問有什么辦法可以給MOSFET驅(qū)動提供可靠的負(fù)關(guān)斷?

我用ucc27324這片驅(qū)動芯片驅(qū)動,分別給低邊的MOS和邊的MOS驅(qū)動邊的MOS和驅(qū)動芯片之間已加隔離變壓器和隔直電容,但是占空比很小,所以關(guān)斷時候負(fù)很小,總是會被誤觸發(fā)。低邊的MOS關(guān)斷時候是零電壓,也不可靠。有沒有什么辦法在改動很少的情況下加上可靠的負(fù)關(guān)斷(至少-2V)?
2019-06-27 09:12:37

請問非隔離開關(guān)電源方案,怎樣負(fù)驅(qū)動雙向可控硅?

非隔離開關(guān)電源方案,怎樣負(fù)驅(qū)動雙向可控硅啊!
2018-07-30 11:48:27

轉(zhuǎn)載 | 推功率密度,茂睿發(fā)布氮化鎵合封快充芯片MK2787/MK2788

/MK2788采用茂睿獨(dú)有的處于行業(yè)領(lǐng)先位置的高壓技術(shù),Vcc耐壓高達(dá)110V,PPS應(yīng)用無需穩(wěn)壓電路;采用了專利軟驅(qū)技術(shù),有效降低同步整流管電壓應(yīng)力;采用高頻QR控制技術(shù),有效減小變壓器尺寸。一、
2021-11-12 11:53:21

銳成推出基于BCD工藝的三層光罩eFlash IP

實(shí)現(xiàn),比如電源管理芯片、電機(jī)驅(qū)動芯片、照明驅(qū)動芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統(tǒng)的模擬前端芯片等。BCD(Bipolar-CMOS-DEMOS)工藝通過集成驅(qū)動能力的Bipolar器件、
2023-03-03 16:42:42

鴻蒙是否支持燒錄全志、瑞、MTK的ARM開發(fā)板??如何燒錄?

目前應(yīng)用最多最廣泛的還是全志、瑞、MTK 芯片的ARM開發(fā)板。求燒錄鴻蒙系統(tǒng)到開發(fā)板的教程!
2021-08-24 10:29:44

負(fù)吸引系統(tǒng)過濾器

負(fù)吸引系統(tǒng)過濾器    【1】負(fù)吸引系統(tǒng)簡介  1、醫(yī)用吸引系統(tǒng)一般包括真空泵、真空罐、止回閥等組件   (1)醫(yī)用吸引系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置備用真空泵,當(dāng)
2022-03-03 12:13:00

高壓驅(qū)動芯片 #芯片

芯片測試高壓驅(qū)動驅(qū)動芯片行業(yè)
笑君愁發(fā)布于 2022-07-21 20:34:51

Analysis of dv/dt Induced Spur

Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:3210

Analysis of dv_dt Induced Spur

Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個關(guān)鍵的器件.快速的開關(guān)可以降低開關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543

NSD1624-DLAJR LGA10 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 11:55:58

NSD1624-DSPR SOP-8 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 12:01:33

NSD1624-DSPKR SOP14 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 13:36:17

NSD1624-Q1SPR SOP8 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 13:39:52

NSD1624-Q1SPKR SOP14 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-19 13:43:56

NSD16241-DSPR SOP-8 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:09:10

NSD16241-DSPKR SOP14 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:13:03

NSD16242-DSPR SOP8 高可靠性非隔離半橋驅(qū)動

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅(qū)動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅(qū)動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應(yīng)用于高達(dá)1200V母線電壓系統(tǒng)。它擁有
2023-12-20 11:30:41

NSD2621A-DQAGR QFN15 高壓半橋GaN驅(qū)動芯片

深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSD2621是最新推出的專為GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片。該芯片采用了的成熟電容隔離技術(shù),驅(qū)動可以支持-700V到+700V的共模電壓,150 V
2023-12-21 13:57:15

驅(qū)動電子設(shè)備減少噪聲的設(shè)計(jì)

高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動力總成驅(qū)動系統(tǒng)時必須克服的一個重大問題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時,共模噪聲(又稱 dV/dt 噪聲)便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來源,并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅(qū)動電子設(shè)備的影響。
2017-09-12 11:03:143

電壓源型驅(qū)動dv/dt的表現(xiàn)

英飛凌電流源型驅(qū)動芯片,一種非常適合電機(jī)驅(qū)動方案的產(chǎn)品,將同時實(shí)現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術(shù)平臺的隔離式驅(qū)動芯片,能精準(zhǔn)地實(shí)時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細(xì)看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945

動力總成驅(qū)動器共模噪聲的來源和影響

高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用,可靠的動力總成驅(qū)動系統(tǒng)時必須克服的重要問題。當(dāng)高壓電源逆變器和其他電源中存在高頻開關(guān)時,系統(tǒng)內(nèi)自然會產(chǎn)生共模噪聲(也稱為dV / dt噪聲)。本文將討論混合
2021-04-17 12:23:202872

混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器內(nèi)dV/dt噪聲的來源及解決方案

高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動力總成驅(qū)動系統(tǒng)時必須克服的一個重大問題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時,共模噪聲(又稱 dV/dt 噪聲)便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來源,并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅(qū)動電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:273189

dV/dt失效是什么意思

dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889

納芯微全新推出NSD731x系列直流有刷電機(jī)驅(qū)動芯片

納芯微全新推出NSD731x系列直流有刷電機(jī)驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包括NSD7310, NSD7312, NSD7310A, NSD7312A, NSD7312-Q1, NSD7312A-Q1等多款芯片,可廣泛適用于掃地機(jī)、家電、直流有刷電機(jī)模組、新能源汽車等多種應(yīng)用場景。
2022-09-02 14:22:30616

納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片

據(jù)Ameya360報(bào)導(dǎo)納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通道半橋驅(qū)動和N-MOS功率級,支持多種負(fù)載類型。
2022-09-29 13:46:331485

納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片

納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通道半橋驅(qū)動和N-MOS功率級,支持多種負(fù)載類型。
2022-09-29 14:33:352243

如何控制電源dV/dt上升時間同時限制通過控制FET的功率損耗

電源上的高 dV/dt 上升時間會導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問題。在具有大電流輸出驅(qū)動器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078

MOSFET的失效機(jī)理:什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829

擺脫高dV/dt電源的優(yōu)勢

電源上的高 dV/dt 上升時間會導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問題。在具有大電流輸出驅(qū)動器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01553

dv/dt”和“di/dt”值:這些值的水平對固態(tài)繼電器有什么影響?

di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時,施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中,我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性,以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528

納芯微非隔離半橋NSD1624:高效驅(qū)動解決方案

將深入探討NSD1624的特點(diǎn)、優(yōu)勢以及其在各個領(lǐng)域的應(yīng)用。 1、NSD1624概述: NSD1624是納芯微公司推出的一款非隔離半橋驅(qū)動芯片。它采用先進(jìn)的封裝和電路設(shè)計(jì),以滿足高效能、高可靠性和高精度控制的需求。該芯片具備出色的性能和靈活的功能
2023-05-12 16:14:281501

納芯微驅(qū)動芯片NSD1624有效解決高壓高頻系統(tǒng)SW pin負(fù)壓和高dv/dt

NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動芯片驅(qū)動電流高達(dá)+4/-6A,可用于驅(qū)動MOSFET/IGBT等各種功率器件。 可廣泛應(yīng)用于 ? 光伏、儲能等新能源領(lǐng)域 ? 空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動 ? 高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源 ? 半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?/div>
2022-10-27 14:19:421029

dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響有哪些?

①靜態(tài)dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:26702

納芯微推出NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅(qū)動芯片

納芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅(qū)動芯片,這款產(chǎn)品具有出色的性能和廣泛的應(yīng)用場景。
2024-01-15 15:14:21458

全新發(fā)布40V車規(guī)級多通道半橋驅(qū)動NSD830x-Q1!

 全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通道半橋驅(qū)動和N-MOS功率級,支持
2022-10-27 10:43:07

直流有刷電機(jī)驅(qū)動NSD731x系列發(fā)布多款新品,任君挑選!

全新推出NSD731x系列直流有刷電機(jī)驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包括NSD7310, NSD7312, NSD7310A, NSD7312A, NSD7312-Q1, NSD7312A-Q1等多款
2022-10-27 12:27:06

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