日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。
2013-01-30 09:32:42
1331 基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設(shè)計充滿好奇，也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負載的觸點。變壓器、電機
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
精細化，集成化方向發(fā)展。 在新技術(shù)驅(qū)動下，汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下，車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設(shè)計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。此外，為適應(yīng)特高壓輸電、電動汽車充電樁等超高壓應(yīng)用，可以承受更高電壓的超寬禁帶半導體，如碳化硅、氧化鎵等的研究也在逐漸深入，寬禁帶材料一直是
2022-01-23 14:15:50
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關(guān)拓撲設(shè)計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件，同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運而生，如碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
的反向恢復損耗更低（一般在14ns左右），同時關(guān)斷速度較快，這就便于變換器更多的工作在高于諧振頻率的范圍內(nèi)工作，實現(xiàn)寬輸出電壓范圍。因此，在此模式下使用碳化硅MOSFET可以減小關(guān)斷損耗和體二極管
2016-08-05 14:32:43
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術(shù)進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應(yīng)用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應(yīng)用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅MOSFET橋臂電路串擾抑制方法_鐘志遠
2017-01-04 16:32:50
17 基本半導體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432795 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)，從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206 基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設(shè)計
2022-08-27 15:57:02567 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領(lǐng)域主導企業(yè)，均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 本文推薦基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時也可以減小變壓器等器件的體積。
2022-12-14 14:58:15429 半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料選擇、工藝制程、測試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
和碳化硅MOSFET。第三代半導體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 ? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行。基本半導體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 SICMOSFET作為第三代半導體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢，盡可能
2022-11-30 15:28:282647 
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
公司之一， GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?， 重點關(guān)注性能和穩(wěn)健性， 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù)，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01603 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410 
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