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電子發燒友網>電源/新能源>Power Box Board幫助學生更好地了解Si和SiC技術

Power Box Board幫助學生更好地了解Si和SiC技術

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2023-02-06 14:39:51645

何謂SiC(碳化硅)?

碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩定。
2023-02-08 13:42:083923

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-08 13:43:18378

SiC-SBD的發展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優勢

關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18704

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-22 09:18:59140

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較!

碳化硅(SiC技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00723

SiCSi的應用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術,具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

為什么在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據著電力電子行業的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好地契合當前的工業趨勢,正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:131890

SiC產品和Si產品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30233

AR地鐵拆解教學將虛擬模型與實際場景相結合,提高學生實踐操作技能

AR地鐵拆解教學是一種基于增強現實技術的教育工具,通過將虛擬模型與實際場景相結合,幫助學生更好地理解和掌握地鐵車輛的結構和工作原理。該教學工具解決了傳統教學難以深入了解地鐵車輛結構、難以模擬真實場景
2023-07-20 14:35:40326

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半導體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144

SiCSi它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經由第一代半導體材料發展到了第四代半導體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372

SiC相較于Si的優勢是什么?碳化硅的實際應用優勢

如今,大多數半導體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術
2023-09-05 10:56:05277

了解SiC器件的命名規則

了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258

SICSI有什么優勢?碳化硅優勢的實際應用

SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490

為什么SiC在功率應用中戰勝了Si

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。
2023-12-11 11:29:35196

SiC三極管與SiC二極管的區別

的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24274

一文了解碳化硅(SiC)半導體結構及生長技術

SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻精度是原子距離的8倍。
2024-01-14 14:09:522108

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