于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅動電壓 ,以及 SiC器件驅動設計中的寄生導通問題 。本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較,給
2022-07-07 09:55:002357 在高功率應用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 制器射頻發射部分采用SI24R1的技術方案,無線接收器和計算機通過USB連接,教學過程中,該系統可與教室中的電子白板、投影幕布等設備配合。教師可用教師卡隨時發起提問、隨堂測驗或其他互動式教學,學生使用學生卡作答。互動軟件以圖表直觀顯示學生答題情況。4推薦運營平臺有興趣可以聯系了解`
2017-07-26 11:39:44
上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
半導體相比,損耗更低,高溫環境條件下工作特性優異,有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。提及功率元器件,人們當然關注SiC之類的新材料,但是,目前占有極大市場份額和應用領域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
Si整流器與SiC二極管:誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態表明了主要商業障礙的解決方案,包括價格,可靠性,堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優于Si IGBT,但由于成本抵消了系統級優勢,SiC MOSFET已經取得了成功。隨著材料成本的下降,這項技術
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結構,不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面,按照現在的技術水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面,按照現在的技術水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況,請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發和元器件結構優化,實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1:移相DC/DC轉換器下面是演示機,是與功率Power Assist Technology Ltd.聯合制
2018-11-27 16:38:39
反向電流的流動時間。此時,前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在內的Si-PND高速。下面我們來了解其原因和實際特性。簡單地說,trr的速度和反向恢復特性的不同是因為二極管構造不同。這就
2018-11-29 14:34:32
、對溫度穩定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始
2018-11-29 14:35:50
WInSiC4AP的主要目標是什么?SiC技術在WInSiC4AP中有什么應用?
2021-07-15 07:18:06
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協同為該項目提供資金支持,實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。
2019-07-30 06:18:11
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
另一方面,按照現在的技術水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
和相比上一代的優點,不過由于機會難得,能否請您首先介紹一下SiC-SBD的基礎內容?說實話,我認為非常了解使用了SiC(碳化硅)這種半導體的二極管和晶體管的特點的人并不多。是啊!2010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
si4438,大家了解多少 ,與cc1100,1020系列的比較
2014-01-22 21:14:38
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火,現在我們結合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
的導通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內,SiC的變化范圍為20%,而Si的變化范圍為200%至300%.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結溫下工作。該技術還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC ) 發布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
Power Solutions攜手,通過面向工業以及數據基礎設施領域盡可能地深挖SiC技術潛力,從而進一步提升電源系統的能效。”<關于Murata Power Solutions>Murata Power
2023-03-02 14:24:46
申請理由:大學生畢業設計及企業開發平臺讓大學生可以更多了解多平臺CPU的差異,讓企業選擇性價比的平臺和方案。幫助大學生建立良好的開發平臺,讓畢業畢業設計就源于企業設計,結合實際。項目描述:讓大學生
2016-05-17 09:59:21
的量產化,并于 2010 年全球首家成功實現了 SiC-MOSFET 的量產。羅姆希望通過本次研討會,讓更多同行了解 SiC 的優點和特性,更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下: 1
2018-07-27 17:20:31
SBD耐壓均在200V以內,更高電壓應用往往選擇Si FRD,盡管FRD技術不斷發展,但仍然無法完全消除反向恢復的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV,極大地擴展了SBD的應用范圍。
2
2023-10-07 10:12:26
狀態之間轉換,并且具有更低的導通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側)與硅
2017-12-18 13:58:36
帶寬或-3dB 的點對于濾波器電路的設計非常有幫助。 Multisim內含20種不同的分析,可幫助學生透徹地理解電路行為。 Multisim還包含用于模擬、數字、機電一體化和電力電子技術方面的模型組件
2012-07-12 01:00:24
關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技術規格書中的規格值的比較,Eon為開關導通損耗,Eoff為開關關斷損耗、Err為恢復損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT,至于Err,由于幾乎沒有Irr而極其微小。結論是開關損耗
2018-11-27 16:37:30
的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD(快速恢復二極管)的trr比較。恢復的時間trr很短,二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
)③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術的機遇和挑戰 ④ 針對寬禁帶電力電子技術特性的封裝技術 ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比(優勢、驅動上的區別、結構和成本的影響)五、活動報名電話:***微信:CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
收發一體功能,可以更好的配合接收與發射。4應用意義2.4g無線答題器的出現是為了輔助實現智慧課堂的媒介,讓學生更好的參與課堂的教育學習,提升課堂參與度以及協助老師更好的了解各個學生的知識掌握情況,通過
2017-10-07 10:31:17
”是條必經之路。高效率、高性能的功率元器件的更新換代已經迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類:一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,與Si半導體相比
2017-07-22 14:12:43
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢,高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
應用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到,一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術,那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
更新換代,SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段,有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術的進步,未來還將面臨挑戰,例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術的首選供應商
2021-03-11 08:01:56
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品,并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT,但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大,因此,更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發備受期待。但是,傳統的SiC-MOSFET,體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
剛學完51,想做個東西,比較綜合,然后幫助學習吧
2019-08-07 04:35:20
2 : Si、SiC和GaN的特性優值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標主要目標WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標應用開發可靠的技術
2019-06-27 04:20:26
Using Allegro PCB SI to Analyze a Board’s Power Delivery System from Power Source to Die Pad:Slide
2010-04-05 06:23:270 藍寶石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說,襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用
2009-11-17 09:39:204931 The Si3480 is a power manager intended for use with the Si3452 Power over Ethernet (PoE
2010-07-29 16:25:281043 SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優勢體現在哪些方面?電子發燒友網根據SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411978 紐約Chenango Bridge小學的學生們應用AR技術的幫助讓他們的涂色畫面中的人物進入現實世界。
日前該校的學生們參加了一個AR的課程,使用ipad上的一個叫Quiver的應用。
2017-12-29 13:39:393316 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 Osso VR是一家專門為外科醫生、醫院工作人員和銷售團隊提供虛擬現實(VR)技術培訓的專業公司。該公司宣布與醫療銷售學院(the Medical Sales College)建立新的合作伙伴關系,幫助其學生通過無限的動手實踐來增加他們的外科知識。
2018-11-05 15:06:451260 據外媒的報道,微軟最近在印度宣布了一項新計劃,該計劃將使研究和高等教育機構能夠更好地向學生傳授人工智能和云技術。
2018-12-25 10:29:091205 電離情況的機會。學生們利用六維度觸控筆將離子與分子”拽出屏幕“,仔細觀察每一個微觀粒子的構造,了解每一種粒子的大小比例,用實際觀察為自己的疑惑尋找到了答案。蘭老師也提到:學生們借此形成正確的微粒觀和變化觀,提升了他們的科學核心素養。
2019-06-02 09:42:364737 在大多數藝術教室里,學生可以使用不同的媒介,如顏料或粘土,來創作他們的作品。但在Powhatan學校,虛擬現實(VR)現在已經成為一種新的創新工具。
2019-09-10 11:48:041099 直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉移和對更高性能的關注,使得這些傳統模塊不太適合大功率應用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:5317036 在K12中,輔助學習可能是一個棘手難以應對的問題。學校有責任照顧到每一個學生的需求,但是要創建一個可以滿足所有學生需求的課程卻很難,特別是在越來越多優秀的、名片靠前的學校面臨著學生過度擁擠的情況下。
2019-12-23 08:39:351039 作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 i.MX7 96Board Power Tree
2021-03-11 08:55:091 硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據著電力電子行業的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好地契合當前的工業趨勢,正在獲得越來越多的采用
2021-06-17 18:20:045732 樁、不間斷電源系統以及能源儲存等應用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性,其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介電擊穿強度大約是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:276630 我們知道,技術教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和動手經驗,讓學生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學生理解諸如電路設計概念之類的主題。用于電子教學的工具,如 Power
2022-08-04 09:55:26360 來源:半導體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯盟的執行董事兼首席技術官Victor Veliadis合作,舉辦了一次題為SiC-碳化硅材料特性、制造基礎知識和關鍵應用的在線研討會
2022-08-19 16:53:301022 電子發燒友網站提供《W406812AS2D2 Gerber PCB Flag Box Board開源.zip》資料免費下載
2022-08-22 16:32:209 SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩定。
2023-02-08 13:42:083923 二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18704 從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 碳化硅(SiC)技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00723 碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術,具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據著電力電子行業的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好地契合當前的工業趨勢,正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:131890 我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30233 AR地鐵拆解教學是一種基于增強現實技術的教育工具,通過將虛擬模型與實際場景相結合,幫助學生更好地理解和掌握地鐵車輛的結構和工作原理。該教學工具解決了傳統教學難以深入了解地鐵車輛結構、難以模擬真實場景
2023-07-20 14:35:40326 一、什么是SiC半導體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經由第一代半導體材料發展到了第四代半導體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372 如今,大多數半導體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-05 10:56:05277 了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357 Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。
2023-12-11 11:29:35196 的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24274 SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻精度是原子距離的8倍。
2024-01-14 14:09:522108
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