?收購(gòu)）的UF4C和UF4SC?1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車
2022-06-09 16:44:43
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射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開(kāi)發(fā)面向為電力電子應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開(kāi)發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:539423 
使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開(kāi)關(guān)電場(chǎng)可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無(wú)線系統(tǒng)的系統(tǒng)對(duì)于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于不同封裝技術(shù)對(duì)不同應(yīng)用的影響以及這些技術(shù)如何用于構(gòu)建高性能GaN設(shè)備。
2019-03-11 08:04:004608 
長(zhǎng)期以來(lái)，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現(xiàn)已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對(duì)于許多高性能電源設(shè)計(jì)而言效率低下。最近，市場(chǎng)上出現(xiàn)了幾家基于GaN-on-Si的HEMT和FET
2019-01-24 09:07:003145 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:002731 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:19779 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52777 
四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件，助力設(shè)計(jì)人員改進(jìn)射頻系統(tǒng)尺寸、重量和功率。
2021-04-14 10:57:16737 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒(méi)有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來(lái)簡(jiǎn)單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來(lái)看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 對(duì)比GaN FET：新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開(kāi)封裝，因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù)，并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外，這還可能限制GaN在高壓擺率下的開(kāi)關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02
的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
2017-05-03 10:41:53
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，其中，針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無(wú)線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而在保持合理開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN器件和驅(qū)動(dòng)器
2018-08-30 15:28:30
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
Maurice Moroney 市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)
2018-10-16 21:19:44
Maurice Moroney市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)頻率
2018-10-16 06:20:46
電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：比較器件的不同效率 本教程演示了使用不同器件驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在給定相同電源電壓和負(fù)載阻抗的情況下哪種電子開(kāi)關(guān)最有效。多年來(lái)的開(kāi)關(guān)設(shè)備 多年來(lái)，電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)
2023-02-02 09:23:22
下，器件在關(guān)鍵區(qū)域工作。圖 5：電阻 R 的圖形DS（開(kāi)啟）作為施加到排水管的負(fù)載的函數(shù)碳化硅器件速度SiC器件的真實(shí)性能在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)得最為明顯，在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，它必須執(zhí)行艱苦的工作，以快速開(kāi)關(guān)速率
2023-02-02 09:41:56
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過(guò)將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
描述交錯(cuò)連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無(wú)橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點(diǎn)，因此是極具吸引力的電源拓?fù)洹４?b class="flag-6" style="color: red">設(shè)計(jì)說(shuō)明
2018-10-24 16:15:16
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
可滿足高性能數(shù)字接收機(jī)動(dòng)態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些？
2021-05-28 06:45:13
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，理解GaN有可能帶來(lái)的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì) (JEDEC) 針對(duì)硅器件的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
在競(jìng)爭(zhēng)激烈的當(dāng)今市場(chǎng)中，可再生能源、儲(chǔ)能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來(lái)提高性能，以滿足不斷增長(zhǎng)的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
DN47- 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器通過(guò)單個(gè)電感器產(chǎn)生正電源和負(fù)電源 - 設(shè)計(jì)說(shuō)明47
2019-05-16 06:06:33
用高性能的FPGA器件設(shè)計(jì)符合自己需要的DDS電路有什么好的解決辦法嗎？
2021-04-08 06:23:09
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
的選擇和比較進(jìn)行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
日益嚴(yán)格的能效及環(huán)保法規(guī)推動(dòng)汽車功能電子化趨勢(shì)的不斷增強(qiáng)和混合電動(dòng)汽車/電動(dòng)汽車(HEV/EV)的日漸普及，這加大了對(duì)高能效和高性能的電源和功率半導(dǎo)體器件的需求。安森美半導(dǎo)體作為汽車功能電子化的領(lǐng)袖
2019-07-23 07:30:07
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
甚至無(wú)法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢(shì)，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
副邊發(fā)生故障后復(fù)位。對(duì)于更緊湊的純SiC/GaN應(yīng)用，新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動(dòng)器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns
2018-10-22 17:01:41
據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開(kāi)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無(wú)線充電、電源開(kāi)關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011329 新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-07-25 06:05:001892 ）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開(kāi)提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061928 GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、LNA、開(kāi)關(guān)器、MMIC等，面向基站衛(wèi)星、雷達(dá)等市場(chǎng)：電力電子器件產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開(kāi)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無(wú)線
2020-07-27 10:26:001 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:05488 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:37394 
的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時(shí)間額定值的器件（參見(jiàn)Figure 1）。
2022-08-01 12:14:081068 由氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾恚@使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:57996 
談到了當(dāng)今市場(chǎng)上推廣的所有關(guān)鍵氮化鎵、碳化硅、硅 MOSFET 和 IGBT 功率器件的統(tǒng)一視圖，以及它們的性能與成本分析。 在本文中，電路工作被認(rèn)為是在 400 V、15 A 和 0.5 的占空比
2022-08-04 16:01:162873 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 
以及幾個(gè)變量。 UnitedSiC 推出了 FET-Jet 計(jì)算器 ，這是一種在線工具，用于選擇和比較不同電源應(yīng)用的性能。 計(jì)算機(jī) 讓我們來(lái)看看它的一些值得注意的功能： 在各種基于功率的應(yīng)用中輕松評(píng)估全系列 UnitedSiC FET 和二極管； AC-DC：PFC升壓、PFC圖騰、Vien
2022-08-04 09:37:52281 
多年來(lái)，技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級(jí)性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電流可以更容易地通過(guò)元件，從而提高效率并減少
2022-08-05 08:04:463205 
問(wèn)題，但 SiC 開(kāi)關(guān)仍然不方便使用，因?yàn)?SiC JFET 是常開(kāi)器件，而 SiC MOSFET 需要非常特殊的柵極驅(qū)動(dòng)才能獲得最大性能。
2022-08-05 08:05:00962 
氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。在這些應(yīng)用中，eGaN ? FET 和 IC 的應(yīng)用迅速增長(zhǎng)，已被納入高密度計(jì)算以及許多新的汽車電源
2022-08-05 10:19:12871 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857 在電源轉(zhuǎn)換這一語(yǔ)境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 在過(guò)去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開(kāi)關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296 鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-05-30 09:03:15384 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
。Nexperia（安世半導(dǎo)體）在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:54500 聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
還沒(méi)使用SiC FET？快來(lái)看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！
2023-11-29 16:49:23277 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動(dòng)汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時(shí)改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:18173
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