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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源

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2023-02-16 18:22:30

BJT GP MODEL 極性晶體管模型

為大家奉上GP,multisim對(duì)極性晶體管模型進(jìn)行模擬分析是基于GP模型的。
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2019-09-26 09:00:23

晶體管ON時(shí)的逆向電流

的B和C對(duì)稱(chēng)、和E極同樣是N。也就是說(shuō),逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
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晶體管并聯(lián)時(shí),當(dāng)需要非常大的電流時(shí),可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象,有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
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晶體管分類(lèi)及參數(shù)

晶體管分類(lèi)  按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi)  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管極性可分為鍺NPN晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。  按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33

晶體管可以作為開(kāi)關(guān)使用!

本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯 晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的,pnp和npn
2017-03-28 15:54:24

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

`  《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一,共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48

晶體管工作原理

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晶體管摻雜和導(dǎo)電離子問(wèn)題原因分析

極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電,空穴和自由電子,但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng),其整體上是呈現(xiàn)電中性的,當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí),與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)? 這個(gè)問(wèn)題困擾
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晶體管電流放大原理該怎么解釋?zhuān)?/a>

晶體管的主要參數(shù)

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2018-06-13 09:12:21

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?

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2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng),是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合FET和MOS
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類(lèi)與特征

。與MOSFET同樣能通過(guò)柵極電壓控制進(jìn)行高速工作,還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同,通過(guò)給柵極施加電壓形成通道來(lái)流過(guò)電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET(以Nch為例)是相同N
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類(lèi)與特征

給柵極施加電壓形成通道來(lái)流過(guò)電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET(以Nch為例)是相同N極與漏極間流過(guò)電流,而IGBT是從P的集電極向N的發(fā)射極流過(guò)電流,也就是與雙極晶體管相同。因此,具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33

晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

得到了晶體管的h參數(shù)后,就可以畫(huà)出晶體管的線(xiàn)性等效電路,圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。 關(guān)于h參數(shù)等效電路,應(yīng)注意以下幾點(diǎn): (1)電壓的參考極性為上正下負(fù),電流的參考正方向是流入為正
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晶體管的由來(lái)

是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào),使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形,只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況,但是
2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP和NPN兩類(lèi)。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP
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晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號(hào)的小功率晶體管,可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性,還要考慮被選晶體管的耗散
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晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

晶體管進(jìn)行舉例。如果是PNP晶體管,則只要把晶體管極性由正換成負(fù)就行。如果要從基極電流、集電極電流、發(fā)射極電流的組成、流動(dòng),PN結(jié)的能級(jí)等等方面來(lái)講清晶體管的放大機(jī)理,就更復(fù)雜了。這在許多專(zhuān)業(yè)
2012-02-13 01:14:04

晶體管相關(guān)資料下載

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2021-05-13 06:43:22

晶體管簡(jiǎn)介

的B和C對(duì)稱(chēng)、和E極同樣是N。也就是說(shuō),逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
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電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

分別連接每個(gè)并聯(lián)晶體管,再同時(shí)與傳統(tǒng)硅晶體管的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器連接。并聯(lián)的幾個(gè)晶體管只需要一個(gè)隔離驅(qū)動(dòng)器,例如隔離EiceDRIVER?1EDI20N12AF,使用極(OUT +)和漏極(OUT-
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IGBT絕緣柵雙極晶體管

)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了極性元件,將稱(chēng)為p和n的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作晶體管
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MOS與場(chǎng)效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系,看完后就全明白了

MOS,還有其他的電子元件。實(shí)際上場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為結(jié)((Junction Field-Effect Transistor,J F E T))和MOS(metal-oxide
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NPN和PNP晶體管的工作狀態(tài)解析

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關(guān)于PNP晶體管的常見(jiàn)問(wèn)題

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功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管大功率
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2018-01-25 11:27:53

單極晶體管的工作原理和特點(diǎn)

  單極晶體管也稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng),簡(jiǎn)稱(chēng)FET(FieldEffectTransistor)。它是一種電壓控制器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與
2020-06-24 16:00:16

單結(jié)晶體管仿真

各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06

雙極晶體管怎么并聯(lián)連接

變化3至5倍。這導(dǎo)致并聯(lián)工作的BJT中的熱不穩(wěn)定性,因?yàn)榧词箖蓚€(gè)晶體管及其相關(guān)的基極電阻完全相同(這是不可能的),它們之間的任何微小溫差都會(huì)導(dǎo)致其中一個(gè)開(kāi)始傳導(dǎo)更大部分的共用電流,它會(huì)使它變得更熱,并
2018-10-26 14:45:42

雙極晶體管陣列 (BJT) DMMT5401-7

:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26

在特殊類(lèi)型晶體管的時(shí)候如何分析?

管子多用于集成放大電路中的電流電路。 請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí),如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)及作用

。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱(chēng)為單極性晶體管,以它的單載流子作用對(duì)比極性晶體管(bipolar juncTIon transistors,縮寫(xiě):BJT)。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制,以及曾經(jīng)極性晶體管
2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路,可選用結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路,可選
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18

場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)比分析

載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)能在很小
2021-05-13 07:09:34

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

。(2)場(chǎng)效應(yīng)是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

)場(chǎng)效應(yīng)是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

)場(chǎng)效應(yīng)是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)
2018-11-05 17:16:04

場(chǎng)效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

制作材料分,晶體管可分為鍺和硅兩種。 按極性分,三極管有PNP和NPN兩種,而二極管有P和N之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極,2
2012-07-11 11:36:52

基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

。對(duì)于NPN,它是灌電流。  達(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān)  這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管,因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中,一個(gè)小輸入結(jié)晶體管BJT晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09

如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢

IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06

如何去判別晶體管材料與極性

如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測(cè)晶體管的性能?怎樣去檢測(cè)特殊晶體管
2021-05-13 07:23:57

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

如何改善晶體管的損耗

~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),由于電容兩端電壓不能突變,上電瞬間電容如同短路,因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流,使晶體管迅速導(dǎo)通。之后,電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49

如何設(shè)置晶體管的Q點(diǎn)偏置?看看這篇文章就知道了

會(huì)發(fā)生相反的反應(yīng)。然后,這種偏置方法稱(chēng)為自偏置,利用這種類(lèi)型的反饋偏置網(wǎng)絡(luò),晶體管穩(wěn)定性通常對(duì)大多數(shù)放大器設(shè)計(jì)都很好。反饋晶體管偏置 通過(guò)增加流過(guò)基本偏置電阻器的電流,在先前配置的基本偏置網(wǎng)絡(luò)中
2020-11-12 09:18:21

如何選擇分立晶體管

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管
2023-11-24 08:16:54

實(shí)例講解,教你提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度

減小勢(shì)壘電容)和減小基極反向偏壓的大小(以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開(kāi)啟晶體管);而從晶體管使用來(lái)說(shuō),可以增大輸入基極電流脈沖的幅度,以加快對(duì)結(jié)電容的充電速度(但如果該基極電流太大,則將使晶體管
2019-09-22 08:00:00

常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么?

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40

常見(jiàn)發(fā)射極NPN晶體管的輸入和輸出特性

結(jié)晶體管BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。前者是本次討論的重點(diǎn)。  結(jié)晶體管的類(lèi)型  BJT安排有兩種基本類(lèi)型:NPN和PNP。這些名稱(chēng)是指構(gòu)成組件的P(正極)和N(負(fù)極)半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47

教你巧用幾個(gè)設(shè)計(jì),輕松提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度

減小勢(shì)壘電容)和減小基極反向偏壓的大小(以使得發(fā)射結(jié)能夠盡快能進(jìn)入正偏而開(kāi)啟晶體管);而從晶體管使用來(lái)說(shuō),可以增大輸入基極電流脈沖的幅度,以加快對(duì)結(jié)電容的充電速度(但如果該基極電流太大,則將使晶體管
2019-08-19 04:00:00

數(shù)字晶體管的原理

直流電流增益率的關(guān)系式GI:數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36

概述晶體管

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng),是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合FET和MOS
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

勵(lì)磁電流ILM開(kāi)始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí),寄生輸出電容完全放電,GaN功率晶體管通過(guò)2DEG通道從極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET,有一個(gè)固有的
2023-02-27 09:37:29

縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

2000一5000(α=0.995-0.9998)。  是以P襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00

絕緣柵晶體管檢測(cè)方法

絕緣柵晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39

絕緣柵極極性晶體管經(jīng)濟(jì)高效解決方案

絕緣柵極極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效解決方案,如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21

絕緣門(mén)/極性晶體管介紹與特性

的比值,使其成為一個(gè)跨導(dǎo)器件,IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵極性晶體管可以用在小信號(hào)放大電路中,與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25

請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線(xiàn)性穩(wěn)壓為什么多是PNP晶體管呢?

請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線(xiàn)性穩(wěn)壓為什么多是PNP晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49

請(qǐng)問(wèn)極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好?

極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好?
2021-04-20 06:36:55

請(qǐng)問(wèn)采用極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路怎么樣?

采用極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

`在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33

驅(qū)動(dòng)篇 -- BJT晶體管應(yīng)用 精選資料推薦

、上位機(jī)等,給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái),給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn),屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱(chēng)之為極性晶體管(BJT),又稱(chēng)半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06

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