本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06
789 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動，增加了系統復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
孰勝孰敗？USB3.0VSeSATA
2021-05-21 06:33:26
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領域的創新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術提出更多的要求，以滿足消費者和行業的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
` 隨著LED技術的不斷成熟與完善，LED尺寸朝著Mini&Micro參數級別深入發展時，封裝環節需要考慮的因素也隨著大有改變。在錫膏與共晶兩大主流工藝的選擇上孰優孰劣，誰更具優勢
2019-12-04 11:45:19
工作量，導致成本很高，這也是MPLS最大的缺點。今天的消費者越來越關注帶寬占用的多媒體內容，如視頻和增強現實(AR)/虛擬現實(VR)，但MPLS要求的高每兆位成本是遙不可及的。最后，MPLS網絡不提
2019-05-30 16:53:51
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
的柵極電壓衰減，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封裝）的開關速度會比TO-247-3封裝的更快，開關損耗更小。 因此，當您在使用碳化硅MOSFET進行新方案設計時，為進一步減小碳化硅
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業最近經歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優勢組合，高頻開關減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
異步復位，同步釋放的理解目錄目錄同步復位和異步復位異步復位 同步復位 那么同步復位和異步復位到底孰優孰劣呢？異步復位、同步釋放問題1 問題2 問題3 問題4 問題5參考資料同步復位和異步復位異步復位
2022-01-17 07:01:53
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強
2023-02-28 16:48:24
如果比較兩種設計方法的物料清單（BOM），結果是碳化硅MOSFETSiC解決方案物料清單相對的減少，可提供更具成本競爭力，而效率高達99%的解決方案。 圖4：即便是107mΩ的CoolSiC CCM
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，特別是降低雜散電感。除開關速度更快外，碳化硅器件的工作溫度可達到 300℃以上。而現有適用于硅器件的傳統封裝材料及結構一般工作在 150℃以下，在更高溫度時可靠性急劇下降，甚至無法正常運行。解決這一
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
直流快充，三相交流輸入需要經過三相PFC整流輸出電壓為800V，因此后級隔離采用如圖6左所示復雜三電平硅方案，碳化硅MOSFET可以使電路從復雜三電平變為兩電平全橋電路[2]，減小開關器件數量；(2
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
一個是LM5025，一個是BTS50085-1TMA，前者看datasheet是PWM控制，后者看說明是場效應管控制，那么這兩種在汽車上應用，孰優孰劣呢？
2016-02-25 14:38:16
采樣示波器與實時示波器，孰優孰劣？實時示波器在新一代光接口時域測試上的應用是什么？
2021-06-17 09:50:58
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27782 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491262 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819979 來源：羅姆半導體社區? 作為第三代半導體中的明星，碳化硅因為其獨有的特性和優勢受到各方青睞。尤其是時下電動汽車市場的火爆，助推了碳化硅器件的發展與應用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產品良率及價格
2022-12-27 18:08:19905 氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分，據悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復管提高2個百分點以上。
2021-04-01 09:23:261470 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405331 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087922 
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業，碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351437 來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25923 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191235 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:022160 （SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率，同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實現碳化硅技
2023-02-02 15:10:00494 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值，繼續升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234553 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163745 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:353237 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32970 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:005119 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111783 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20431 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32822 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151278 7.3.3“i”區的電勢下降7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.2“i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理
2022-02-14 09:41:11337 
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學穩定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發生反應，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經驗，現將
2022-12-08 16:50:461826 
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451415 碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此，生產碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43176 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23713 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33671 
碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30279 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49847 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14387 
正在加载...
電子發燒友App
工商網監
評論