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電子發燒友網>電源/新能源>常見的繼電器粘連進行失效機理分析

常見的繼電器粘連進行失效機理分析

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2022-12-05 10:22:241648

MOSFET的失效機理

MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見失效機理
2023-03-20 09:31:07638

半導體集成電路失效分析原理及常見失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效機理的活動。在提高產品質量,技術開發
2023-04-18 09:11:211361

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041117

淺析繼電器觸點粘連問題

觸點是繼電器最重要的構成要素, 觸點的狀態明顯受觸點材料、加在觸點的電壓及電流值(特別是接入時及截斷時的電壓、電流波形)、負載種類、通斷頻率、環境情況、接觸形式、觸點的通斷速度振蕩現象
2023-04-27 10:57:071

TVS二極管失效機理失效分析

。 通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結合器件結構、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等。采用理論分析和試驗證明等方法分析導致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483679

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據或因不當順序引人新的人為的失效機理,封裝失效分析應按一定的流程進行
2023-06-25 09:02:30315

半導體器件鍵合失效模式及機理分析

本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當,以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數以及封裝環境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結,闡述了鍵合工藝不當及封裝不良,造成鍵合本質失效機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關元件,在電子設備中得到了廣泛的應用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971

什么是熱繼電器?為何用熱繼電器進行過載保護?

在電路中,過載是一種常見的問題,它可能會導致電路元件的損壞或電路的故障。為了避免這種情況的發生,可以使用熱繼電器進行過載保護。本文將介紹為何使用熱繼電器進行過載保護。
2023-09-27 17:14:021413

光耦失效的幾種常見原因及分析

光耦失效的幾種常見原因及分析? 光耦是一種光電耦合器件,由發光二極管和光探測器組成。它能夠將電流信號轉換為光信號,或者將光信號轉換為電流信號。但是,由于各種原因,光耦可能會出現失效的情況。本文
2023-11-20 15:13:441445

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析
2023-12-14 17:06:45266

IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術現狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721

如何進行繼電器負載測試

如何進行繼電器負載測試? 繼電器是一種常見的電氣元件,用于控制和分配電力負載。要確保繼電器的負載能力和性能穩定,負載測試是必不可少的。 一、測試準備 1. 了解繼電器的規格和性能參數:在進行負載測試
2024-01-18 14:32:14305

固態繼電器和中間繼電器的區別

固態繼電器和中間繼電器的區別? 固態繼電器和中間繼電器是兩種常見繼電器類型,它們在工業控制和電子領域有著不同的應用。本文將詳細介紹固態繼電器和中間繼電器的區別,并從工作原理、結構特點、應用范圍
2024-03-05 16:44:01239

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