Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
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IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211206 上一篇文章的內容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814750 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
特性，能夠提高高溫環境下功率系統的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優于Si基快速恢復二極管的動態特性:反向恢復時間短，反向恢復電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售
2020-09-24 16:34:09
電壓(VDSS)：600V柵源電壓(VGS)：±30V導通電阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.5V漏源擊穿電流(IDSS)：1uA反向恢復時間(trr)：648NS工作溫度
2021-12-16 16:58:19
電壓(VDSS)：800V柵源電壓(VGS)：±30V導通電阻(RDS(on))：1.9Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.4V漏源擊穿電流(IDSS)：10uA反向恢復時間(trr)：320NS工作溫度
2021-12-01 16:42:02
實現了內部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內部二極管的trr高速化有助于實現逆變器和電機驅動器電路的高效化與小型化。＜ 相關產品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
通電阻RDSON，注意：不是電流很多時候工程師關心RDSON，是因為RDSON和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、溫升越低。同樣的，工程師盡可能沿用
2017-11-15 08:14:38
到地面更有意義。增強型（“正常關閉”） P 溝道 MOSFET 類似于倒置的 N 溝道 MOSFET。如果柵極相對于電源具有足夠高的負電壓，則激活。您可以通過將源連接到VCC （+） 和接地
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
檢測（AOI）系統對焊點進行目視檢查，并有助于提高焊點可靠性。此外，東芝已驗證其可在貼裝溫度循環測試中承受3000次循環，并獲得了相關數據，從而讓客戶能夠完全放心地使用該QFN封裝。與現有產品相比，通過
2023-02-28 14:11:51
1.低導通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術相結合實現了低的導通電阻。這有助于提升您應用中的產品性能。 2.小型封裝產品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
% 。這些改進有助于顯著提高設備效率。對于使用東芝當前產品GT50JR22的空調PFC電路，其工作頻率低于40kHz。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通過降低
2023-03-09 16:39:58
這個損耗看成器件的感性關斷損耗。3）開關損耗：開通損耗：考慮二極管反向恢復后：關斷損耗：驅動損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據電源規格，合理選擇MOSFET 器件（見下
2021-08-29 18:34:54
；該區間內GS 電容繼續放電直至零。因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形（1）：實驗電路（2）：因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導通損耗該公式對控制
2021-09-05 07:00:00
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導通電阻也遠大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
引起的MOSFET開關波形（1）：實驗電路（2）：因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導通損耗該公式對控制整流和同步整流均適用該公式在體二極管導通時適用（2
2018-10-25 16:11:27
靜態反向電壓階段。參數性能仿真研究人員利用SPICE模型，通過商業PSpice軟件對功率二極管反向恢復特性進行了仿真。功率二極管型號1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二極管
2023-02-14 15:46:54
ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產品。PrestMOS與標準的超級結MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低
2018-12-04 10:23:36
的區別是以熱量的形式在電源中浪費和損失的功率。計算電路效率的基本公式為：器件導通通道的電阻越低，電路的效率就越高。這樣，電子元件將散發更少的熱量并且工作得更好。使用的電子元件 對于我們的測試和模擬，我們
2023-02-02 09:23:22
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
只有0.2V，但它不僅影響功率快恢復二極管的效率，而且影響快恢復二極管的溫升，所以如果條件允許時，盡量選擇導通壓降小、額定工作電流為實際電流兩倍的快恢復二極管。 2、快恢復二極管型號大全之快恢復二極管
2021-07-30 14:33:17
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標準 ?充電器?低導通電阻 ?SMPS待機功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標準 ?電視主要電源?低導通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
Q2的P-N結增加儲存電荷。在t4~t5時段，MOSFET Q1通道導通，流過非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復電流引起。這不是偶然的直通，因為高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
過由于“電導調制”現象的存在，PiN二極管完全導通后，內部的N-基區充滿了大量的自由載流子。而二極管的反向恢復過程就是將N-基區的這些載流子的移出過程，因為只有將這些載流子清除完后，N-基區才能夠形成承受
2020-12-08 15:44:26
`羅姆低門驅動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅動類型。 這種廣泛的驅動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小有助于
2021-02-02 09:55:16
ROHM此次開發的業界先進的雙極MOSFET中，采用了新工藝、±40V耐壓的產品與普通產品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61％，Nch部分的導通電阻也降低達39％，有助于降低各種設備的功耗。2、具備
2021-07-14 15:17:34
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
提升導通能量，當柵極電阻降低時，導通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關系曲線當橫跨柵極電阻器的壓降超過了半橋轉換器上MOSFET的閾值電壓，就會發生寄生導通，即米勒效應。此時，反向恢復能量（Err
2019-07-09 04:20:19
面積?。蓪崿F小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小?！ ≈饕獞糜诠I機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中?！ ?. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性的不同首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態時，無法立即完全關斷，有時會出現反向電流的現象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
【實例分析】抑制功率二極管反向恢復的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為截止狀態過程中，存在反向恢復現象。這會引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
，在結構上有的采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構，可獲得較高的開關速度和較低的正向壓降。它從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級，前者的反向恢復時間為數百納秒或更長．后者則在100ns以下，大大提高了電源的效率
2020-10-29 08:50:49
通過導電溝道進入垂直的N+區，中和N+區的正電荷空穴，從而恢復被耗盡的N+型特性，因此導電溝道形成，垂直N+區摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導通電阻低。比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
，存儲的電荷越多，耗盡時間越長，反向恢復時間越長。3、半導體材料的載流子復合效率越低，壽命越長，電荷耗盡時間越長，反向恢復時間越長。前期回顧：二極管擴散電容和勢壘電容
2021-10-18 10:28:06
存在反向恢復電流?？梢钥紤]降低電源二極管的最大額定電流，使用尺寸更小的二極管。電源更緊湊，功率密度更高，可以提高開關頻率，功耗更低。SiC技術之所以能夠提供這些優點是因為在正常導通器件，不會累積反向恢復電荷。缺點是價格比較高。原作者：蝸牛 硬件筆記本
2023-02-15 14:24:47
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
有助于提高效率。另一方面需注意電感的ESR，ESR過大會降低效率。 4 過溫保護 :芯片內部集成過溫保護，當芯片溫度高過溫保護點（典型值為 150 度）時，系統會關斷功率管，從而限制輸入功率，增強系統可靠性。十 ESOP8 封裝參數圖
2019-09-30 11:17:15
的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導通電阻比高邊 MOSFET的低，這會導致焊盤區的大小不一致。事實上，低邊MOSFET的導通電阻是器件的關鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓
2013-12-23 11:55:35
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動
2019-04-04 06:30:00
。BD35395FJ-M終端穩壓器IC具有低的高側導通電阻和低側導通電阻以及大負載輸出電流能力。該芯片高側和低側導通電阻值典型值均為0.35Ω，輸出電流范圍為-1.0A到1.0A。它的輸入電壓范圍為2.7V至
2019-04-28 05:31:27
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態損耗低，尤其是在低電流時更為顯著;關斷能耗低，但導通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復速度與所用技術工藝有關?！ ? 意法半導體的電機控制功率開關技術 為
2018-11-20 10:52:44
：8A/72nS=55A/uS二極管反向恢復時間：44nS反向電壓：400V二極管正向導通電流：0.5A二極管反向恢復時間：150nS二極管實測的性能優于器件標稱參數，性能不錯！七：測量國產某個廠家
2015-03-05 09:30:50
出現電壓過沖，如圖4所示?！ D3：具有分立MOSFET的相節點電壓振鈴和電壓過沖 圖4：帶有電源模塊的清潔相位節點切換波形 低PCB損耗，PCB寄生電阻降低 功率塊有助于減少PCB中高電流
2018-10-19 16:35:33
時也不會出現電壓過沖，如圖4所示。 圖3：具有分立MOSFET的相節點電壓振鈴和電壓過沖 圖4：帶有電源模塊的清潔相位節點切換波形 低PCB損耗，PCB寄生電阻降低功率塊有助于減少PCB中高電流承載
2018-07-18 16:30:55
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
的頻率下操作，也就可以使用較小的電感器及電容器，同時可以提升電源供應器的效率。小體積的肖特基二極管可工作在50GHz的頻率，因此是RF偵測器及mixer中的重要零件。</div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間`
2018-11-02 11:54:12
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
/252T屬性參數值商品目錄場效應管(MOSFET)[/td]類型N溝道漏源電壓(Vdss)650V連續漏極電流(Id)4A功率(Pd)50W導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2A
2021-09-09 15:47:31
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:47
的課題。而超級結結構是排列多個垂直PN結的結構，可保持耐壓的同時降低導通電阻RDS(ON)與柵極電荷量Qg。另外，內部二極管的反向電流irr和反向恢復時間trr是作為晶體管的關斷開關特性的探討項目
2018-11-28 14:28:53
區產生N型導電溝道，同時，源極區的電子通過導電溝道進入垂直的N+區，中和N+區的正電荷空穴，從而恢復被耗盡的N+型特性，因此導電溝道形成，垂直N+區摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導通電阻低。比較平面
2018-10-17 16:43:26
提高電源可靠性的關鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應力，這主要是輸入電壓和所需功率的函數。不過，您可選擇有助于減輕這些應力的拓撲。同樣，雖然熱應力是額定功率的函數，但電源效率也起著重要作用。因此
2019-05-22 06:30:00
較低的反向恢復電荷（Q RR ）和更穩定的溫度導通電阻（R DS（開啟） ），可實現更高的開關速度。MOSFET在米勒高原停留的時間越短，功率損耗和自發熱就越低。TI 的UCC5870-Q1
2022-11-02 12:02:05
PN結轉化為掩埋PN結，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高?！ 冉M向電場MOSFET的主要特性 1、 導通電阻的降低 INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:09
39 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 日前，東芝開發了提高內置二極管恢復特性的構造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據悉，該產品耐壓為600V，縮短了內置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:33885 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 本文重點介紹在調試FPGA系統時遇到的問題及有助于提高調試效率的技術，針對Altera和Xilinx的FPGA調試提供了最新的方法和工具。
2018-11-28 08:43:002094 
有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉換器的一個特別明顯的非理想狀態就是同步降壓或升壓轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此
2021-11-10 09:40:225677 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。
2023-02-13 09:30:041664 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開始在24V至5V/4A電源轉換器中測量反向恢復。
2023-04-15 09:15:122505 
” 。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路 [1] 等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 TPH3R10AQM具有業界領先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
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