影響?正向?qū)妷?V為正溫度系數(shù)F應(yīng)用?太陽能升壓器?逆變器續(xù)流反并聯(lián)二極管器件編號 封裝 IV1D12010T2 TO247-2 ?維也納三相 PFC 整流變換器?AC/DC 變換器?開關(guān)電源
2020-03-13 13:42:49
恢復(fù)二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。 碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復(fù)時間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
了參數(shù)的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，D92-02特別適用于輸出電壓在12V左右的小功率輔助電源電路。 開關(guān)電源中的整流二極管采用D92-02快恢復(fù)二極管的具體原因如下：1、因為只有D92-02快恢復(fù)
2021-09-09 16:34:24
開關(guān)電源輸出整流肖特基二極管并聯(lián)的RC是吸收紅色框里的那段振蕩嗎？ 下圖是用示波器測得二極管兩端的電壓
2017-05-01 17:16:12
開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過一個透鏡來進行光傳遞，是通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
肖特基二極管在開關(guān)電源的作用是什么，一般開關(guān)電源的后面都會有這樣的二極管，謝謝。比如圖上的二極管，解釋下它的作用什么，謝謝大家
2017-03-28 19:59:58
肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護二極管使用。 MBR系列所具有的關(guān)鍵優(yōu)勢如下： ?MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)
2016-04-11 11:53:55
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管：反向耐壓值較低40V-50V，通態(tài)壓降
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別，一種是常見三個腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號來做印字
2021-07-09 11:45:01
、續(xù)流二極管、保護二極管以及小信號檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅(qū)動器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器等電路。對于點接觸型肖特基二極管，主要用于微波通信電路。 另外，還有一種鋁硅肖特基二極管，除
2019-01-03 13:36:59
的優(yōu)點還有低功耗，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管。快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
2016-04-19 14:29:35
的條件下會處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。肖特基二極管正向壓降小，關(guān)斷速度快，多用于開關(guān)電源做整流用。穩(wěn)壓二極管不考慮正向使用，總是反向使用在擊穿狀態(tài)，需要考慮的是穩(wěn)壓
2020-09-25 15:38:08
,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V)，通態(tài)壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復(fù)
2015-11-27 18:02:58
加直流電壓時的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。7.最高工作頻率fM：由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過某一值時，它的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性將變差。肖特基二極管的fM值較高
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性的非線性器件。[編輯本段]特點 SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管優(yōu)點：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
MDD肖特基二極管的最高結(jié)溫。四、小于MDD肖特基二極管的正向額定電流IF。五、對于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，MDD肖特基二極管應(yīng)降額使用。六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號、因為不同的型號的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-06-15 15:33:58
已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關(guān)速度非常快：反向恢復(fù)時間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。二
2016-03-22 14:55:18
-SBD后，提高效率，除了減少耗電，更重要的是降低器件溫度，減少散熱成本，提高了至關(guān)重要的系統(tǒng)可靠性。在新能源汽車興起之前，服務(wù)器電源PFC-度是肖特基二極管最主要的市場。這個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">可靠性的要求較高，已經(jīng)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
都是根據(jù)這兩個工作點計算的。然而，肖特基二極管的快速開關(guān)也會引起功耗，其表現(xiàn)形式為在開關(guān)期間出現(xiàn)的電壓和電流。 反向恢復(fù)也會引起功耗，這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體
2019-02-21 13:39:32
除了型號，外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測量正向壓降進行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
開關(guān)電源(開關(guān)模式電源，SMPS)或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換；2)阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動，例如當(dāng)電池插入不正確時。由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管主要用于高達微波
2017-04-19 16:33:24
截止時形成一個諧振電路，它可導(dǎo)致。因此，有必要在電源輸出中設(shè)置RC緩沖器以保護管子的安全。另外RC網(wǎng)絡(luò)還可以減少輸出噪音，減少管子的熱耗，提高產(chǎn)品的效率和可靠性。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-08-11 14:05:26
設(shè)計出好的開關(guān)電源，你就必須知道每一個開關(guān)電源上的每一個元器件的名稱，功能和特性。而這，也是今天ASEMI要隆重推出的一個主題：教你熟透開關(guān)電源設(shè)計的各種元器件。ASEMI主營整流橋和二極管，所以
2018-11-03 11:21:21
，肖特基二極管MBR20100FCT是最佳選擇（由于此時反向耐壓低），另外肖特基二極管MBR20100FCT的正向壓降VF和結(jié)溫TJ呈現(xiàn)負溫度系數(shù)，所以其制造的開關(guān)電源效率高，溫升低、噪音低、可靠性高。
2021-10-08 16:35:18
輸出，就算是這樣開關(guān)電源上的整流管的溫度還是很高的。 MBR60100PT參數(shù)描述型號：MBR60100PT封裝：TO-247/3P特性：肖特基二極管電性參數(shù)：60A 100V芯片材質(zhì)：SI正向電流
2021-11-08 15:33:04
小得多。此外，它的恢復(fù)時間很短，可以達到幾納秒。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流的整流二極管（如驅(qū)動器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器）、續(xù)流二極管、保護二極管，也可用于微波通信等電路中用作整流二極管
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z為什么說MBR20100FCT-ASEMI是開關(guān)電源常用肖特基二極管？開關(guān)電源不同于線性電源。開關(guān)電源中使用的大多數(shù)開關(guān)晶體管在全導(dǎo)通模式（飽和區(qū)）和全閉模式（截止區(qū)）之間切換。兩種模式都
2021-11-23 16:19:25
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是反向恢復(fù)時間極短，最小可以到達幾nS，而且它的正向?qū)▔航祪H0.4V左右。普遍用于用于大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管場合。有些開關(guān)電源需要用到肖特基二極管。 `
2019-04-15 12:03:20
電壓保護。肖特基二極管的低正向下降使它們在太陽能電路中具有高能效。箝位: 在晶體管箝位電路中，用肖特基二極管作為開關(guān)二極管。為了箝位，肖特基二極管連接在集電極和驅(qū)動晶體管的基極之間。當(dāng)開啟時，肖特基
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 15:00:32
時間短，速度快，正向?qū)▔航狄残。猿Ｓ脕碜?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源整流。MDD二極管依靠領(lǐng)先技術(shù)，高素質(zhì)人才和國內(nèi)領(lǐng)先的生產(chǎn)檢驗設(shè)備，不斷推出更好的低VF肖特基，且一貫注重產(chǎn)品質(zhì)量和信譽，精益求精，并能夠保證產(chǎn)品在付款后當(dāng)天或隔天內(nèi)發(fā)貨，為需求群體提供滿意的服務(wù)，優(yōu)良產(chǎn)品和完善的售后服務(wù)。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2020-10-28 16:49:06
，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性。第三，內(nèi)部兩只肖特基二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V
2018-12-10 15:19:35
200V。 4、肖特基二極管比普通的二極管通過的電流強。 5、肖特基二極管比普通二極管的結(jié)電容小。 6、肖特基二極管可以通過高頻電流。 綜合以上區(qū)別可以說肖特基二極管比普通二極管功能性更好，適用廣泛。`
2018-11-05 14:29:49
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
SiC-SBD，藍色是第二代，可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。 2.若在對管中有一只管子破壞，則可作單管使用。 3.在彩色電視機和多頻顯示器的開關(guān)電源的輸出電路和行輸出電路中，整流肖特基二極管和行輸出阻尼二極管大都
2018-12-05 11:54:21
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-20 15:22:29
是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件，它具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優(yōu)點。可作高頻、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱
2015-10-19 11:26:11
快恢復(fù)二極管，它具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優(yōu)點。可作高頻、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電
2022-03-31 10:04:12
），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒~！前者的優(yōu)點
2020-12-15 15:45:54
流IR也同樣得到大幅改善。普通肖特基勢壘二極管的特性存在一種矛盾關(guān)系，即當(dāng)試圖降低正向電壓時，漏電流就會增加。第三代SiC-SBD不僅繼承了正向電壓低的特點，還通過采用JBS結(jié)構(gòu)而大幅降低了漏電
2018-12-03 15:11:25
，即在開關(guān)電源(開關(guān)模式電源，SMPS)或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換； 2、阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動，例如當(dāng)電池插入不正確時。由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管
2018-10-19 15:25:32
0.4V擺布。其做工比通常二極管要精細復(fù)雜，報價也要貴，但在外在體現(xiàn)功能上與通常二極管是類似的。 肖特基二極管與通常的PN結(jié)二極管不同：是運用N型半導(dǎo)體資料與金屬在一起聯(lián)系構(gòu)成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。 肖特基
2018-10-17 15:45:12
肖特基二極管特性肖特基二極管最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管
2016-04-19 14:24:47
特性肖特基二極管最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管、保護二極管
2015-10-08 15:52:46
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。
2019-05-21 06:20:44
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
，Littelfuse最近推出了兩個全新產(chǎn)品系列：MBR和DST功率半導(dǎo)體。MBR系列的整流二極管基于硅上肖特基二極管技術(shù)，不僅具有低漏電流，且提供高溫電阻和低正向電壓。它們非常適合用于高頻開關(guān)電源、續(xù)流
2018-11-06 13:48:58
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
有廣泛的應(yīng)用前景。 受限于硅材料的特性，商用硅基肖特基二極管最高耐壓在200V左右，在現(xiàn)有技術(shù)平臺下，高電壓（300V以上）硅基肖特基二極管無法在正向特性、可靠性和成本等因素上達到平衡，致使其無法
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點，應(yīng)用開關(guān)頻率可達到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
、RBR2LAM60B、RBR2LAM60A、RBR1LAM60A系列肖特基二極管具有可靠性高、功耗小、正向壓降小、反向峰值電流大等特點，特別適合用于整流電路上。RBR5LAM60A、RBR3LAM60B
2019-04-18 03:48:05
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07
611 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論