等各行各業。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環節，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統的失效，因此發這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2018-01-05 09:14:13
27575 
英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案，用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:3227183 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002390 
等各行各業。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環節，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統的失效，因此發這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2022-08-23 09:27:541524 最近看到一個東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯，就把內容復制出來了，分享給大家看下。
2023-02-20 09:25:111648 首先說一下電源IC直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式，在這類方式中，我們由于驅動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386456 
等各行各業。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環節，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統的失效，因此發這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。
2023-05-04 09:43:01735 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導通，需要盡量提高柵極的驅動電流。那是不是柵極驅動電流越大越好呢，即驅動電路的內阻越小越好？
2023-08-14 09:34:182445 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET柵極驅動器LTC44411資料下載內容包括：LTC4441-1功能和特點LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內部方框圖LTC4441-1典型應用電路LTC4441-1電氣參數
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅動器LTC4441資料下載內容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數
2021-03-29 06:26:56
MOSFET驅動電路中自舉電容如何發揮作用？為何漏極48V導通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
TLP250包含一個GaA1As光發射二極管和一個集成光探測器，是8腳雙列封裝，適合于IGBT或功率MOSFET柵極驅動電路。TLP250的管腳如圖1所示，管腳接線方法如表1所示。---TLP250驅動
2012-06-14 20:30:08
模式釋放，請關閉設備電源。注：OCP用于保護設備不受過電流的影響。OCP公司在LED短路狀態下可能不工作，因為線圈可能抑制電流增加。內部開關邏輯該器件可根據需要開啟或關閉MOSFET柵極驅動電路電流控制
2020-11-23 16:57:32
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
+百元京東卡任性大派送！北京攻城獅們，動起來！與行業大咖面對面探討“應用層通信安全”精選電路設計資料：各類傳感器工作原理圖解析合集（共80個）資深電工總結常見電路講解資料集高速MOSFET柵極驅動電路
2019-03-15 17:07:35
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
本文從MOSFET技術和開關運行概述入手，按照由易而難的順序，對各類問題進行了闡述。詳細介紹了解接地參考和高側柵極驅動電路的設計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。
2019-05-22 07:00:00
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設定為最大
2017-01-13 15:14:07
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關管，TL494做脈沖寬度調制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
充電，TIMER定時開始，此時MOSFET柵極驅動電路控制ID恒流，當CT充電達到4 V時，GATE引腳被拉低，MOSFET被關斷。此后內部電路控制CT進行放電，當放電到達1 V時，GATE重新
2018-10-08 15:26:22
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負電壓的特殊柵極驅動器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅動信號振蕩產生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數的驅動電路等效模型，對柵極驅動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅動電路各參數與振蕩的關系，并以此為依據
2018-08-27 16:00:08
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)在電源設計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅動電路中使用的發射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現
2019-07-18 07:08:12
的柵極電壓下工作，但輸出特性變化很大，如圖2所示。可以得出結論，較低的柵極電壓會導致較低的整體系統效率。優化SiC MOSFET柵極驅動電路以實現具有足夠高柵極電壓的低RDSon，只是優化損耗工作量
2023-02-24 15:03:59
”。接著決定調整MOSFET柵極驅動的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，而且，決定限流和斜率補償上必要的電流檢測電阻R8。這部分將在“主要部件的選定－MOSFET相關 其2”中說明。先說明此部分電路
2018-11-27 16:58:28
R8檢測電流并加以限制。首先，本稿決定調整MOSFET柵極驅動的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，其次，決定限流和斜率補償上必要的電流檢測電阻R8。MOSFET 柵極電路 R5、R6、D4為了驅動
2018-11-27 16:58:07
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET柵極驅動電路的設計與應用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET柵極驅動電路設計和應用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅動電路。該電路通過循環儲存在柵極電容中的能量來實現減少驅動功率損耗的目的，從而保證了此驅動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 摘要：IR2117是美國IR公司專為驅動單個MoSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點和參數限制，同時剖析了它的內部結構和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 典型柵極驅動電路框圖
2008-11-05 23:14:23906 
功率MOSFET的隔離式柵極驅動電路
2009-04-02 23:36:182182 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
2013-03-02 12:28:520 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 伏開關關閉的門檻，非常適合于功率MOSFET的柵極驅動電路。該uc3842a 1安培的輸出是用來輔助電源電壓切換到主PWM控制器，一個芯片或UC3846為例。 該uc3842a振蕩器配置為生成一個恒定關斷時間，對應于所需的啟動延遲時間。在操作開始時，紫外線 啟動時鐘周期，在引腳6的PWM輸出
2017-07-04 09:50:2640 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 和開爾文結構封裝的串擾問題分別進行分析，柵漏極結電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關斷狀態開關管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串擾問題的驅動電路，該驅動電路具有柵極關斷阻抗低、結構簡單、易于控制的特點。分析該驅動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 本文主要介紹了tlp250工作原理（tlp250引腳圖及功能_內部結構_封裝尺寸及應用電路），TLP250包含一個GaAlAs光發射二極管和一個集成光探測器，8腳雙列封裝結構。適合于IGBT或電力MOSFET柵極驅動電路。TLP250輸出電流較小，對較大功率IGBT實施驅動時，需要外加功率放大電路。
2018-01-29 11:03:23171344 
ADP3110A是一個單相12V MOSFET柵極驅動器，它被優化成在同步降壓轉換器中同時驅動高_側和低_側功率MOSFET的柵極。高_側和低_側驅動器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時間驅動3000pF負載。
2018-08-27 10:44:0078 MOSFET柵極驅動的振蕩現象
2019-04-18 06:16:0024536 
主要部件選型：MOSFET柵極驅動調整電路
2019-07-02 15:06:293454 很明顯，較低柵極電荷器件最大限度地減少了輸入上的可見電流。選擇MOSFET和柵極驅動電路來實現最優響應是十分重要的設計考慮，這是因為這種設計限制了di/dt，并且滿足了MOSFET安全運行要求。這些復雜的設計考慮在分析起來可不那么容易；因此，最好在在工作臺上對它們進行模擬和確認。
2019-08-27 15:24:553896 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驅動電路必須具備兩種功能：一是實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012781 
柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導通。
2020-01-29 14:18:0019390 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設計人員首先根據數據表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅動電路設計。基于柵極對源電容的RC值通常會導致柵極驅動嚴重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 來源：羅姆半導體社區 柵極驅動器的作用 柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅動器數據表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 帶MOSFET柵極驅動器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:512408 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動集成電路(IC)的首款產品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 LN8362 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。
2022-06-23 14:20:2611813 
MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 強魯棒性低側柵極驅動電路設計指南
2022-10-28 11:59:551 本文介紹了三個驅動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進行計算 輔助MOSFET電路的驅動設計中電流的計算 不是mosfet導通電流 是mosfet柵極驅動電流計算和驅動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管，可以有效防止發生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:00771 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅動器等系統中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 柵極驅動路徑中的交流耦合可為柵極驅動信號提供簡單的電平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的開通和關斷柵極電壓，而高側柵極
驅動則不同，它最需要關注的是縮小較大的電勢差。在如 圖31 所示
2023-02-23 15:31:242 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 1.PWM直接驅動驅動主開關晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅動輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅動和接地環路跡線
2023-02-24 10:45:172 在 MOSFET 中設計以實現安全可靠的柵極驅動操作-AN90001
2023-03-01 18:38:548 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發射極）。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391475 常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
介紹
在設計電源開關系統（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
2023-12-15 09:46:07253 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571
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