當MOS管關斷之后，在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是開關電源的輸入電壓，而Vor就是反射電壓。

在MOS管導通時，初級繞組電流增大，初級繞組（繞組的本質是電感）為了抑制電流增大，所以在磁芯內產生磁通量，初級繞組兩端產生上正下負的感應電動勢。而次級繞組為了抑制磁通量增強，次級繞組感應產生上負下正的感應電動勢，輸出二極管D1不導通。

在MOS管關斷的初始時刻，初級繞組電流減小，繞組為了抑制電流減小，初級繞組兩端產生上負下正的感應電動勢。在此時刻的Vds為電壓尖峰，Vds=輸入電壓Vin+初級繞組電感感應電動勢(反射電壓Vor)+初級繞組漏感感應電動勢Vspike，此電壓尖峰產生電流向RCD電路中的鉗位電容C2進行充電。因為初級繞組漏感和功率開關管輸出寄生電容的諧振作用影響，Vds會有一小段諧振振蕩波形。而次級繞組為了抑制磁通量減弱，次級繞組感應產生上正下負，所以輸出二極管D1導通，次級繞組向輸出電容Co充電，向負載供電，輸出電壓為Vo。

MOS管斷開一定時間之后，初級繞組漏感的能量已經被RCD吸收電路消耗，初級繞組電流持續減小，此時磁芯的磁通量持續減弱。次級繞組為了抑制磁芯的磁通量減弱，試圖維持磁芯內的磁通量，次級繞組感應產生上正下負的電壓。次級繞組仍向輸出電容及負載供電，由于輸出電容一般比較大，我們認為輸出電壓Vo基本不變，次級繞組兩端的電壓仍為Vo+Vd。

同樣的初級繞組為了抑制磁芯的磁通量減弱，試圖維持磁芯內的磁通量，初級繞組電感會產生上負下正的感應電壓Vor，這個電壓即是反射電壓。因為MOS管關斷且鉗位電容C2兩端的電壓更高，所以此感應電壓沒有導通回路，所以不產生電流。

為什么兩個初級繞組和次級繞組繞組感應電壓的方向總是相反的？因為他們的同名端相反。

根據電感的感應電壓公式V=匝數×磁通量變化率=N* dΦ/dt 。因為初級繞組和次級繞組都纏繞在同一個磁芯的中柱上，所以對初級繞組和次級繞組來說，磁通量是相同的，磁芯磁通量的變化率是一樣的。換句話說，初級繞組感應電壓和次級繞組感應電壓的數值大小，只跟匝數有關系。也就是說，初級繞組電感的感應電壓（反射電壓）Vor=Nps×（Vo+Vd），其中Nps是初級繞組與次級繞組的匝數比，Vo是輸出電壓，Vd是輸出二極管的正向導通壓降。

因為輸入電壓與反射電壓方向相同，所以這兩個電壓疊加在一起加在MOS的DS兩端。在MOS管關斷后Vds波形的中段位置，如圖Figure 1-2所示Vds=Vin+Vor。