是一個18V的TVS二極管，SMBJ18A-HT。U12是穩壓器。在TVS的規格書中指出，SMBJ18A的浪涌電流為20.5A，鉗位電壓為29.2V。對我們的電路來說是完全滿足的，因為我們的穩壓器在
2019-11-12 11:10:07
你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅動這些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻，如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
能力，保護HPA免受柵極電壓增加影響的柵極箝位，以及用于優化脈沖上升時間的過沖補償。典型漏極脈沖配置通過漏極控制開關HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯FET開啟輸入HPA的高電壓。控制電路需要將邏輯
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
浪涌電壓/電流產生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網中出現的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當某些大容量的電氣設備接通或斷開時間，由于電網中存在電感，將在電網產生“浪涌電壓”，從而引發浪涌電流。 簡單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產生的？
2021-09-29 07:30:33
能力；4、保護絕大多數的敏感負載；對于不同的技術方式來實現由以下兩種：1、電壓限制型；2、電壓開關型浪拓電子浪涌過電壓保護器件分為鉗位型和開關型器件。鉗位型過壓保護器件：瞬態抑制二極管TVS、壓敏電阻
2019-11-08 16:07:56
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 編輯
關于電壓源與電流源串聯之后電壓源無法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負極接基極
2020-08-11 10:04:29
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
傳說中的米勒電容。 這三個等效電容是構成串并聯組合關系，它們并不是獨立的，而是相互影響，其中一個關鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
MOS管是N溝道si2302，用人體感應模塊3.3V電壓控制柵極，負載電流260ma，導通后負載電壓11.3V。MOS管在沒有導通的情況下，測得負載端電壓5.3V，電流0，漏極跟柵極和源極分別有6.6V電壓。為何沒導通負載端還有電壓，這正常嗎
2021-08-26 08:33:43
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
形成電子導電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場，電子逆著電場方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-04 17:27:52
形成電子導電溝道，將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0)，形成橫向電場，電子逆著電場方向漂移到漏極，形成漏極到源極的電流。深入了解：1. 如果柵極家的電壓不夠大，即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
Multisim里單獨一個PMOS管什么也不接只給源極加個電壓，用示波器測它漏極為什么會有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
）、柵極－源極（發射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
老規矩先放結論：與反向并聯的二極管一同構成硬件死區電路形如：驅動電路電壓源為mos結電容充電時經過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長了柵極電容兩端電壓達到mos管開啟電壓的速度；結電容放電時經
2021-11-16 08:27:47
“ ON”，因此需要相對于源極的負柵極電壓來調制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩定電流流過JFET，就可以通過從單獨的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該負電壓
2020-09-16 09:40:54
“ ON”，因此需要相對于源極的負柵極電壓來調制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號并且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置，只要穩定電流流過JFET，就可以通過從單獨的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該
2020-11-03 09:34:54
手觸摸容易壞，為什么MOS管書名叫場效應管呢？場是電場的場，效應就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暫的尖峰浪涌電壓，但能量維持時間短。MOSFET的柵極源極之間是絕緣的，其GS之間有一個電容。根據U
2023-09-25 10:56:07
的電壓； VRG：柵極驅動電阻的電壓； VLG：柵極寄生電感的電壓。 VG1S=VG1S1+VLS 因此，最內部VG1S1的電壓低于VG1S：VG1S1《VG1S，相當于源極封裝電感LS的感應電壓
2020-12-08 15:35:56
有一個圖表代表一個電路，其目的是根據微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個LED。在下面的電路中，據我所知，有兩個n型晶體管，它們分別有一個電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問題是：為什么需要標記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
源極電壓的最大值V（BR）DSS、柵極閾值電壓V（BR）GS以及SOA。V（BR）DSS漏源極電壓的最大值：V（BR）DSS漏源極電壓的最大值必須高于最高電源電壓。如果在出現輸出短路接地或在過壓
2022-04-02 10:33:47
電容充電，充電峰值電流會超過了單片機的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時間而減小柵極充電電流。 第三，當柵極關斷時，MOS管的D-S極從導通狀態變為截止狀態時，漏源極電壓VDS會迅速增加
2023-03-10 15:06:47
電壓。將這些式子結合起來，可得到MOSFET柵極驅動電壓是漏源電壓的函數：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規格書下載：
2021-04-08 11:37:38
浪涌保護與之相近的是ESD靜電防護。浪涌電壓是導致計算機誤動作、數據丟失的主要原因。浪涌電壓也會導致計算機軟損傷，軟損傷就是...
2021-09-13 06:37:58
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
請教各位大蝦，場效應管導通后，源極和漏極的電壓是相等的嗎?
2013-07-22 11:40:31
開關損耗降低多達 26%。 電流源驅動器 （CSD） 和電壓源驅動器 （VSD）： 圖1顯示了柵極驅動器BM61M41RFV-C（傳統電壓源驅動器）與BM60059FV-C（電流源驅動器）的框圖。還
2023-02-21 16:36:47
！它在高側柵極驅動器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側柵極驅動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
過程引起的微浪涌電壓，給電機的絕緣帶來影響，造成電機損傷。這里把浪涌稱為微浪涌是為了區別于雷電等突發的強大浪涌，微浪涌從示波器上看是密集的、連續存在的、很窄的尖峰電壓。 ??本文對微浪涌電壓的發生
2021-03-10 07:35:56
求大神幫忙推薦一個輸入12v電壓的場效應管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無輸入電壓時，源極與漏極截止，當柵極輸入電壓時，源極與漏極導通，求大神推薦一下產品，順便告知一下電阻選用哪個范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
耦合后會在MOS管的柵極輸入端產生振蕩電壓,振蕩電壓會破壞MOS管的氧化層。 三、MOS管導通和截止的瞬間,漏極的高電壓會通過MOS管內部的漏源電容偶合到功率MOS管的柵極處,使MOS管受損。 四
2018-10-19 16:21:14
。 五、柵極電涌、靜電破壞 主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而弓起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞
2018-11-21 13:52:55
*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會輸出相應的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實現所需的浪涌電流波形，<span] 運放組成基本的反向運算電路，驅動VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。找元器件現貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
有關的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于1 μs的目標還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程能力，保護HPA免受柵極電壓增加影響的柵極箝位，以及用于優化脈沖上升時間的過沖補償。典型漏極
2018-10-31 11:30:51
本帖最后由 sirtan養樂多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個電路只用于電機通斷控制，開關頻率間隔在五秒以上，不用來調速。用開關進行柵極電壓控制就沒有問題，把開關換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
抑制二極管的選擇：a) 最大箝位電壓VCMAX應不大于電流的最大允許安全電壓。 b) 最大反向工作電壓VRWM應不低于電路的最大工作電壓。一般略高于電路的工作電壓。 c) TVS額定的最大脈沖功率必須大于電路中出現的最大瞬態浪涌功率。 了解更多的電路保護元件，請直接進入浪拓電子咨詢FAE。
2019-08-14 11:44:38
母線有浪涌電壓影響變頻器，用浪涌保護器可以嗎？三相電30kw用多大？
2017-04-23 01:56:51
插入電池，打開開關后U3A導通，那不是漏極拉低，把U3A的柵極拉低？互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
`設計了一個D類功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測量功放管的柵極處的驅動信號是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時，驅動信號有毛刺，導致電源保護，請問大神們有遇到過這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時柵源極驅動信號波形。`
2019-02-21 11:23:53
在電流鏡像電路中，有時會把場效應管的源級接Vcc，漏極接地，那么當柵極與漏極相連構成電流鏡時，場效應管是怎么導通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設計中有4個MOSFET管串聯，由于只有兩層，四個MOSFET管的3個源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個MOSFET管柵極串聯的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會不會受影響？
2018-07-24 16:19:28
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負載開關等效電路圖關于Nch MOSFET負載開關ON時的浪涌電流應對
2019-07-23 01:13:34
壓敏電阻在電路防雷、防浪涌方面起到至關重要的作用，那么如何使用壓敏電阻呢？在壓敏電阻使用過程中有哪些需要注意的呢？下面就由源林電子的小編帶大家了解下壓敏電阻的使用：壓敏電阻一般并聯在電路中運用，當
2018-05-28 16:35:45
（即施加到柵極的電壓相對于施加到源極的電壓）達到某個特定值（稱為閾值電壓）以上，MOSFET才會傳導大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅動電路的輸出電壓。像通常的物理現象一樣，MOSFET的導
2019-10-25 09:40:30
開關操作) 前端保護向浪涌電壓過渡 像二極管整流橋一樣，混合式整流橋也與市電插座直接相連，如果有浪涌電壓，很可能會燒毀整流橋和PFC芯片(例如，圖1中的旁通二極管D4)。 按照IEC61000-4-5
2018-10-11 16:04:02
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
極之間連接幾nF的電容。如果希望進一步了解詳細信息，請參考應用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來是關斷時的波形。可以看出，TO-247N封裝產品（淺藍色實線
2022-06-17 16:06:12
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
雷擊和電壓浪涌產生及危害
電壓浪涌是指電子系統額定工作電壓瞬時升高，其幅度達到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統的數據
2010-05-15 15:01:29
35 本文對微浪涌電壓的發生機理及其對電機的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術，以及最近出現的衰減微浪涌電壓的產品和采用細線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:05
3790 觀看視頻系列，“了解您的柵極驅動器”。 柵極驅動器雖然經常被忽視，但是它在電源和電機控制系統等系統中發揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅動器比作肌肉！該視頻系列說明了柵極驅動器的工作原理，并重點介紹
2017-04-26 15:18:383417 
浪涌（Electrical surge），顧名思義就是瞬間出現超出穩定值的峰值，它包括浪涌電壓和浪涌電流。浪涌也叫突波，顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質上講，浪涌是發生在僅僅幾百萬
2017-08-18 08:59:4613591 但當變頻器和電機之間的接線距離很長時，電機接線端因變頻器的高速開關過程引起的微浪涌電壓，給電機的絕緣帶來影響，造成電機損傷。這里把浪涌稱為微浪涌是為了區別于雷電等突發的強大浪涌，微浪涌從示波器上看是
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網中出現的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質上講，浪涌就是發生在僅僅百萬上之一秒內的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產生原因有兩個，一個是雷電，另一個是電網上的大型負荷接通或斷開（包括補償電容的投切）時產生的。
2018-01-11 11:09:3234148 
凌力爾特的浪涌抑制器產品通過采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
平時在做浪涌測試時，總是提到的參數是設備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經常考慮這個問題，TVS哪個參數能對應出不同的浪涌電壓值。
2020-12-26 09:08:259847 
平時在做浪涌測試時，總是提到的參數是設備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經常考慮這個問題，TVS哪個參數能對應出不同的浪涌電壓值。
2021-03-17 23:57:5734 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產生的
2021-06-10 16:11:442121 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53752 電壓浪涌保護器 適用于TN和TT,IT供電系統 具有遙信觸點和失效指示功能 可插拔模塊方便更換 內置過溫保護，更安全的失效保護 電壓浪涌保護器應用： 交直流系統 新能源 民用建筑 通信 數據中心
2022-10-18 14:28:12465 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應的對策進行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關側）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關側）的VGS的負浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
2023-12-05 14:46:22153 
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
2023-12-05 16:35:57128 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 引起：閘刀的合、分閘操作；雷電、閃電等自然災害；大功率設備的開關操作；電力系統中的故障產生等。 首先，人們需要了解浪涌過電壓的危害。浪涌過電壓對電力設備和電子設備都會造成一定程度的破壞，嚴重情況下甚至會引發火災和安
2024-01-03 11:20:57462 不良影響，甚至導致設備的損壞。因此，抑制電源轉換器中的浪涌電壓是十分重要的。 首先，為了詳盡、詳實、細致地解決這個問題，我們需要了解浪涌電壓的產生原因。浪涌電壓通常是由開關元件的關斷造成的，在電源轉換器中主要
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