于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓 ,以及 SiC器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的寄生導(dǎo)通問題 。本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給
2022-07-07 09:55:002477 二、灌流電路 1、MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路; 灌流電路MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于MOS管具有的容性輸入特性,MOS管的輸入端,等于是
2021-03-25 15:51:199521 本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考!
2022-07-06 18:10:022043 初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件,在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48850 本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了氧化物厚度的減少,從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001463 在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時(shí),就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細(xì)說明。
2023-07-20 09:40:171551 通過了解MOS管的的開關(guān)過程,以及MOS米勒電容的影響,來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:366062 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
效率,并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上,有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀(jì)八十年代的IGBT革命一樣,今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅(SiC)再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
設(shè)計(jì)得低,開啟電壓也可以做得低一些,但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝,成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等,而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
從本文開始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復(fù)二極管)進(jìn)行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進(jìn)行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
%。如該例所示,毫無疑問,SiC功率元器件將成為能源問題的一大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述,利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然,這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn),接下來希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng),在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng):柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng),更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
參考文件:一文了解BLDC與PMSM的區(qū)別? ?????BLDC和PMSM電機(jī)區(qū)別???? ? STM32 FOC BLDC與PMSM的區(qū)別PS:總結(jié)語句用紅色標(biāo)出,看紅色字體即可。現(xiàn)代電機(jī)與控制
2021-08-30 08:38:10
“本文大部分內(nèi)容來自LVGL官方文檔,手翻版,如有錯(cuò)誤歡迎指正。”系列文章目錄一、LVGL系列(一)一文了解LVGL的學(xué)習(xí)路線輕松了解LVGL的全部二、LVGL系列(二)之一 LVGL必讀介紹
2021-12-07 12:55:03
一文了解透傳云基礎(chǔ)知識(shí)講透傳云,我們先
了解它的定義,首先
了解下****透傳透傳: 透明傳輸。即在傳輸過程中,不管所傳輸?shù)膬?nèi)容、數(shù)據(jù)協(xié)議形式,不對數(shù)據(jù)做任何處理,只是把需要傳輸?shù)膬?nèi)容數(shù)據(jù)傳輸?shù)侥康摹M?/div>
2023-02-25 10:32:23
一文帶你了解步進(jìn)電機(jī)的相關(guān)知識(shí):相、線、極性和步進(jìn)方式2017-09-07 16:45這里不說步進(jìn)電機(jī)的 “細(xì)分” 實(shí)驗(yàn),只說一下有關(guān)步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)概念以及步進(jìn)電機(jī)的三種工作方式——單拍、雙拍、單雙
2021-07-08 06:48:29
,關(guān)于MOS管的封裝改進(jìn)一直是令電子行業(yè)頭疼的一件事。MOS管封裝是在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用,同時(shí)還可
2019-04-12 11:39:34
昨天我們了解的MOS管(場效應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)組成,以及各結(jié)構(gòu)名字的功能運(yùn)用,今天再帶大家深入的了解一下MOS管的種類以及相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)。首先,MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有
2023-02-21 15:48:47
引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
`電子元器件碳化硅(Sic) MOSFETSCT50N1201200V65AHiP247-3深圳市英特洲電子科技有限公司,專業(yè)供應(yīng)碳化硅功率管(SIC/MOS/DIODES全系列)ST、ROMH.需要和了解更多的產(chǎn)品信息,請關(guān)注英特洲電子,QQ584140894原廠優(yōu)勢貨源!!`
2017-08-05 10:58:20
?簡介:本文將通過介紹如何實(shí)現(xiàn)屏和App實(shí)時(shí)顯示溫濕度和光照度采集數(shù)據(jù),以及通過控制屏和App去控制GPIO口電平翻轉(zhuǎn)來帶大家了解STM32和迪文串口屏以及Wi-Fi模組進(jìn)行數(shù)據(jù)交互。程序下載路徑:demo程序。一.迪文屏簡介顯示控制部分采用的是迪文的4.3寸串口屏。正面圖:?
2022-02-14 07:38:06
和GaN的特性比較 氧化鎵(GaO)是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料,GaO的導(dǎo)熱性較差,但其帶隙(約4.8 eV)超過SiC,GaN和Si,但是,GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn),先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測試,由于沒有大功率電源,暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
項(xiàng)目名稱:2500W級(jí)LED電源試用計(jì)劃:1.我司是業(yè)內(nèi)超大功率LED燈具和投影設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者,作為關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)之一的2500W級(jí)LED電源是我司一直邊研發(fā)邊生產(chǎn)邊應(yīng)用的項(xiàng)目。2. 作為下一代有希望代替硅基MOS的SiC-MOS一直是我司關(guān)注的重點(diǎn),欣聞貴司有此有利行業(yè)發(fā)展的善舉,特別高興
2020-04-24 18:02:56
,MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ,我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率,縮小設(shè)備體積,提高效率,所以急需該評(píng)估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng),望批準(zhǔn)!項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板,感謝羅姆,感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖,sic-mos有兩種封裝形式的,SCT3040KR,主要參數(shù)如下:SCT3040KL,主要參數(shù)如下:后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路,然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
有羅姆,英飛凌,Cree,意法半導(dǎo)體等,因?yàn)榱_姆在官網(wǎng)提供比較易得的SiC參數(shù)性能和仿真模型,之前也有了解一些SiC管性能參數(shù),下載模型在軟件做一些簡單的仿真。這次提供的試用開發(fā)板和對應(yīng)插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
提高功率密度,計(jì)劃今年上半年完成此項(xiàng)工作,可以采購羅姆器件,所以急需該評(píng)估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng),望批準(zhǔn)!
2020-04-29 18:26:12
項(xiàng)目名稱:風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃:申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn),目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā),是一個(gè)國產(chǎn)化項(xiàng)目,也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
項(xiàng)目名稱:SiC mosfet 測試試用計(jì)劃:申請理由:公司開發(fā)雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃:1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
機(jī)制還需要仔細(xì)了解。CH1:FB CH2:CS圖八 1A和空載另外測試了MOS的Vgs和VdsCH1:VDS CH2:VGS圖九:空載和1A,從圖上可以看出DS波形比較漂亮,沒有嚴(yán)重的尖峰和諧振。
2020-05-20 19:33:12
不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect - SCE),熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject - HCI)和柵氧化層漏電等
2018-09-06 20:50:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用,實(shí)際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮著SiC-SBD的優(yōu)勢。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善,并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季(第
2018-12-04 10:24:29
所增加,但其增加比例遠(yuǎn)低于IGBT模塊。可以看出結(jié)論是:在30kHz條件下,總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個(gè)優(yōu)勢。可見這正如想象的一樣,開關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關(guān)于
2018-11-27 16:37:30
如圖,想請教一下下如何確定mos的選型,目的是驅(qū)動(dòng)中間位置M(實(shí)際應(yīng)用為5V電磁閥門)想了解一下如何根據(jù)mos的參數(shù)來選型
2021-04-12 18:28:58
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象:共16個(gè)器件,其中5個(gè)正常,11個(gè)失效。其中失效情況:芯片漏電,及部分芯片燒毀,送測樣品圖如下:金鑒工程師隨機(jī)抽取其中一個(gè)漏電失效MOS管器件芯片樣品進(jìn)行
2018-11-02 16:25:31
,避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS,選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管,更適合
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管,包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi),特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
應(yīng)用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù),那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計(jì)得低,開啟電壓也可以做得低一些,但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝,成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等,而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng),有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?
2022-04-19 10:47:30
低,可靠性高,在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
如題,最近一個(gè)項(xiàng)目需要用到,但還沒確定用哪種MOS
2018-12-17 10:52:58
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C
2010-03-04 13:25:266625 各種多種晶型,它們的物性值也各不相同。其中,4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外,SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導(dǎo)體,所以適合制備MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:419486 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn),第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284281 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:533116 使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:582443 繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21768 引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。 ? 我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解
2023-02-20 15:56:442 繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08495 MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二 極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
2023-06-05 14:48:11287 2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26618 了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49529 在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34268 在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而,在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何種角色?
2023-11-30 16:12:41742 MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48322 MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21741 瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13293 瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42297 SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先,讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解AN90048高效SiC參數(shù)和穩(wěn)定的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:36:510 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜
2024-06-21 08:24:3689
評(píng)論
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