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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>一文了解SiC MOS的應(yīng)用

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

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2018-12-04 10:24:29

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

所增加,但其增加比例遠(yuǎn)低于IGBT模塊。可以看出結(jié)論是:在30kHz條件下,總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個(gè)優(yōu)勢。可見這正如想象的樣,開關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關(guān)于
2018-11-27 16:37:30

想請教下,關(guān)于mos管的選型

如圖,想請教下下如何確定mos的選型,目的是驅(qū)動(dòng)中間位置M(實(shí)際應(yīng)用為5V電磁閥門)想了解下如何根據(jù)mos的參數(shù)來選型
2021-04-12 18:28:58

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是種以個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點(diǎn)定位+FIB解析

SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象:共16個(gè)器件,其中5個(gè)正常,11個(gè)失效。其中失效情況:芯片漏電,及部分芯片燒毀,送測樣品圖如下:金鑒工程師隨機(jī)抽取其中個(gè)漏電失效MOS管器件芯片樣品進(jìn)行
2018-11-02 16:25:31

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個(gè)好?

,避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS,選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新代的寬帶隙晶體管,更適合
2023-02-27 09:37:29

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

應(yīng)的SiC-MOSFET覽表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管,包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi),特性得到大幅提升。覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41

淺析SiC-MOSFET

應(yīng)用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù),那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05

淺析SiC功率器件SiC SBD

設(shè)計(jì)得低,開啟電壓也可以做得低些,但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝,成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等,而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51

深愛級(jí)代理SIC953xD系列 /SIC全系列支持

深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25

深愛代理SIC953XD..SIC9531D.SIC9532D.SIC9533D.SIC9534D.SIC9535D

低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06

用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng),有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?

用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng),有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?
2022-04-19 10:47:30

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的體化封裝

低,可靠性高,在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12

超結(jié)MOSSiC MOS各有什么優(yōu)缺點(diǎn)

如題,最近個(gè)項(xiàng)目需要用到,但還沒確定用哪種MOS
2018-12-17 10:52:58

SiC,SiC是什么意思

SiC,SiC是什么意思 SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C
2010-03-04 13:25:266625

SiC器件的核心挑戰(zhàn)#硬聲創(chuàng)作季

SiC
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:18:34

14.1 SiC基本性質(zhì)(上)_clip001

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:12:34

14.1 SiC基本性質(zhì)(上)_clip002

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:13:16

14.1 SiC基本性質(zhì)(下)

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:14:08

14.2 SiC晶體結(jié)構(gòu)和能帶

SiC
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:22:10

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

各種多種晶型,它們的物性值也各不相同。其中,4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外,SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導(dǎo)體,所以適合制備MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:419486

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn),第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284281

一文深入了解SiC MOSFET柵-源電壓的行為

具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:533116

SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:582443

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21768

從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化硅SiC器件的未來需求

引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。 ? 我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解
2023-02-20 15:56:442

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08495

4個(gè)方面了解MOS

MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個(gè)二 極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
2023-06-05 14:48:11287

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26618

了解SiC器件的命名規(guī)則

了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49529

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34268

SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對比

在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而,在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何種角色?
2023-11-30 16:12:41742

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48322

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導(dǎo)體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21741

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13293

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42297

SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別

SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先,讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24360

了解AN90048高效SiC參數(shù)和穩(wěn)定的設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解AN90048高效SiC參數(shù)和穩(wěn)定的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:36:510

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜
2024-06-21 08:24:3689

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