多層平面陣列是一種特定的用于EMI濾波連接器的元件設(shè)計(jì)形式。一個(gè)陶瓷塊內(nèi)包含有多種電容器。單個(gè)接線都是通過(guò)通孔連接到每個(gè)電容器，并且在器件范圍內(nèi)都連接到地。當(dāng)信號(hào)沿多條路徑到地時(shí)表現(xiàn)出非常低的阻抗（圖3）。連接器的每一個(gè)接頭連接到一個(gè)或多個(gè)陣列內(nèi)的孔上。在每一個(gè)孔里有一個(gè)電容器——‘熱電極’與周圍的整體連接起來(lái)，地面電極覆蓋整個(gè)平面并且和連接器外殼通過(guò)平面周邊連接起來(lái)（圖4）。

圖3

圖4

　　以平面為基礎(chǔ)的濾波連接器適用于所有MIL－STD連接器設(shè)計(jì)。連接器的形狀（該平面陣列的外形必須一致）均為圓形或長(zhǎng)方形。常用的矩形設(shè)計(jì)包括D-Sub和高密度D-Sub和微Ds，Arinc404s和Arinc600。不規(guī)則形狀也可以。相應(yīng)的平面尺寸是：從5毫米見(jiàn)方到75毫米直徑。

　　接觸數(shù)目從2個(gè)到200多個(gè)。標(biāo)準(zhǔn)的接觸范圍從0.3毫米直徑向上到同軸電纜——全部能濾波。標(biāo)準(zhǔn)接觸程度從0.63毫米開(kāi)始。

　　平面陣列內(nèi)，有多達(dá)6種不同的、沒(méi)有任何比率關(guān)系電容值可以布置在版面上。每一個(gè)平面可以指定不同的工作電壓，一個(gè)典型300伏額定直流電的平面可以承受高達(dá)750伏的瞬態(tài)峰值。瞬態(tài)能力達(dá)3000V需要指定。個(gè)別的孔可能是絕緣的（饋入點(diǎn)）或接地。可以指定最大為10MΩ的地平面電阻，并且串?dāng)_電容可以限制在10pF或更小。

　　平面陣列的復(fù)雜性不在于復(fù)雜的電氣要求以便組成單個(gè)元件，而在于制造該器件的機(jī)械精度。典型情況下，連接器的引腳位置精度必須優(yōu)于±0.05毫米，而平面陣列必須有相同的或更好的公差。平面必須在陶瓷煅燒之前完成（成形和鉆孔），在煅燒時(shí)它們會(huì)收縮，一般是百分之二十左右。30毫米直徑平面煅燒后引腳的位置相對(duì)于中心基準(zhǔn)點(diǎn)移動(dòng)至少超過(guò)2.5毫米，也就是說(shuō)它是管腳公差允許值的50倍！

　　平面陣列是一種最先進(jìn)的無(wú)源器件。每個(gè)器件擁有多個(gè)電容器，多個(gè)電容值以及多種電氣功能的替代品，它就是一種原始的集成無(wú)源元件。

　　多層壓敏電容陣列

　　低電壓時(shí)多層壓敏電阻的效能像電容器。晶體顆粒的邊界是絕緣的，表現(xiàn)出介電材料特性。MLV的有效介電常數(shù)約800，是典型的X7R多層電容器介質(zhì)介電常數(shù)的四分之一到三分之一。從壓敏變阻器得到的電容值是低于那些傳統(tǒng)的電容器。鑒于這些是常規(guī)多層電容器技術(shù)所能得到的低端產(chǎn)品，從總價(jià)值看，MLV的濾波性能與一個(gè)電容器相比是無(wú)區(qū)別的。

　　當(dāng)應(yīng)用于濾波器時(shí)，壓敏電阻提供了額外的瞬態(tài)保護(hù)功能。它將暫態(tài)電壓脈中所載的能量消耗成熱（圖5）。高導(dǎo)電氧化鋅顆粒作為散熱器可確保整個(gè)器件中迅速和均勻地散熱，并盡量減少溫度上升（但是壓敏電阻只可以消耗少量的平均功率，不適合應(yīng)用在連續(xù)功率消耗上）。

圖5

　　已有事實(shí)表明，可以建造一種多層結(jié)構(gòu)，不具有多層電容元件結(jié)構(gòu)，因而不能重復(fù)用作壓敏電阻。