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測試時需要使用一臺晶體管圖示儀，電路如圖所示。TOPSwitch-GX的D、C、S極分別接圖示儀的C、B、E孔。由圖示儀提供的漏-源電壓UDS應低于700V，以免損壞器件。當C端加上如圖所示的波形時，可將內部MOSFET關斷。關斷時的漏電流IDSS小于或等于250UA，這可通過串入電路中的微安表測得，亦可由數字萬用表的直流200UA（或2MA）擋來代替微安表。
測試漏-源擊穿電壓和關斷時的漏電流
- 測試漏-源(5905)
- 擊穿電壓(8824)
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電壓源與電流源串聯，電壓源無法正常工作
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電壓源和電流源的問題
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如果一個電路只有一個電流源，沒有電壓源，那么哪來的電壓來提供給電路呢？比如上面這個電路，電流源的話是改變兩端電壓來達到特定
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ASEMI場效應管7N80，7N80性能特點，7N80機械性能
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MOS管為什么會被靜電擊穿？
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MOS管各項參數
%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規格的。正常
2020-07-23 07:23:18
MOS管的每一個參數含義，這篇給你講全了！
的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規格的。正常
2019-08-20 07:00:00
UIS測試了解一下？
面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關斷過程中，如果電壓過沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，但是——當電感上產生的電壓超過MOSFET的擊穿電壓后，將導致雪崩
2019-08-29 10:02:12
【原創推薦】從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十五）
的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當ID達到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值
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2020-12-08 15:35:56
中文圖解功率MOS管的參數，詳細實用資料！
的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規格的。正常
2019-11-15 07:00:00
從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十四）
都是在環境溫度25℃條件下測試的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當ID達到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿
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2020-12-28 09:51:221328
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