6482型雙通道皮安表/電壓源的技術(shù)指標(biāo)是什么
2021-05-06 06:28:38
恒壓法測(cè)量高電阻，需要使用一臺(tái)能夠測(cè)量弱電流的儀器和一臺(tái)直流恒壓源。有些靜電計(jì)和皮安計(jì)具有內(nèi)置的電壓源，能夠自動(dòng)地計(jì)算出未知電阻。使用靜電計(jì)和皮安計(jì)的恒壓法的基本電路配置如圖2-30a所示。而圖
2011-08-09 14:22:29
源表選型小貼士--安泰租賃源測(cè)量單元(SMU)是一種既可作為電壓源/電流源提供精確的電壓/電流,又可同步測(cè)量電流值或電壓值的測(cè)量儀表。源測(cè)量單元(SMU)可精確地發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓和/或
2022-01-20 14:39:51
電壓表是測(cè)量電壓的一種儀器，常用電壓表——伏特表符號(hào)：V，在靈敏電流計(jì)里面有一個(gè)永磁體，在電流計(jì)的兩個(gè)接線柱之間串聯(lián)一個(gè)由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈，線圈放置在永磁體的磁場(chǎng)中，并通過傳動(dòng)裝置與表的指針相連
2016-02-18 15:04:09
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，用電子束對(duì)樣品斷面(剖面)進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX的成份分析。iST宜特檢測(cè)具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
FIB聚焦離子束電路修改服務(wù)芯片 在開發(fā)初期往往都存在著一些缺陷，F(xiàn)IB(Focused Ion Beam, 聚焦離子束) 電路修改服務(wù)，除了可提供了 芯片 設(shè)計(jì)者直接且快速修改 芯片 電路，同時(shí)
2018-08-17 11:03:08
、二手儀器及附件。長(zhǎng)期 專業(yè)銷售、維修、回收 高頻 二手儀器。KEITHLEY 2440 回收 吉時(shí)利2440KEITHLEY 2440型5A源表能夠測(cè)量高達(dá)40V的電壓和5A的電流，輸出功率50W吉時(shí)
2021-12-11 12:38:27
源、電壓源、皮安表、電子負(fù)載等。最大功率包絡(luò)：100W DC、1000W 脈沖V & I 范圍：100nV 至 200V，1pA 至 10A最佳精度：0.02%，6.5 位最大速度：1
2020-02-18 11:35:49
的電流，輸出功率20W詳細(xì)描述關(guān)聯(lián)選件關(guān)聯(lián)配件技術(shù)資料商品描述：最大可測(cè)量200V的電流和1A的電流，輸出功率20W詳細(xì)描述關(guān)聯(lián)選件關(guān)聯(lián)配件技術(shù)資料吉時(shí)利數(shù)字源表系列特別適用于需要精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)
2017-12-20 11:45:39
)Keithley 6485 皮安表5－1/2位顯示的6485型皮安表融合了吉時(shí)利在靈敏電流測(cè)量儀器上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在測(cè)量速度及耐用性能上又有改善。這款經(jīng)濟(jì)型的儀器具有8個(gè)電流量程和快速自動(dòng)量程功能，可以測(cè)量
2021-06-23 17:36:34
的精度和更快的上升時(shí)間、一個(gè) 500V 源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨率和雙獨(dú)立 30V 電壓偏置源
2021-08-15 11:21:42
：深圳寶安沙井廣新生大廈吉時(shí)利數(shù)字源表系列特別適用于需要精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表都提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器級(jí)
2021-09-24 14:08:46
我公司是由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成。我們?yōu)榧呻娐吩O(shè)計(jì)和制造工業(yè)，光電子工業(yè)，納米材料研究領(lǐng)域提供一流的分析技術(shù)服務(wù)。我們特別專注于離子束應(yīng)用技術(shù)在
2013-09-03 14:41:55
二手吉時(shí)利2502皮安表keithley2502源表 銷售/回收熱線188-8361-1172 同V信工廠閑置/廢棄電子儀器 個(gè)人閑置儀器 全國(guó)上門回收售出儀器均可免費(fèi)保修3個(gè)月-12個(gè)月不等
2021-10-27 10:25:35
同步源和測(cè)量電壓/電流以提高研發(fā)到自動(dòng)生產(chǎn)測(cè)試等應(yīng)用的生產(chǎn)率。除保留了2601A的全部產(chǎn)品特點(diǎn)外，2601B還具有6位半分辨率、USB 2.0連接性以及能輕松移植**測(cè)試代碼的2400源表SMU軟件指令
2021-11-04 10:17:26
本帖最后由 pss2019 于 2022-4-8 16:34 編輯
什么是數(shù)字源表？源表，SMU(Source Measure Unit)電源/測(cè)量單元，“源”為電壓源和電流源，“表”為測(cè)量
2022-04-08 16:33:47
低電壓，低阻測(cè)量產(chǎn)品許多種儀器可以測(cè)量電壓，包括數(shù)字多用表（DMM），靜電計(jì)和納伏表。要想成功測(cè)量電壓，需要電壓表的輸入阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于被測(cè)器件（DUT）的內(nèi)部阻抗 （源阻抗）。如果不是這樣，電壓表測(cè)量
2009-12-09 10:43:19
關(guān)于6482型雙通道皮安表/電壓源的基本知識(shí)
2021-05-11 06:52:48
表能夠測(cè)量高達(dá)1100V的電壓和1A的電流，輸出功率20W功率。型號(hào): 2410 吉時(shí)利SourceMeter?（數(shù)字源表）系列是專為那些要求緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源并同時(shí)進(jìn)行電流
2020-03-07 14:30:16
利用鎵離子源和雙透鏡聚焦柱，用強(qiáng)烈的聚焦離子束轟擊標(biāo)本表面，以進(jìn)行精密材料去除、沉積和高分辨率成像。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是聚合了FIB處理樣品和SEM觀察成相的功能。其中FIB是將Ga元素離子化成Ga+，然后利用
2024-01-02 17:08:51
。除了最大額定電壓或峰值終端電壓外，在設(shè)計(jì)充電器電路時(shí)還需要考慮的另一個(gè)重要因素是 c 比率。如果一個(gè)3000毫安的鋰離子電池充滿1500毫安的最大電流，那么它將被稱為0.5 c 充電率。為了安全起見
2022-04-25 10:46:52
金鑒檢測(cè)雙束FIB提供TEM制樣、FIB切割、Pt沉積和三維重構(gòu)的服務(wù)發(fā)布時(shí)間：2017-04-26聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體
2017-06-28 16:40:31
金鑒檢測(cè)雙束FIB提供TEM制樣、FIB切割、Pt沉積和三維重構(gòu)的服務(wù)發(fā)布時(shí)間：2017-04-26聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體
2017-06-28 16:50:34
金鑒檢測(cè)雙束FIB提供TEM制樣、FIB切割、Pt沉積和三維重構(gòu)的服務(wù)聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種
2017-06-28 16:45:34
`Plasma FIB(P-FIB)原理與Dual Beam FIB(DB-FIB)相似，差別如下: [td]離子源Xe（氙離子）PlasmaGa+ (鎵離子)蝕刻速率 (Probe current
2018-10-24 11:36:39
P FIB 與DB FIB師出同源，最大差異在離子源與蝕刻效率。DB FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。P FIB可大范圍面積快速執(zhí)行，蝕刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57:55
：2589101508 2410型高壓源表能夠測(cè)量高達(dá)1100V的電壓和1A的電流，輸出功率20W功率。型號(hào): 2410吉時(shí)利SourceMeter?（數(shù)字源表）系列是專為那些要求緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源
2019-07-05 15:55:17
，歡迎來(lái)電.回收工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電.KEITHLEY 2440 回收 吉時(shí)利2440KEITHLEY 2440型5A源表能夠測(cè)量高達(dá)40V的電壓和5A的電流，輸出功率50W
2016-07-27 18:23:20
緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源并同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。所有源表均由一個(gè)精密的、低噪聲、高穩(wěn)定的帶回讀功能的直流電源和一個(gè)低噪聲、高重復(fù)性、高輸入阻抗的5 1/2位多功能表
2021-10-08 09:17:54
要求緊密結(jié)合激勵(lì)源和測(cè)量功能，要求精密電壓源并同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。所有源表均由一個(gè)精密的、低噪聲、高穩(wěn)定的帶回讀功能的直流電源和一個(gè)低噪聲、高重復(fù)性、高輸入阻抗的5 1/2位
2021-08-30 09:57:37
安表/電壓源型號(hào): 64826482雙通道皮安表/電壓源具有2條獨(dú)立皮安表/電壓源通道，面向需要雙通道測(cè)量的寬范圍低電平測(cè)量應(yīng)用?；诩獣r(shí)利6485型5位半皮安表久經(jīng)驗(yàn)證的測(cè)量能力，6482提高了測(cè)量
2019-03-20 16:44:26
RT。成都嶺海半導(dǎo)體技術(shù)有限公司竭誠(chéng)為您服務(wù)。 首單免費(fèi)FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬(Ga)離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子q1an9加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生
2015-04-29 16:20:34
The Challenge:束?流?診斷?系統(tǒng)?是?加速器?的?眼睛，?它?對(duì)?束?流?和?加速器?的?各種?參數(shù)?包括?束?流?流?強(qiáng)、?位置、?剖面、?能量?能?譜?等?進(jìn)行?測(cè)量。?雙?縫
2020-10-09 17:08:46
離子束剖面研磨、離子束截面研磨(Cross Section Polisher, 簡(jiǎn)稱CP)，是利用離子束切割方式，去切削出樣品的剖面，不同于一般樣品剖面研磨，離子束切削的方式可避免因研磨過程所產(chǎn)生
2018-08-28 15:39:44
如何利用大功率數(shù)字源表構(gòu)建多源測(cè)量單元系統(tǒng)？
2021-05-14 06:11:56
如何找到專業(yè)做FIB技術(shù)的？ 找納瑞科技（北京）有限公司。納瑞科技（北京）有限公司(Ion Beam Technology Co.，Ltd.)成立于2006年，是國(guó)內(nèi)第一家專業(yè)提供聚焦離子束技術(shù)分析
2013-12-18 15:38:33
1.引言微波測(cè)量方法是將電磁波作為探測(cè)束入射到等離子體中，對(duì)等離子體特性進(jìn)行探測(cè)，不會(huì)對(duì)等離子體造成污染。常規(guī)微波反射計(jì)也是通過測(cè)量電磁波在等離子體截止頻率時(shí)的反射信號(hào)相位來(lái)計(jì)算等離子密度。當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">離子
2019-06-10 07:36:44
怎么利用FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)字電壓表的設(shè)計(jì)？
2021-05-06 10:19:03
怎么利用小電阻測(cè)量輸出端的電流和電壓的大小，求大神指導(dǎo)
2017-02-26 20:59:41
材料內(nèi)部的真實(shí)結(jié)構(gòu)，金鑒實(shí)驗(yàn)室用于制備EBSD、CL、EBIC或其它分析制樣。3.聚焦離子束技術(shù)（FIB）是利用電透鏡將鎵離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性
2021-04-08 17:41:04
怎樣使用電壓表去測(cè)量的簡(jiǎn)單電路？怎樣使用電流表去測(cè)量的簡(jiǎn)單電路？
2021-10-08 09:11:58
、聚合物、半導(dǎo)體等)– 電子元器件( 電容器、電阻器、二極管、傳感器、T F T和 C N T等類型的晶體管、光電器件、太陽(yáng)能電池等)– 電子/非電子系統(tǒng) (離子束、電子束、傳感系統(tǒng)、粒子測(cè)量、嵌入式精密儀器等)
2019-04-25 17:33:27
數(shù)字萬(wàn)用表在操作前應(yīng)該注意哪些問題？數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量電壓時(shí)應(yīng)該注意哪些問題？數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量電流時(shí)應(yīng)該注意哪些問題？數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量電阻時(shí)應(yīng)該注意哪些問題？數(shù)字萬(wàn)用表的保養(yǎng)應(yīng)該注意哪些問題？
2021-04-09 06:47:44
`求購(gòu)二手吉時(shí)利KEITHLEY6485/6487皮安表 高精度 電壓源6482 雙通道源表，由東莞市德佳儀器提供，專業(yè)經(jīng)營(yíng)二手進(jìn)口的儀器儀表 ---詳細(xì)：本公司現(xiàn)金高價(jià)收購(gòu)各類示波器,萬(wàn)用表,信號(hào)
2020-09-21 09:48:59
很不錯(cuò)的線束測(cè)量設(shè)計(jì)
2012-11-28 21:24:58
線束（circuit group）為一定負(fù)載源組提供服務(wù)設(shè)備的總體，如中繼線路、交換裝置、控制系統(tǒng)等。話務(wù)理論的基本研究?jī)?nèi)容是研究話務(wù)量、呼損和線束容量三者之間的關(guān)系，因此．線束是話務(wù)理論中一個(gè)重要的基本概念。
2019-10-16 09:02:28
數(shù)字多用表上，連接線的電阻也算在被測(cè)電阻值里，無(wú)法將它們分開。四線法也稱kelvin法測(cè)電阻，用一對(duì)測(cè)試接電流源，另一對(duì)測(cè)試線（感知線）把被測(cè)電阻上電壓降引入數(shù)字多用表進(jìn)行測(cè)量，由于流過感知線的電流很小
2021-07-02 13:44:46
測(cè)電阻導(dǎo)線也接到數(shù)字多用表上，連接線的電阻也算在被測(cè)電阻值里，無(wú)法將它們分開。四線法也稱kelvin法測(cè)電阻，用一對(duì)測(cè)試接電流源，另一對(duì)測(cè)試線（感知線）把被測(cè)電阻上電壓降引入數(shù)字多用表進(jìn)行測(cè)量，由于流過
2021-07-06 09:49:43
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) FIB-SEM應(yīng)用
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標(biāo)記以及TEM超薄片樣品的制備。
1.FIB切片
2023-09-05 11:58:27
beam, FIB)的系統(tǒng)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器，目前商用系統(tǒng)的離子束為液相金屬離子源(LiquidMetal Ion Source,LMIS)，金屬材質(zhì)為鎵(Gallium
2020-02-05 15:13:29
缺陷清晰明了，給客戶和供應(yīng)商解決爭(zhēng)論焦點(diǎn)，減少?gòu)?fù)測(cè)次數(shù)與支出。 （4）FIB其他領(lǐng)域定點(diǎn)、圖形化切割 3. 誘導(dǎo)沉積材料利用電子束或離子束將金屬有機(jī)氣體化合物分解，從而可在樣品的特定區(qū)域進(jìn)行材料
2020-01-16 22:02:26
參數(shù)值，如工作點(diǎn)電壓、電流、伏安特性曲線。微探針技術(shù)一般伴隨電路分析配合使用，兩者可以較快地搜尋失效器件。三、物理分析1. 聚焦離子束(FIB)，由離子源，離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。利用電鏡將離子聚焦成
2020-05-18 14:25:44
失效分析，很多時(shí)候都需要做FIB-SEM測(cè)試，相信各位電子行業(yè)的朋友并不陌生， 大家都知道用聚焦離子束FIB切片芯片，解剖芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu) 查找芯片失效點(diǎn)分析，再做進(jìn)一步分析。今天，邵工給大家分享一下
2021-08-05 12:11:03
對(duì)高源內(nèi)阻電壓源的測(cè)量容易產(chǎn)生幾種誤差，諸如：電壓表輸入電阻和輸入偏置電流以及外部分流電阻和電容引起的負(fù)載誤差。下列討論電壓表輸入電阻和輸入偏置電流引起的負(fù)載誤差的來(lái)源和將其影響減到最小的方法
2011-08-09 13:47:31
源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨率和雙獨(dú)立 30V 電壓偏置源。&nb
2022-01-04 17:54:19
源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨率和雙獨(dú)立 30V 電壓偏置源。&nb
2022-01-04 17:58:17
源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨率和雙獨(dú)立 30V 電壓偏置源。&nb
2022-01-04 18:01:06
的精度和更快的上升時(shí)間、一個(gè) 500V 源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨
2022-01-05 16:30:07
的精度和更快的上升時(shí)間、一個(gè) 500V 源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨
2022-01-05 16:35:17
的精度和更快的上升時(shí)間、一個(gè) 500V 源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨
2022-01-05 17:00:38
吉時(shí)利數(shù)字源表系列專用于要求緊密結(jié)合源和測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。全部數(shù)字源表型號(hào)都提供精密電壓源和電流源以及測(cè)量功能。每款數(shù)字源表既是高度穩(wěn)定的直流電源也是真儀器級(jí)的5位半萬(wàn)用表。此電源的特性包括低噪聲
2022-11-18 09:55:30
Keithley 6487皮安表和電壓源產(chǎn)品概覽 5-1/2 位 Keithley 6487 皮安表/電壓源改進(jìn)了屢獲殊榮的 Keithley 6485 皮安表的測(cè)量能力，并增加了高分辨率
2022-11-18 11:02:39
本文介紹了離子束濺射鍍膜機(jī)電源的設(shè)計(jì)方案，并著重闡述了短路保護(hù)電路、自動(dòng)恢復(fù)電路和線性光電隔離電路的設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明：該電源能滿足離子束濺射鍍膜機(jī)設(shè)備的要
2009-10-16 09:41:59
31 吉時(shí)利數(shù)字源表系列特別適用于需要精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表都提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器級(jí)的5位半多功能表組成
2023-03-01 14:14:06
源以及一種與電容設(shè)備配合使用的阻尼功能。6482 型雙通道皮安表/電壓源提供比 6485 型或 6487 型更高的測(cè)量分辨率和雙通道 30V 電壓偏置源。&nb
2023-04-20 16:59:39
, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體,
2023-05-11 13:42:32
380, 3層?xùn)艠O設(shè)計(jì), 柵極口徑 38cm, 提供離子動(dòng)能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶
2023-05-11 14:02:30
離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以
2023-05-11 14:09:08
RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元
2023-05-11 14:14:53
75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用,
2023-05-11 15:53:50
設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高
2023-05-11 16:30:48
離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。
2011-05-22 12:48:41
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離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 成都一家本土企業(yè)通過自主創(chuàng)新，研制出了可以廣泛應(yīng)用于眾多工業(yè)領(lǐng)域的基礎(chǔ)熱源———層流電弧等離子束，這種等離子束可以產(chǎn)生穩(wěn)定、可控的熱源，溫度可在15000攝氏度至200攝氏度間調(diào)節(jié)。其在3D打印技術(shù)中也可以得到應(yīng)用.
2013-09-24 15:43:381561 在一張頭發(fā)薄厚、米粒大小的透明塑料薄膜上雕刻出復(fù)雜的電路，對(duì)離子束加工是小菜一碟。北京埃德萬(wàn)斯公司，一家不到百人的小公司，不聲不響地持有這一前景無(wú)限、體現(xiàn)國(guó)家頂級(jí)加工能力的利器。 初冬，中關(guān)村環(huán)保園一間工廠里，幾十臺(tái)離子束刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)正在運(yùn)行。
2016-12-13 01:48:111655 近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所在自主發(fā)展聚變工程技術(shù)即研發(fā)射頻負(fù)離子束源方面取得重要進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定可重復(fù)的百秒量級(jí)強(qiáng)流負(fù)離子束引出。
2020-08-06 15:43:13904 電子束加工和離子束加工是近年來(lái)得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來(lái)說(shuō)，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-04-03 13:51:003143 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-03-25 16:40:0814084 
離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子 束電流通常非常?。╩A）， 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來(lái)進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使用吉時(shí)利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來(lái)進(jìn)行這種測(cè)量工作。在電流靈敏度更高時(shí)，可以改用靜電計(jì)來(lái)進(jìn)行測(cè)量。
2021-09-10 14:04:57581 一、FIB設(shè)備型號(hào)：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束顯微鏡 (FIB-SEM) 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體
2021-11-06 09:43:132785 
二次離子質(zhì)譜（SIMS）是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束（通常是氧氣或（無(wú)機(jī)樣品用銫離子）“濺射”樣品表面上選定區(qū)域的材料。
2022-11-22 10:44:09651 
1、聚焦離子束技術(shù)（FIB） 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米
2023-01-16 17:10:221890 當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22984 
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致
2023-05-25 15:53:36770 
蔡司用于亞10納米級(jí)應(yīng)用的離子束顯微鏡ORION NanoFab,集 3 種聚焦離子束于一身的顯微鏡，可以實(shí)現(xiàn)亞 10 nm 結(jié)構(gòu)的超高精度加工快速、精準(zhǔn)的亞 10 納米結(jié)構(gòu)加工。借助 ORION
2023-07-19 15:45:07244 
博仕檢測(cè)聚焦離子束FIB-SEM測(cè)試案例
2023-09-04 18:49:41461 
上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用上海伯東美國(guó) KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種
2023-05-11 13:26:30
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積
2023-05-25 10:18:34
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積
2023-05-25 10:22:37
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