致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技術的全新
2012-11-21 15:59:52
1173 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 推出用于IEEE 802.11ac （亦稱作第五代Wi-Fi）無線接入點和媒體設備的5 GHz功率放大器（PA） LX5509
2012-12-18 13:31:421104 Microsemi宣布提供新一代工業溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業應用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121053 集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業界首款全碳化硅1.7kV功率模塊
2015-10-14 09:52:221925 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業界領先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 Gleanergy 套件帶Microsemi SiC模塊的高功率隔離式柵極驅動器板智能座艙內人機檢測以太網供電大力士（用于MEMS的ADXL372）ADALM-PLUTO用于助聽器/手持式應用的無線電
2018-07-24 09:20:06
功率處理能力，一直是首選解決方案。然而，在大規模MIMO系統的設計中，它們需要高偏置電壓以施加反向偏置（用于提供隔離）和高電流以施加正向偏置（用于實現低插入損耗），這就變成了缺點。圖3示出了一款用于
2021-05-19 09:33:41
發展?！ ?b class="flag-6" style="color: red">Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）標準電源模塊，非常適用于大功率開關模式電源供應器、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業應用。該
2018-11-28 10:59:07
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。這些設計平臺目 前針對戰略客戶而推出，代表了驅動新一代SiC/GaN功率轉換器 的完整IC生態系統的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
功率轉換器。合作的第一個項目是為ADI隔離式柵極驅動器設計高壓、高電流評估板。高功率規格（如1200 V、100 A、250 kHz以上的開關頻率，可靠、魯棒的設計）使客戶可以全面評估用于驅動SiC
2019-07-16 23:57:01
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
的熱性能和機械堅固性?！ ”?：不同陶瓷基板的機械和熱規格 表 2 顯示了 SEMITRANS 3 全 SiC 半橋功率模塊的案例研究。提供Al2O3和AlN基板，具有更高熱性能的基板的優勢
2023-02-20 16:29:54
路解決方案。ADI最新推出一款射頻（RF）檢波器——ADL5502，有助于提高功率檢測性能，簡化手機、無線基礎設施設備以及通信儀器的設計。ADL5502是首款集成峰值因數的射頻功率檢測IC，內置1個
2019-07-04 08:00:42
UBA2024是NXP公司開發的半橋功率驅動IC，專用于CFL節能燈設計。它采用雙列8腳封裝和雙列14腳封裝。
2021-04-19 06:11:33
。在其他設計中REF還可以用于給版上其他IC或器件進行供電。LM5036的雙路PWM（5）輸出帶有2A的驅動能力，在評估板設計中直接驅動半橋的功率管而不需要額外的驅動電路。LM5036的雙路同步整流
2019-08-23 04:45:06
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
半橋焊機（IGBT /二極管）器件選擇指南評估板。各種拓撲結構，包括兩個SW正向，半橋和全橋，已用于低壓/大電流DC-ARC焊接機，以最大限度地提高系統效率并提高效率。在這些拓撲結構中，半橋最常用于小型，低于230A的焊接機
2020-04-13 09:52:57
用于半橋諧振變換器的FSFR1600功率開關（FPS）的典型應用。 FSFR系列包括專為高效半橋諧振轉換器設計的高度集成的功率開關
2020-06-15 15:14:47
描述此參考評估模塊擁有 TPS23454 PoE 接口和直流轉直流控制器，用于需要高效率的 4 類 PoE 應用。不論是適配器輸入 (21.6-57VDC) 還是以太網供電，輸出功率都為 5V
2018-07-25 07:32:52
?！ eapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應用提供性能。因此，設計工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
EVAL-AD7780EBZ，用于AD7780 24位，引腳可編程，低功耗，Sigma-Delta ADC的評估板。 AD7780是一款完整的模擬前端，適用于橋式傳感器系統等低頻測量應用
2020-05-07 10:11:36
RMS檢測器的ADL5920集成IC圖3還顯示了ADL5920評估板，它是一款新型RF功率檢測子系統，檢測范圍高達60 dB，采用5 mm×5 mm MLF封裝（ADL5920 IC位于RF連接器之間
2018-10-23 17:11:31
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC評估板的長X寬X高 為208mmX89mmX40mm，從圖中可以看出比一個計算器大不了太多。因為該評估板的最大額定輸出功率為3.3kw，所以它的功率密度是相當高
2020-07-20 09:04:34
概述：GR6953是一款半橋控制與驅動功率集成電路。雙列直插8腳封裝。它是專門為電子鎮流器開發的半橋控制與驅動功率集成電路 (內含功率場效晶體管）
2021-04-22 07:26:43
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
請教各位LLC/半橋/全橋大功率應用中 當二次側的整流管短路/或者變壓器輸出繞組短路 初級的控制IC應當是OCP？ 初級的MOS不應當炸機，但實際炸了，有辦法讓MOS不炸？
2019-03-18 17:37:50
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC ) 發布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
NCP1081SPCGEVB，高功率PoE-PD分路器評估板。 NCP1081是安森美半導體高功率HIPO以太網供電設備（PoE-PD）產品系列的成員，代表了一種強大，靈活且高度集成的解決方案
2020-05-20 11:08:19
NCP1083QBCGEVB，高功率PoE-PD模塊評估板。 NCP1083是安森美半導體大功率HIPO以太網供電設備（PoE-PD）產品系列的成員，代表了一種強大，靈活且高度集成的解決方案，適用于
2020-05-20 09:49:36
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅動器，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官網特設網頁中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時，還發布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持
2023-03-02 14:24:46
。碳化硅有優點相當突出。是半導體公司兵家必爭之地。應用場景;評估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅動電路、驅動電源、過電流保護電路及柵極信號保護電路等評估板的主要特點如下：? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發經驗，曾設計過基于半橋級聯型拓撲的儲能系統，通過電力電子裝置實現電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的1.2kV全SiC功率模塊的外觀，該模塊為兩單元半橋結構，每個單元由SiC的MOSFET和SiC的SBD組成。在新的APS系統中會用到7只該功率模塊，其中4只用于H橋MOSFET整流器，另外3只用于三相
2017-05-10 11:32:57
，更小的體積電感，效率更高。GaNSense半橋ic用于實現ZVS AHB反激以更小的變壓器和更高的效率在更高的頻率下工作。A 140 w / d3.1評估板展示了完整的功能和性能系統設計。評估板在
2023-06-16 08:06:45
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
。目前，ROHM正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。以下整理了現有機型產品陣容和主要規格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
3月18日消息，繼推出智能語音專用處理器R328之后，近日全志科技正式發布主打AI語音專用的重磅產品R329，這是全志科技首款搭載Arm中國全新AI處理單元（AIPU）的高算力、低功耗AI語音專用芯片。
2020-11-23 14:18:03
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
PPEC-86CA3D是一款應用于雙向有源全橋變換器的電源控制芯片，為電源研發企業提供穩定可靠的隔離型雙向DC/DC控制方案，繼承PPEC免代碼編程開發優勢，降低了電源開發門檻，縮短研發時間，助力
2023-11-20 10:31:11
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
EV6R11評估板采用ISOSMARTTM半橋驅動器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死區時間發生器，在雙面PCB上實現單電源相臂電路。該評估板包括一個帶有兩個功率器件的組裝和測試PCB。只需按照本文檔中的說明操作，即可將電路板連接到負載和電源
2020-04-23 08:42:24
IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631評估板IXDP630KIT采用經過驗證的ISOSMARTTM半橋驅動器芯片 -IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶接地
2020-04-24 09:22:57
用于IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631的IXDP631KIT評估板采用經過驗證的ISOSMARTTM半橋驅動器芯片 -IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶
2020-04-24 09:22:57
評估板EVBD4400采用經過驗證的ISOSMARTTM半橋驅動器CHIPSET-IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶接地層的雙面PCB上實現單電源相位電路。 IXDP631
2019-04-28 07:42:05
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數據通信，工業電源轉換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現半橋拓撲功率轉換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 06:28:59
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數據通信，工業電源轉換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現半橋拓撲功率轉換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 07:46:30
得益于 SiC功率模塊的低開關損耗和由此產生的高開關頻率。此外，變壓器使用帶狀繞組來實現低漏感和強制風冷。中頻變壓器及其尺寸如圖2所示。由此產生的漏感和磁化電感以及DAB參數如表1所示。漏感是一個關鍵參數
2023-02-20 15:32:06
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
應用電路使用ADuM3100數字隔離器是由高功率開關MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口。該橋使用低成本N溝道功率MOSFET用于H橋的高側
2019-11-07 08:53:19
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅動電路形式，常用推挽式電路，增強驅動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅動電路形式，常用推挽式電路，增強驅動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
要求很嚴苛的車載設備上。印象中的Sic應該運用于大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。③“數說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器中的優勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
SMPS-AC-DC參考設計提供了一種簡便的方法來評估SMPS dsPIC數字信號控制器的功率和特性，以實現高功率AC-DC轉換應用。 SMPS交流 - 直流參考設計單元可與通用輸入電壓范圍配合
2019-05-17 09:23:23
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅動器評估板，采用隔離式半橋驅動器。 CN0196是由高功率開關MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
客戶的新一代功率轉換器設計具備高性能、高可靠性和市場競爭力，ADI公司已決定開發各種硬件和軟件設計平臺，其既可用于評估IC，又可作為完整系統的構建模塊。這些設計平臺目前針對戰略客戶而推出，代表了驅動
2018-10-22 17:01:41
日前，德州儀器 （TI） （NASDAQ： TXN）與 Altera Corporation（NASDAQ：ALTR）在國際微波技術研討會 （the International Microwave Symposium） 上聯合推出基于Altera 28納米Arria V FPGA的完整RF開發套件，簡
2012-06-26 10:00:05919 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813798 
帶Microsemi模塊的柵極驅動器板
2019-08-15 06:15:001691 本視頻展示了一個評估板上的ADI公司高功率隔離式柵極驅動器ADuM4135。ADuM4135驅動Microsemi SiC功率模塊。此評估板是ADI公司與Microsemi合作的一個范例。
2019-06-18 06:00:003747 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 汽車、工業、太空和國防領域越來越需要能提升系統效率、穩健性和功率密度的SiC功率產品。
2019-08-08 10:04:354556 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:30950 據外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:253711 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
）。近日杰華特與英諾賽科聯合推出升級版120W快充方案，基于杰華特ACF控制器JW1550和英諾賽科產品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升級，打造120W快充高端標配。一
2022-04-18 16:51:29744 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術，Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
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