致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技術(shù)的全新
2012-11-21 15:59:52
1173 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 推出用于IEEE 802.11ac （亦稱作第五代Wi-Fi）無線接入點(diǎn)和媒體設(shè)備的5 GHz功率放大器（PA） LX5509
2012-12-18 13:31:421104 Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121053 集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊
2015-10-14 09:52:221925 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 Gleanergy 套件帶Microsemi SiC模塊的高功率隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板智能座艙內(nèi)人機(jī)檢測以太網(wǎng)供電大力士（用于MEMS的ADXL372）ADALM-PLUTO用于助聽器/手持式應(yīng)用的無線電
2018-07-24 09:20:06
功率處理能力，一直是首選解決方案。然而，在大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它們需要高偏置電壓以施加反向偏置（用于提供隔離）和高電流以施加正向偏置（用于實(shí)現(xiàn)低插入損耗），這就變成了缺點(diǎn)。圖3示出了一款用于
2021-05-19 09:33:41
發(fā)展。 Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）標(biāo)準(zhǔn)電源模塊，非常適用于大功率開關(guān)模式電源供應(yīng)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該
2018-11-28 10:59:07
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
功率轉(zhuǎn)換器。合作的第一個(gè)項(xiàng)目是為ADI隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)高壓、高電流評估板。高功率規(guī)格（如1200 V、100 A、250 kHz以上的開關(guān)頻率，可靠、魯棒的設(shè)計(jì)）使客戶可以全面評估用于驅(qū)動(dòng)SiC
2019-07-16 23:57:01
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
的熱性能和機(jī)械堅(jiān)固性。 表1：不同陶瓷基板的機(jī)械和熱規(guī)格 表 2 顯示了 SEMITRANS 3 全 SiC 半橋功率模塊的案例研究。提供Al2O3和AlN基板，具有更高熱性能的基板的優(yōu)勢
2023-02-20 16:29:54
路解決方案。ADI最新推出一款射頻（RF）檢波器——ADL5502，有助于提高功率檢測性能，簡化手機(jī)、無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備以及通信儀器的設(shè)計(jì)。ADL5502是首款集成峰值因數(shù)的射頻功率檢測IC，內(nèi)置1個(gè)
2019-07-04 08:00:42
UBA2024是NXP公司開發(fā)的半橋功率驅(qū)動(dòng)IC，專用于CFL節(jié)能燈設(shè)計(jì)。它采用雙列8腳封裝和雙列14腳封裝。
2021-04-19 06:11:33
。在其他設(shè)計(jì)中REF還可以用于給版上其他IC或器件進(jìn)行供電。LM5036的雙路PWM（5）輸出帶有2A的驅(qū)動(dòng)能力，在評估板設(shè)計(jì)中直接驅(qū)動(dòng)半橋的功率管而不需要額外的驅(qū)動(dòng)電路。LM5036的雙路同步整流
2019-08-23 04:45:06
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
半橋焊機(jī)（IGBT /二極管）器件選擇指南評估板。各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)SW正向，半橋和全橋，已用于低壓/大電流DC-ARC焊接機(jī)，以最大限度地提高系統(tǒng)效率并提高效率。在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，半橋最常用于小型，低于230A的焊接機(jī)
2020-04-13 09:52:57
用于半橋諧振變換器的FSFR1600功率開關(guān)（FPS）的典型應(yīng)用。 FSFR系列包括專為高效半橋諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的高度集成的功率開關(guān)
2020-06-15 15:14:47
描述此參考評估模塊擁有 TPS23454 PoE 接口和直流轉(zhuǎn)直流控制器，用于需要高效率的 4 類 PoE 應(yīng)用。不論是適配器輸入 (21.6-57VDC) 還是以太網(wǎng)供電，輸出功率都為 5V
2018-07-25 07:32:52
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應(yīng)用提供性能。因此，設(shè)計(jì)工程師可以期望： 具有高功率密度，可減小系統(tǒng)尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
EVAL-AD7780EBZ，用于AD7780 24位，引腳可編程，低功耗，Sigma-Delta ADC的評估板。 AD7780是一款完整的模擬前端，適用于橋式傳感器系統(tǒng)等低頻測量應(yīng)用
2020-05-07 10:11:36
RMS檢測器的ADL5920集成IC圖3還顯示了ADL5920評估板，它是一款新型RF功率檢測子系統(tǒng)，檢測范圍高達(dá)60 dB，采用5 mm×5 mm MLF封裝（ADL5920 IC位于RF連接器之間
2018-10-23 17:11:31
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC評估板的長X寬X高 為208mmX89mmX40mm，從圖中可以看出比一個(gè)計(jì)算器大不了太多。因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">評估板的最大額定輸出功率為3.3kw，所以它的功率密度是相當(dāng)高
2020-07-20 09:04:34
概述：GR6953是一款半橋控制與驅(qū)動(dòng)功率集成電路。雙列直插8腳封裝。它是專門為電子鎮(zhèn)流器開發(fā)的半橋控制與驅(qū)動(dòng)功率集成電路 (內(nèi)含功率場效晶體管）
2021-04-22 07:26:43
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
請教各位LLC/半橋/全橋大功率應(yīng)用中 當(dāng)二次側(cè)的整流管短路/或者變壓器輸出繞組短路 初級的控制IC應(yīng)當(dāng)是OCP？ 初級的MOS不應(yīng)當(dāng)炸機(jī)，但實(shí)際炸了，有辦法讓MOS不炸？
2019-03-18 17:37:50
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
NCP1081SPCGEVB，高功率PoE-PD分路器評估板。 NCP1081是安森美半導(dǎo)體高功率HIPO以太網(wǎng)供電設(shè)備（PoE-PD）產(chǎn)品系列的成員，代表了一種強(qiáng)大，靈活且高度集成的解決方案
2020-05-20 11:08:19
NCP1083QBCGEVB，高功率PoE-PD模塊評估板。 NCP1083是安森美半導(dǎo)體大功率HIPO以太網(wǎng)供電設(shè)備（PoE-PD）產(chǎn)品系列的成員，代表了一種強(qiáng)大，靈活且高度集成的解決方案，適用于
2020-05-20 09:49:36
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官網(wǎng)特設(shè)網(wǎng)頁中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時(shí)，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持
2023-03-02 14:24:46
。碳化硅有優(yōu)點(diǎn)相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭之地。應(yīng)用場景;評估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電源、過電流保護(hù)電路及柵極信號保護(hù)電路等評估板的主要特點(diǎn)如下：? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過基于半橋級聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的1.2kV全SiC功率模塊的外觀，該模塊為兩單元半橋結(jié)構(gòu)，每個(gè)單元由SiC的MOSFET和SiC的SBD組成。在新的APS系統(tǒng)中會(huì)用到7只該功率模塊，其中4只用于H橋MOSFET整流器，另外3只用于三相
2017-05-10 11:32:57
，更小的體積電感，效率更高。GaNSense半橋ic用于實(shí)現(xiàn)ZVS AHB反激以更小的變壓器和更高的效率在更高的頻率下工作。A 140 w / d3.1評估板展示了完整的功能和性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)。評估板在
2023-06-16 08:06:45
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率，實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
3月18日消息，繼推出智能語音專用處理器R328之后，近日全志科技正式發(fā)布主打AI語音專用的重磅產(chǎn)品R329，這是全志科技首款搭載Arm中國全新AI處理單元（AIPU）的高算力、低功耗AI語音專用芯片。
2020-11-23 14:18:03
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
PPEC-86CA3D是一款應(yīng)用于雙向有源全橋變換器的電源控制芯片，為電源研發(fā)企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的隔離型雙向DC/DC控制方案，繼承PPEC免代碼編程開發(fā)優(yōu)勢，降低了電源開發(fā)門檻，縮短研發(fā)時(shí)間，助力
2023-11-20 10:31:11
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
EV6R11評估板采用ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死區(qū)時(shí)間發(fā)生器，在雙面PCB上實(shí)現(xiàn)單電源相臂電路。該評估板包括一個(gè)帶有兩個(gè)功率器件的組裝和測試PCB。只需按照本文檔中的說明操作，即可將電路板連接到負(fù)載和電源
2020-04-23 08:42:24
IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631評估板IXDP630KIT采用經(jīng)過驗(yàn)證的ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器芯片 -IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶接地
2020-04-24 09:22:57
用于IXBD4410 / 11 / IXDP630 / 631的IXDP631KIT評估板采用經(jīng)過驗(yàn)證的ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器芯片 -IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶
2020-04-24 09:22:57
評估板EVBD4400采用經(jīng)過驗(yàn)證的ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器CHIPSET-IXBD4410，IXBD4411，IXDP630，在帶接地層的雙面PCB上實(shí)現(xiàn)單電源相位電路。 IXDP631
2019-04-28 07:42:05
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數(shù)據(jù)通信，工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實(shí)現(xiàn)半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 06:28:59
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數(shù)據(jù)通信，工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實(shí)現(xiàn)半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 07:46:30
得益于 SiC功率模塊的低開關(guān)損耗和由此產(chǎn)生的高開關(guān)頻率。此外，變壓器使用帶狀繞組來實(shí)現(xiàn)低漏感和強(qiáng)制風(fēng)冷。中頻變壓器及其尺寸如圖2所示。由此產(chǎn)生的漏感和磁化電感以及DAB參數(shù)如表1所示。漏感是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)
2023-02-20 15:32:06
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口。該橋使用低成本N溝道功率MOSFET用于H橋的高側(cè)
2019-11-07 08:53:19
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅(qū)動(dòng)電路形式，常用推挽式電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動(dòng)用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。印象中的Sic應(yīng)該運(yùn)用于大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。③“數(shù)說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
SMPS-AC-DC參考設(shè)計(jì)提供了一種簡便的方法來評估SMPS dsPIC數(shù)字信號控制器的功率和特性，以實(shí)現(xiàn)高功率AC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 SMPS交流 - 直流參考設(shè)計(jì)單元可與通用輸入電壓范圍配合
2019-05-17 09:23:23
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅(qū)動(dòng)器評估板，采用隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
客戶的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具備高性能、高可靠性和市場競爭力，ADI公司已決定開發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計(jì)平臺(tái)，其既可用于評估IC，又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建模塊。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)
2018-10-22 17:01:41
日前，德州儀器 （TI） （NASDAQ： TXN）與 Altera Corporation（NASDAQ：ALTR）在國際微波技術(shù)研討會(huì) （the International Microwave Symposium） 上聯(lián)合推出基于Altera 28納米Arria V FPGA的完整RF開發(fā)套件，簡
2012-06-26 10:00:05919 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813798 
帶Microsemi模塊的柵極驅(qū)動(dòng)器板
2019-08-15 06:15:001691 本視頻展示了一個(gè)評估板上的ADI公司高功率隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135。ADuM4135驅(qū)動(dòng)Microsemi SiC功率模塊。此評估板是ADI公司與Microsemi合作的一個(gè)范例。
2019-06-18 06:00:003747 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
2019-08-08 10:04:354556 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺(tái)。
2020-03-07 09:31:30950 據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。
2020-04-22 15:54:253711 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
）。近日杰華特與英諾賽科聯(lián)合推出升級版120W快充方案，基于杰華特ACF控制器JW1550和英諾賽科產(chǎn)品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升級，打造120W快充高端標(biāo)配。一
2022-04-18 16:51:29744 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
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