0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
DUAL TEMP-CONTROLLED NV DAC
2023-03-23 08:18:42
IC DAC DUAL NV TEMP CNTRL 8TSSOP
2023-04-06 18:08:37
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
DS18B20溫度傳感器1. 簡介DS18B20數(shù)字溫度傳感器提供9-12位攝氏度溫度測量數(shù)據(jù)，可編程非易失存儲器設(shè)置溫度監(jiān)測的上限和下限，提供溫度報警。DS18B20通過1-Wire?總線通信
2021-12-08 06:38:23
非易失性溫度報警觸發(fā)器TH和TL。可通過軟件寫入 報警上下限值。DS18B20中很多資料這樣寫，具體使用是什么情況的？誰知道，請指教，謝謝加入寫入了上限溫度50 下限溫度－20 超過這兩個限度
2020-06-17 05:24:55
一、概述DS18B20數(shù)字溫度傳感器DS18B20數(shù)字溫度傳感器提供9bit到12bit的攝氏溫度測量精度和一個用戶可編程的非易失性且具有過溫和低溫觸發(fā)報警的報警功能。DS18B20采用
2021-12-08 06:34:49
～+125℃，在-10～+85℃范圍內(nèi)，精度為±0.5℃。1.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示，主要由4部分組成：64位ROM、溫度敏感元件、非易失性溫度報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。圖中，DQ為數(shù)字信號輸入/輸出端；VDD為外接供電電源輸入端。1）ROM（Read-Only Memory）
2022-02-23 07:10:07
-55~+125℃，以 0.5℃遞增。華氏器件-67~+2570F，以 0.90F 遞增? 溫度以 9 位數(shù)字量讀出? 溫度數(shù)字量轉(zhuǎn)換時間 200ms（典型值）? 用戶可定義的非易失性溫度報警設(shè)置? 報警搜索命令識別并標(biāo)志超過程序限定溫度（溫度報警條件）的器件? 應(yīng)用包括溫度控制、工業(yè)系統(tǒng)、
2022-01-10 06:22:28
完成16位電流測量，以及11位電壓和溫度測量。片上非易失存儲器用于存儲電池的特性數(shù)據(jù)和應(yīng)用參數(shù)。DS27..
2021-12-03 07:38:35
長應(yīng)用設(shè)計。它包含三個非易失（NV）、低溫度系數(shù)的數(shù)字可變電阻，當(dāng)與外部固定電阻并聯(lián)時，可提供歐姆和亞歐姆級的步長。DS3906的三個電阻都具有64級電阻設(shè)置（和一個高阻態(tài)），采用巧妙的偽對數(shù)分級特性
2021-05-18 08:06:32
概述:DS4432集成了2路可通過I2C調(diào)節(jié)的電流輸出DAC，每路DAC均可吸入或源出高達(dá)200μA的電流。每路DAC輸出可通過I2C接口設(shè)置127個吸入電流和127個源出電流等級。電流型DAC
2021-05-17 07:50:56
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲 ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
`請問BGA焊接溫度控制重要性有哪些？`
2020-03-26 16:41:56
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失數(shù)字電位器(digipot)，器件具有高達(dá)15.5V的輸出電壓。該器件是第一款內(nèi)置溫度傳感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點的基礎(chǔ)上，加入了多項創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
、轉(zhuǎn)換分辨率、溫度調(diào)節(jié)模式、輸出極性和故障容限。此外，非易失溫度調(diào)節(jié)和配置寄存器允許器件作為獨立的溫度調(diào)節(jié)器上電工作，而無需與微控制器進行通信。 DS7505采用1.7V至3.7V低電源電壓供電，因而
2018-10-29 10:51:29
Maxim推出帶有非易失存儲器(EEPROM)的±0.5°C精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門限。 DS
2018-10-30 15:56:34
3片 TLV5628如何實現(xiàn)24路DAC控制求原理圖？線路如何連接？
2014-05-02 11:50:52
高速暫存RAM和一個非易失性的可電擦除的E2RAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器TH、TL和結(jié)構(gòu)寄存器。暫存存儲器包含了8個連續(xù)字節(jié)，前兩個字節(jié)是測得的溫度信息，第一個字節(jié)的內(nèi)容是溫度的低八位，第二個
2010-02-22 13:45:53
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
程序設(shè)計目標(biāo)及程序運行效果說明程序設(shè)計目標(biāo)：本程序是利用溫度傳感器測量周圍環(huán)境的實時溫度，然后每隔6秒向24C02的0x00地址寫入溫度數(shù)據(jù)，記錄下溫度溫度。寫入數(shù)據(jù)的地址，寫入非易失存儲器的溫度
2021-12-10 07:41:32
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
如何實現(xiàn)雙路輸出控制器的設(shè)計？
2022-02-11 07:57:24
osal_snv_init();這的NV條目 是指什么？ VOIDosal_snv_write(22, 10,buf); VOIDosal_snv_read(22 , 10,buf1); 我調(diào)用讀寫
2019-10-16 09:14:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現(xiàn)（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
；許多不同應(yīng)用都涉及到控制和測量，包括數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、工業(yè)自動化、可編程邏輯控制器和電機控制。 本文將探討雙極性數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)架構(gòu)的最新進展，以及這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如何應(yīng)對終端系統(tǒng)挑戰(zhàn)，例如：通過[比如]在
2018-10-22 16:58:12
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時它不是這樣發(fā)生的，但有時它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
希望溫度控制器設(shè)計方案中所設(shè)計的溫度控制器，方案功能達(dá)到通過循環(huán)掃描實現(xiàn)了兩路溫度的采集與顯示?！《乙M量縮減成本，減少功耗，溫度測量的準(zhǔn)確性和多路溫度的同時顯示；當(dāng)然實用性還是要保障的
2021-03-05 07:23:56
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
溫度控制器的電路原理圖見圖1、該電路由美國MAXIM公司生產(chǎn)的溫度傳感器DS600作為溫度控制器件，它在不同的環(huán)境溫度下輸出不同的信號電壓，再用雙運放LM358對信號進行放大，放大后的驅(qū)動電壓控制場效應(yīng)管。
2021-05-07 06:31:54
同ds18b20問題,防水封裝會影響溫度準(zhǔn)確性嗎？還有，DS18B20裹上紗布條可以作濕球溫度計嗎？
2019-04-26 06:35:25
在 wiki 中，我發(fā)現(xiàn)了這些行：5.3 非易失性計數(shù)器↑每個證書都嵌入了一個非易失性計數(shù)器值，該值被檢查以控制防回滾機制。有兩種非易失性計數(shù)器： - 可信非易失性計數(shù)器 - 非可信易失性計數(shù)器在
2023-02-02 07:32:04
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對其進行程序設(shè)計，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過
2021-05-17 07:50:20
AD1851/AD1861均為單芯片PCM音頻DAC。AD1851為16位器件，AD1861為18位器件。每款器件均提供電壓輸出放大器、DAC、串行至并行寄存器和基準(zhǔn)電壓源。AD1851
2023-03-09 17:24:51
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)
2023-07-04 16:43:20
DS28EA00是具有9位(0.5°C)至12位(1/16°C)分辨率和用戶可編程非易失性(NV)上、下觸發(fā)點報警功能的數(shù)字溫度計。每個DS28EA00都具工廠編程的唯一64位序列號。通信時只需一根
2023-07-14 11:14:14
DS18S20數(shù)字溫度計提供9位攝氏溫度測量，具有非易失性、上下觸發(fā)門限用戶可編程的報警功能。DS18S20通過1-Wire?總線與中央微處理器通信，僅需要單根數(shù)據(jù)線(和地線)。DS18S20具有
2023-07-14 11:25:23
DS18B20數(shù)字溫度傳感器提供9-12位攝氏度溫度測量數(shù)據(jù)，可編程非易失存儲器設(shè)置溫度監(jiān)測的上限和下限，提供溫度報警。DS18B20通過1-Wire?總線通信，只需要一條數(shù)據(jù)線 (和地線) 即可
2023-07-14 11:38:40
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11
716 Abstract: The DS1851 is a dual 8-bit digital-to-analog converter (DAC) which also contains dual
2009-04-29 09:51:241414 
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:37879 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021424 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
該文檔是AD1851/AD1861（單芯片PCM音頻DAC）中文資料用戶手冊,AD1851/AD18611的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括AD1851/AD1861應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的AD1851/AD1861中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-29 14:03:39
13 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)AD1851相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有AD1851的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，AD1851真值表，AD1851管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 13:13:34
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2023-01-16 20:01:53
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2023-01-18 19:20:46
DS1851為雙通道8位數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），還包含雙通道獨立40字節(jié)查找表（LUT）和內(nèi)部數(shù)字溫度傳感器。其最初的應(yīng)用是激光（VCSEL）驅(qū)動器中使用的偏置電路的溫度補償。本應(yīng)用簡報介紹如何使用此模數(shù)轉(zhuǎn)換器在變?nèi)荻O管（RF電路中常用的可變電容器）中提供相同類型的溫度補償。
2023-06-27 09:15:23345 
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