金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路圖

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評(píng)論

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-09-28 17:10:46

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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 09:31:04

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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 10:56:24

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

2023-05-17 15:15:37

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。

2023-05-16 15:02:23

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-03-17 19:50:16

場(chǎng)效應(yīng)管的分類

材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！　?b style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)

2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。

2022-11-30 09:30:00

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。

2021-03-19 16:11:17

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。

2020-10-02 18:06:00

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 14:08:44

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如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類和使用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

2020-07-02 17:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

2020-07-02 17:18:56

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FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲

一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)

2020-03-23 11:03:18

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兩列典型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過(guò)漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過(guò)柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極。

2019-10-13 15:33:00

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。

2019-10-11 10:51:09

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2019-10-11 10:26:31

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管六大選擇技巧

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2019-08-18 10:07:52

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隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。

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有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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具有PMBus的1v/30集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)

整個(gè)負(fù)載范圍。 DCap控制簡(jiǎn)化補(bǔ)償和瞬態(tài)響應(yīng)非常快。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FETJFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（me<x>tal-oxide semiconductor FE

2017-05-09 09:43:57

場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

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總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能

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