在照明應(yīng)用電子變換器的實(shí)現(xiàn)中，成本制約因素驅(qū)動(dòng)著技術(shù)的選擇。除了本文要介紹的創(chuàng)新的、低成本縱向智能功率（VIPower）解決方案外，市場(chǎng)上還存在另外兩種不同的經(jīng)典方法。

　　第一種方法是基于IC器件，與若干個(gè)外部無(wú)源器件一起，驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓（通常高于400V）功率MOS晶體管，實(shí)現(xiàn)一個(gè)半橋變換器。

　　第二種方法基于兩個(gè)高壓雙極晶體管和大量的無(wú)源器件，但是只能實(shí)現(xiàn)前文提到的另外兩個(gè)解決方案集成的具體功能中的部分功能。雙極解決方案被用于成本極其低廉、性能中低的應(yīng)用中。

　　相對(duì)于經(jīng)典的方法，本文提出了一個(gè)創(chuàng)新的解決方案，它的成本具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，而且性能也可得到增強(qiáng)。

　　VK06TL采用意法半導(dǎo)體（ST）獨(dú)有的智能功率VIPower M3-3制造技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)允許在同一芯片上集成控制部分和功率級(jí)。功率級(jí)是一個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”，這個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”通過(guò)在一個(gè)共射-共基放大器結(jié)構(gòu)中放置一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管制成的，因此，這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡，以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度快的特性。

　　由于在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，雙極晶體管級(jí)處于共基極模式，因此，從雙極晶體管的基極抽出貯存電荷的負(fù)基極電流基本上是集電極電流，因?yàn)檫@個(gè)原因，這個(gè)“發(fā)射極開關(guān)”結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)很高的頻率（200kHz左右）。

　　這個(gè)特性使共射-共基放大器結(jié)構(gòu)的開關(guān)性能比一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體高出很多，可與一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管媲美。因此，我們說(shuō)這個(gè)器件沒(méi)有電荷貯存效應(yīng)。這項(xiàng)技術(shù)的控制部分是采用BCD（雙極-互補(bǔ)MOS-雙擴(kuò)散MOS）單元庫(kù)實(shí)現(xiàn)的。

　　熒光燈鎮(zhèn)流器驅(qū)動(dòng)器

　　在VIPower M3-3技術(shù)基礎(chǔ)之上，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)熒光燈鎮(zhèn)流器專用的驅(qū)動(dòng)器（VK06TL）。這個(gè)器件采用兩種不同的封裝：SO-16表面組裝封裝和ST19通孔組裝封裝。

　　在圖1的變換器半橋中，VK06TL被指定用于上橋臂和下橋臂，因?yàn)椴捎脙蓚€(gè)VK06TL，幾乎無(wú)需外部器件，只用兩個(gè)二次繞組就可以導(dǎo)通一次側(cè)扼流圈，所以，設(shè)計(jì)一個(gè)效率極高而成本極低的熒光燈變換器是可行的。

　　圖1：M3-3 橫截面圖

　　這個(gè)變換器能夠恰當(dāng)?shù)毓芾硪粋€(gè)高端熒光燈應(yīng)用的全部必備的工作條件：?jiǎn)?dòng)、預(yù)熱頻率和時(shí)長(zhǎng)控制、點(diǎn)火和穩(wěn)態(tài)階段。這個(gè)半橋可以實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)（EOL：燈管壽命終止）、整流效應(yīng)保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)，從而創(chuàng)造一個(gè)全保護(hù)系統(tǒng)。如圖2：VK06TL的簡(jiǎn)化塊圖所示，我們考慮到了以下幾個(gè)因素：

　　圖2：VK06TL簡(jiǎn)化塊圖

　　功率級(jí)是由一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的共射-共基放大器，這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡，以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度快的特性。這個(gè)功率級(jí)由雙極晶體管的基極上的固定電流供電，并由柵極端子控制。在導(dǎo)通狀態(tài)（Vg 》 Vthreshold），集電極電流可以通過(guò)MOS晶體管流向集電極，貯存階段開始。

　　在這個(gè)階段，發(fā)射極電流不再流動(dòng)，而且集電極電流變成負(fù)基極電流。因?yàn)榘l(fā)射機(jī)開關(guān)操作，貯存時(shí)長(zhǎng)降低到幾百納秒（無(wú)貯存效應(yīng)）。一旦所有的基極電荷都被抽空，功率級(jí)就進(jìn)入斷態(tài)。由于貯存時(shí)間短，功率級(jí)能夠以高于標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管的頻率工作（最高500KHz），同時(shí)還能維持一個(gè)很高的標(biāo)準(zhǔn)功率MOS無(wú)法達(dá)到的耐壓能力（最高1KV），而且導(dǎo)通損耗極低。

　　控制級(jí)和功率級(jí)都是由Vcc引腳供電，Vcc引腳通過(guò)一個(gè)電阻電容（R-C）網(wǎng)絡(luò)與直流總線相連。在啟動(dòng)階段，電容通過(guò)一個(gè)高阻值的電阻器充電，因此，只需幾百微安。由于功率雙極晶體貯存基極電流是在通過(guò)‘Vcc充電網(wǎng)絡(luò)’連接Vcc引腳的電容上恢復(fù)的，因此，在工作階段，器件是自己給自己供電。

　　VK06TL這項(xiàng)特殊功能允許使用功耗更小的電阻器，而且上電橋臂電源無(wú)需充電泵。

　　必須從連接二次繞組的SEC引腳觸發(fā)、接通這個(gè)器件，同時(shí)，啟動(dòng)振蕩電路還需要一個(gè)二極管交流開關(guān)管的功能。通過(guò)SEC引腳，系統(tǒng)可以負(fù)載諧振頻率振蕩，同時(shí)，通過(guò)CAP1、CAP2和CapPREH引腳管理預(yù)熱和穩(wěn)態(tài)頻率。特別是，CapPREH引腳上的電容器用于設(shè)定預(yù)熱時(shí)長(zhǎng)。

　　通過(guò)CapEOL引腳，系統(tǒng)可以確保燈管壽命終止（EOL）和過(guò)溫保護(hù)功能。如果檢測(cè)到這些故障功能中的任意一個(gè)，CapEOL電容器就會(huì)被充電，引起功率級(jí)關(guān)斷閂鎖。CapEOL的電容值用于設(shè)定保護(hù)時(shí)間。

　　值得再次強(qiáng)調(diào)的是，這個(gè)單片方法無(wú)需外部電阻器和連接器就實(shí)現(xiàn)了功率級(jí)電流檢測(cè)。此外，如上文所述，只需一個(gè)單片器件就可以集成一個(gè)溫度保護(hù)電路。

　　兩個(gè)高壓二極管用于續(xù)流和二極管交流開關(guān)管通道，直流總線上的典型電壓是400V，因?yàn)樵诙鄶?shù)應(yīng)用中，需要連接一個(gè)PFC級(jí)（功率因數(shù)控制器），同時(shí)，這個(gè)器件的集電極-源極擊穿電壓保證在最高600V。

　　圖3：VK06TL應(yīng)用原理圖

　　應(yīng)用電路板

　　目前開發(fā)出了兩個(gè)參考板：一個(gè)使用SO-16封裝（表面安裝封裝），另一個(gè)使用SIP9封裝（通孔封裝）。兩個(gè)電路板都基于圖3所示的原理圖。

　　為了測(cè)試電路板的目的，在輸入端子連接一個(gè)電解電容（10μF， 450V）十分重要，以便旁通直流電源電壓與電路板之間連線上出現(xiàn)的寄生電感。

　　預(yù)熱頻率必須固定，以確保電流值足以預(yù)熱陰極，而不會(huì)導(dǎo)致燈管點(diǎn)火。

　　參考電路板的預(yù)熱頻率大約59KHz，峰流大約800mA。由于諧振電容C=8.2nF，在預(yù)熱階段，它的電壓低于一個(gè)58W T8燈管的預(yù)熱額定電壓（350V峰壓）。預(yù)熱時(shí)長(zhǎng)大約0.84s。

　　采用表面組裝封裝電路板上的主波形的穩(wěn)態(tài)階段：工作頻率大約為34KHz，峰流大約為700mA。

　　參考電路板的熱分析

　　我們對(duì)圖3中電路板進(jìn)行了熱分析，同時(shí)測(cè)量了器件的溫度。每個(gè)器件的散熱銅面積大約100mm2。溫度是通過(guò)在SO-16封裝頂部放置K型熱電耦測(cè)量的。測(cè)量環(huán)境有種不同的外界溫度：室溫（大約25oC）和外界溫度（50oC）測(cè)量結(jié)果見(jiàn)匯總表1：

　　表1：器件外殼溫度

　　結(jié)論

　　本文簡(jiǎn)要介紹了ST開發(fā)的采用固定頻率半橋拓?fù)潋?qū)動(dòng)線性熒光燈管的創(chuàng)新解決方案。采用了系統(tǒng)芯片的方法，即在同一個(gè)芯片上集成控制部分、保護(hù)電路和功率級(jí)。由于采用這種單片電路的方法，系統(tǒng)的可靠性得到了提高，此外，系統(tǒng)集成和超小型封裝還實(shí)現(xiàn)了更小、更便宜的應(yīng)用電路板，向系統(tǒng)微型化邁出了一大步。

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